Zellenzustandsermittlung in Phasenwechselspeichern

    公开(公告)号:DE112011102156T5

    公开(公告)日:2013-05-16

    申请号:DE112011102156

    申请日:2011-08-26

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren und Vorrichtungen zum Ermitteln des Zustands einer Phasenwechselspeicherzelle werden bereitgestellt. Eine Vielzahl von Messungen wird an der Zelle durchgeführt, wobei die Messungen von der unterschwelligen Strom/Spannungs-Kennlinie der Zelle abhängig sind. Die Messungen werden verarbeitet, um eine Maßzahl zu erhalten, welche von der Steigung der unterschwelligen Strom/Spannungs-Kennlinie abhängig ist. Der Zustand der Zelle wird dann in Abhängigkeit von dieser Maßzahl ermittelt, welche, im Gegensatz zum absoluten Zellenwiderstand, von Drift im Wesentlichen unbeeinflusst ist.

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    33.
    发明专利
    ten 未知

    公开(公告)号:DE112011101116T5

    公开(公告)日:2013-01-10

    申请号:DE112011101116

    申请日:2011-03-23

    Applicant: IBM

    Abstract: Es werden Verfahren und Vorrichtungen für das Codieren von Eingangsdaten zum Aufzeichnen im s-Level-Speicher (2) einer Solid-State-Speichereinheit (1) bereitgestellt, wobei s ≥ 2. Eingabedatenwörter werden in Gruppen mit M Eingabedatenwörtern in Übereinstimmung mit dem ersten und dem zweiten BCH-Code codiert, um für jede Gruppe einen Satz mit M ersten Codewörtern des ersten BCH-Codes zu erzeugen. Der Satz mit M ersten Codewörtern wird so erzeugt, dass zumindest eine vorbestimmte lineare Kombination der M ersten Codewörter ein zweites Codewort des zweiten BCH-Codes erzeugt und wobei dieser zweite BCH-Code ein Subcode des ersten BCH-Codes ist. Die Sätze von M ersten Codewörtern werden dann im s-Level-Speicher aufgezeichnet (2). Wenn jedes der ersten und zweiten Codewörter N q-äre Symbole umfasst, bei denen q = pk, k ist eine positive ganze Zahl und p ist eine Primzahl, kann das q-äre Codealphabet auf den s-Level-Speicher (2) abgestimmt werden, indem sichergestellt wird, dass q und s die u-te beziehungsweise v-te Potenz einer gemeinsamen Basis r sind, wobei u und v positive ganze Zahlen sind und k ≥ u, wobei p(k/u)v = s.

    Container-Markierungsschema zum Verringern einer Schreibiverstärkung bei Halbleiter-Einheiten

    公开(公告)号:DE112010003650T5

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:DE112010003650

    申请日:2010-09-14

    Applicant: IBM

    Abstract: Eine Hableiter-Speichereinheit und ein Hableiter-Speicherverfahren werden bereitgestellt. Mehrere Blöcke sind als Speicher für eine Hableiter-Speichereinheit eingerichtet, und jeder Block enthält mehrere Seiten. Eine Steuereinheit ist zum Ansteuern der Hableiter-Speichereinheit eingerichtet. Einem freien Block der mehreren Blöcke wird durch die Steuereinheit eine Markierungsstufe zugewiesen. In Bezug auf eine bestimmte Seite der mehreren Seiten wird jede bestimmte Datenseite in einen Block der mehreren Blöcke geschrieben, der eine Markierungsstufe entsprechend einer Dynamikstufe aufweist, die durch die Steuereinheit für diese bestimmte Seite berechnet wurde.

    DATA OVERWRITING IN PROBE-BASED DATA STORAGE DEVICES

    公开(公告)号:AU2003239297A1

    公开(公告)日:2004-01-19

    申请号:AU2003239297

    申请日:2003-06-13

    Applicant: IBM

    Abstract: A method and apparatus for overwriting data in a probe-based data storage device wherein data is represented by the presence and absence of pits formed in a storage surface by a probe of the device is provided. Input data is first coded such that successive bits of a given value x in the coded input data (b0, b1, b2, . . . ,) are separated by at least d bits of the complementary value {tilde over (x)}, where d is a predetermined number>=2. Overwrite data bits (v0, v1, v2, . . . ,) are then generated by encoding the coded input data bits (b0, b1, b2, . . . ,).

    Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer Speichereinheit

    公开(公告)号:DE112011100370B4

    公开(公告)日:2022-02-10

    申请号:DE112011100370

    申请日:2011-01-27

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Speichereinheit mit einem Band (TP) und einem Kopf (HU), wobei der Kopf (HU) ein erstes Leseelement (RE1) und ein zweites Leseelement (RE2) umfasst, wobei jedes Leseelement (RE1, RE2) in der Lage ist, vorgegebene Servomuster eines speziellen vorgegebenen Servobandes (SP) zu erkennen, die auf dem Band (TP) entlang einer Längsausdehnung des Bandes (TP) gespeichert sind, wobei das erste und das zweite Leseelement (RE1, RE2) derart angeordnet sind, dass sich das Band (TP) zuerst an einem der beiden Leseelemente (RE1, RE2) und danach am anderen der beiden Leseelemente (RE1, RE2) vorbeibewegt, wenn sich das Band (TP) in eine vorgegebene Längsrichtung (X) bewegt, wobeieine Bandtransportrichtung (TPDIR) des Bandes (TP) entlang der Längsrichtung (X) bestimmt wird,das erste Leseelement (RE1) abhängig von der bestimmten Bandtransportrichtung (TPDIR) ausgewählt wird, wenn es sich bei der bestimmten Bandtransportrichtung (TPDIR) um eine Richtung handelt, bei der sich das Band (TP) zuerst am ersten Leseelement (RE1) und danach am zweiten Leseelement (RE2) vorbeibewegt, und andernfalls das zweite Leseelement (RE2) ausgewählt wird,- ein Positionsfehlersignal (PES1) abhängig vom ausgewählten Leseelement bestimmt wird, wobei das Positionsfehlersignal (PES1) eine seitliche Entfernung zwischen einer seitlichen Position des ausgewählten Leseelements und einer vorgegebenen seitlichen Referenzposition (ry) auf dem speziellen Servoband (SP) darstellt,eine geschätzte seitliche Spurposition (dest), welche die seitliche Referenzposition (ry) auf dem Servoband (SP) bezüglich eines vorgegebenen seitlichen Referenzpunktes (REF) an einer Längsposition (x1) des ausgewählten Leseelements darstellt, abhängig vom bestimmten Positionsfehlersignal (PES1) geschätzt wird,- bezüglich des vorgegebenen Referenzpunktes (REF) eine andere geschätzte seitliche Spurposition(dest*)an einer Längsposition (x2) des nicht ausgewählten Leseelements derart geschätzt wird, dass die andere geschätzte seitliche Spurposition(dest*)eine zeitverzögerte Darstellung der seitlichen Spurposition (dest) wird,- ein Steuersignal (u) abhängig von der anderen geschätzten seitlichen Spurposition(dest*)bestimmt wird, wobei eine seitliche Kopfposition (y) des Kopfes (HU) über das Steuersignal (u) gesteuert wird,- eine geschätzte seitliche Kopfposition (yest) des Kopfes (HU) abhängig von einem vorgegebenen Modell (P̂) eines Betätigungsgliedes (PU) der Speichereinheit bestimmt wird, das in der Lage ist, den Kopf (HU) abhängig vom Steuersignal (u) in seitlicher Richtung (Y) zu bewegen,- die geschätzte seitliche Spurposition (dest) abhängig von der geschätzten seitlichen Kopfposition (yest) und dem bestimmten Positionsfehlersignal (PES1) bestimmt wird.

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