公开(公告)号：DE102014112386A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112386

申请日：2014-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters offenbart, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer zweiten Seite (12); Bilden einer n-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) durch eine erste Implantierung in den Halbleiterkörper (10) über die erste Seite (11) bis auf eine erste Tiefenposition des Halbleiterkörpers (10); und Bilden einer p-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) durch eine zweite Implantierung in den Halbleiterkörper (10) über die zweite Seite (12) bis auf eine zweite Tiefenposition des Halbleiterkörpers (10), wodurch ein pn-Übergang (13) zwischen der n-dotierten Zone und der p-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) entsteht.

公开(公告)号：DE102007002156A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：DE102007002156

申请日：2007-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/50

Abstract: The semiconductor arrangement comprises a heat sink body (2), which is provided for dissipating heat from a semiconductor component (1). The heat sink body has an electric conductive body with a recess (3) for receiving the semiconductor component. An insulating layer is provided between lateral walls of the recess and lateral wall of the semiconductor component. A soldering layer is provided in the base area of the recess for electric and mechanical connection of a rear side of the semiconductor component with the heat sink body.

公开(公告)号：AT330791T

公开(公告)日：2006-07-15

申请号：AT02026025

申请日：2002-11-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH

IPC: H01L21/00 ,  B32B38/00 ,  B32B37/10

公开(公告)号：DE10207558B4

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：DE10207558

申请日：2002-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/58 ,  H01L21/86

公开(公告)号：DE10258509B4

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：DE10258509

申请日：2002-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

公开(公告)号：DE10258508B3

公开(公告)日：2004-09-09

申请号：DE10258508

申请日：2002-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHENWARTER ERWIN ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KROENER FRIEDRICH ,  MAUNZ INGOMAR

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: The semiconductor wafer (1) is circular and of uniform thickness (D A). Two circular grooves (6) are formed close together near the edge (2) and concentric with it. The two grooves have the same depth (T G) and width (B G). The centerline of the outer groove is a given distance (A W) from the edge of the wafer. The reinforcement (7) consists of layer of material strong in compression and tension covering one side of the edge. The layer has tapered edges and engages in the pair of keying grooves.

公开(公告)号：DE10235814B3

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：DE10235814

申请日：2002-08-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/58

Abstract: Process for detachably mounting a semiconductor substrate (3) to be processed on a supporting wafer (1) comprises thinly grinding the substrate and removing the substrate from the wafer. The wafer is connected to the substrate or detached from it by applying a direct voltage.

公开(公告)号：DE10200538A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：DE10200538

申请日：2002-01-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/58 ,  B23K20/00 ,  B32B31/04

公开(公告)号：DE10149195A1

公开(公告)日：2003-04-24

申请号：DE10149195

申请日：2001-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  LESSACHER SIEGBERT

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312

Abstract: A semiconductor wafer (8) with integrated circuit (4) is prepared. A trench (3) is etched to a depth exceeding 10 mu m. The trench is then filled with a dielectric (2) at a temperature below 350 deg C. The dielectric is then made planar. The conductive structure is then produced on the dielectric.

公开(公告)号：DE10122845C2

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：DE10122845

申请日：2001-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/58