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    METHOD FOR PROCESSING A WAFER
    1.
    发明申请
    METHOD FOR PROCESSING A WAFER 审中-公开
    一种用于处理晶片

    公开(公告)号：WO0197281A3

    公开(公告)日：2002-04-11

    申请号：PCT/DE0102150

    申请日：2001-06-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KROENER FRIEDRICH

    Inventor： KROENER FRIEDRICH

    IPC: H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327

    Abstract: The invention relates to a method for processing a discoid wafer (1) in which a supporting wafer (2) is placed upon a wafer (1) while inserting a protective layer (4) in-between. The supporting wafer (2) is detachably joined to the wafer (1) by means of a joining layer (5). Processing steps are performed on the exposed disc side of the wafer (1), after which the supporting wafer (2) is detached from the wafer (1) by removing the joining layer (5).

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于处理（1），其中，具有保护层（4）的插入到晶片（1）的支撑晶片（2）被施加在盘形晶片。 支撑晶片（2）通过粘结层（5）的装置可拆卸地连接到晶片（1）。 处理步骤根据该支撑晶片（2）被从晶片去除所述连接层（5）分离的（1）中在晶片（1）的晶片的暴露侧进行。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERS
    2.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERS 未知

    公开(公告)号：DE102014112386B4

    公开(公告)日：2022-09-29

    申请号：DE102014112386

    申请日：2014-08-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  MURI INGO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

    IPC: H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters, das Folgendes aufweist:Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer zweiten Seite (12);Bilden einer n-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) durch eine erste Implantierung von Protonen (14) in den Halbleiterkörper (10) über die erste Seite (11) bis auf eine erste Tiefenposition des Halbleiterkörpers (10);Ausführen eines ersten Dünnens des Halbleiterkörpers (10) von der zweiten Seite (12) aus; Bilden einer p-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) nach dem ersten Dünnen durch eine zweite Implantierung von Protonen (14) oder Helium in den Halbleiterkörper (10) über die zweite Seite (12) bis auf eine zweite Tiefenposition des Halbleiterkörpers (10), wodurch ein pn-Übergang (13) zwischen der n-dotierten Zone und der p-dotierten Zone in dem Halbleiterkörper (10) entsteht; undnach dem Bilden der p-dotierten Zone, Ausführen eines zweiten Dünnens des Halbleiterkörpers (10) von der gedünnten zweiten Seite (12') aus bis auf eine bestimmte Tiefe, die durch eine Raumladungsregion (15) des pn-Übergangs (13) definiert wird.

    VERFAHREN ZUM BEHANDELN EINES SAUREN ABWASSERS, DAS PHOSPHORSÄURE ENTHÄLT
    3.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM BEHANDELN EINES SAUREN ABWASSERS, DAS PHOSPHORSÄURE ENTHÄLT 未知

    公开(公告)号：DE102016119082A1

    公开(公告)日：2017-04-13

    申请号：DE102016119082

    申请日：2016-10-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KROENER FRIEDRICH

    IPC: C02F1/66 ,  C02F1/28 ,  C02F9/02

    Abstract: Ein Verfahren (100) zum Behandeln eines sauren Abwassers, das Phopshorsäure enthält, verschiedenen Ausführungsformen entsprechend kann Folgendes enthalten: das Bereitstellen eines sauren Abwassers, das Phosphorsäure enthält (110); das Zugeben einer Base und von Siliciumteilchen aus einem weiteren Abwasser zu dem sauren Abwasser, das Phosphorsäure enthält, so dass eine Mischung erhalten wird und ein Gehalt an Feststoff gebildet wird (130); das Abtrennen, von der Mischung, eines Gehalts an Feststoff, der Silicium und ein Salz enthält, das aus einer Reaktion der Base mit der Säure resultiert, so dass ein geklärtes Abwasser in die Umwelt abgelassen werden kann und ein Filterpresskuchen erhalten und weiter als Zusatzmittel für Beton verwendet werden kann (140).

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006054311A1

    公开(公告)日：2008-05-21

    申请号：DE102006054311

    申请日：2006-11-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KROENER FRIEDRICH ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

    IPC: H01L21/30

    Abstract: A semiconductor device and method for producing such a device is disclosed. One embodiment provides a semiconductor functional wafer having a first and second main surface. Component production processes are performed for producing a component functional region at the first main surface, wherein the component production processes produce an end state that is stable up to at least a first temperature. A carrier substrate is fitted to the first main surface. Access openings are produced to the first main surface. At least one further component production process is performed for producing patterned component functional regions at the first main surface of the functional wafer in the access openings. The end state produced in this process is stable up to a second temperature, which is less than the first temperature.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005047106A1

    公开(公告)日：2007-04-19

    申请号：DE102005047106

    申请日：2005-09-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  MAUDER ANTON

    IPC: H01L23/498 ,  H01B3/10 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/14 ,  H01L25/07 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K1/14 ,  H05K1/18 ,  H05K7/20

    Abstract: A power semiconductor module has a controllable semiconductor chip (50), a first printed circuit board (1), a second printed circuit board (2), and also has one or a plurality of passive components (13, 18). The first printed circuit board (1) may have a conductor track structure (12, 13, 14), and the second printed circuit board (2) may have a conductor track structure (21, 22, 23, 24). Furthermore, an opening (19) in which the semiconductor chip (50) is arranged can be provided in the first printed circuit board (1). Furthermore, at least one passive component (13, 18) can be arranged on the first printed circuit board (1) or on the second printed circuit board (2).

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT424039T

    公开(公告)日：2009-03-15

    申请号：AT01125066

    申请日：2001-10-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KROENER FRIEDRICH

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

    Abstract: Production of a MOSFET comprises structuring a starting material (3) with a trench oxide layer (1) and a thin active silicon layer (2); epitaxially depositing silicon (5) onto the structured starting material; counter doping a channel region; exposing partial regions (8) of the oxide layer; etching to remove silicon oxide; forming a gate oxide and a polysilicon gate (13); structuring the polysilicon; forming a source doping; forming a dielectric; structuring a metal; and forming gate and source contacts. Preferred Features: The starting material is wafer-bonded SOI material. The trench oxide layer is produced by implanting oxygen.

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