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    STRAHLUNGSQUELLE ZUR EMISSION VON TERAHERTZ-STRAHLUNG
    32.
    发明申请
    STRAHLUNGSQUELLE ZUR EMISSION VON TERAHERTZ-STRAHLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019110682A1

    公开(公告)日：2019-06-13

    申请号：PCT/EP2018/083687

    申请日：2018-12-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  ENZMANN, Roland Heinrich

    IPC: H01S5/42 ,  H01S5/40

    Abstract: Es wird eine Strahlungsquelle zur Emission von Terahertz-Strahlung (6) angegeben, umfassend mindestens zwei Laserlichtquellen, die Laserstrahlung (11, 12) verschiedener Frequenzen emittieren, und einen Photomischer (5), der ein photoleitendes Halbleitermaterial (51) und eine Antennenstruktur (52) aufweist, wobei der Photomischer (5) dazu eingerichtet ist, die Laserstrahlung (11, 12) der Laserlichtquellen (1, 2) zu empfangen und Terahertz-Strahlung (6) mit mindestens einer Schwebungsfrequenz der Laserlichtquellen abzustrahlen, und wobei die mindestens zwei Laserlichtquellen oberflächenemittierende Halbleiterlaser (1, 2) sind, die in einem eindimensionalen oder zweidimensionalen Array auf einem gemeinsamen Träger (10) angeordnet sind.

    HALBLEITERSTRAHLUNGSQUELLE
    35.
    发明申请
    HALBLEITERSTRAHLUNGSQUELLE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018188910A1

    公开(公告)日：2018-10-18

    申请号：PCT/EP2018/056976

    申请日：2018-03-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WOJCIK, Andreas ,  HALBRITTER, Hubert ,  MARIC, Josip

    IPC: H01L25/16 ,  H01S5/068

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterstrahlungsquelle (1) einen Halbleiterchip (2) zur Strahlungserzeugung sowie einen Kondensatorkörper (3). Der Halbleiterchip (2) und der Kondensatorkörper (3) sind übereinander gestapelt angeordnet. Ferner ist der Halbleiterchip (2) flächig und direkt elektrisch mit dem Kondensatorkörper (3) verbunden.

    ANZEIGEVORRICHTUNG
    36.
    发明申请
    ANZEIGEVORRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018172255A1

    公开(公告)日：2018-09-27

    申请号：PCT/EP2018/056837

    申请日：2018-03-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert ,  PERÄLÄ, Mikko

    IPC: H01L25/075 ,  G09F9/33 ,  H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl von Bildpunkten (1) und mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (7) angegeben, wobei - jeder Bildpunkt zumindest einen ersten Subbildpunkt (21) für die Erzeugung von Strahlung in einem ersten Spektralbereich (921) und einen zweiten Subbildpunkt (22) für die Erzeugung von Strahlung in einem vom ersten Spektralbereich verschiedenen zweiten Spektralbereich (922) aufweist; - den ersten und zweiten Subbildpunkten jeweils ein zur Erzeugung einer Primärstrahlung vorgesehener aktiver Bereich (70) des Halbleiterbauelements zugeordnet ist, - zumindest einigen der aktiven Bereiche ein Strahlungskonversionselement (5) nachgeordnet ist, wobei das Strahlungskonversionselement im Betrieb der Anzeigevorrichtung die Primärstrahlung zumindest teilweise in eine Sekundärstrahlung umwandelt und das Strahlungskonversionselement die Sekundärstrahlung engwinklig abstrahlt.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    39.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    用于操作光电子器件的光电子器件和方法

    公开(公告)号：WO2017158004A1

    公开(公告)日：2017-09-21

    申请号：PCT/EP2017/056093

    申请日：2017-03-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  ENZMANN, Roland

    IPC: H01L33/48 ,  H01L25/16 ,  H01S5/022 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/026

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/167 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/0683

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20) weist ein Gehäuse (100) auf, in dem ein zur Emission von Nutzlicht ausgebildeter optoelektronischer Halbleiterchip (110) und ein Lichtdetektor (140) angeordnet sind. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Nutzlicht kann durch ein optisches Element (130) des optoelektronischen Bauelements aus dem Gehäuse austreten. Der Lichtdetektor ist vorgesehen, an dem optischen Element reflektiertes Nutzlicht zu detektieren.

    Abstract translation:

    一种光电子器件（10，20）具有壳体BEAR使用（100），其中一个训练有用的光的光电子半导体芯片（110）和一个光检测器（140）的发射被安排。 由光电子半导体芯片发射有用的光可以通过从壳体BEAR出口使用光电子部件的一个光学元件（130）而获得。 提供光检测器以检测在光学元件处反射的有用光。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    40.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2016202931A1

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：PCT/EP2016/063913

    申请日：2016-06-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RUDOLPH, Andreas ,  HALBRITTER, Hubert

    IPC: H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/06

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, umfassend: eine auf einer ersten Halbleiterschicht (11) epitaktisch aufgewachsene aktive Zone (2) mit zumindest zwei Quantentopfschichten (20) und zumindest einer zwischen den zumindest zwei Quantentopfschichten (20) angeordneten Barriereschicht (21), wobei - die Barriereschicht (21) mit X: Al y Ga 1-y As z P 1-z , wobei 0 ≤ γ ≤ 1 und 0 ≤ z ≤ 1, gebildet ist, wobei X ein Dotierstoff ist.

    Abstract translation: 它是指定的光电子半导体器件，包括：第一半导体层（11）上外延生长有源区（2）具有至少两个量子阱层（20）之间，至少一个所述至少两个量子阱层布置（20），阻挡层（21），其特征在于， - 阻挡层（21）与X：铝镓Ý1- yAszP1-z，其中0≤γ≤1和0≤1，形成≤z，其中X是一个掺杂剂。

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