Abstract:
Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Emittern (1) und einer Mehrzahl von optischen Elementen (2), wobei die Emitter entlang einer ersten Emitterrichtung (dE1) in einem ersten mittleren Emitterabstand (AE1) und entlang einer schräg oder senkrecht zur ersten Emitterrichtung verlaufenden zweiten Emitterrichtung (dE2) in einem zweiten mittleren Emitterabstand AE2 angeordnet sind, und wobei die optischen Elemente entlang einer ersten Optikrichtung (dO1) in einem ersten mittleren Optikabstand (AO1) und entlang einer schräg oder senkrecht zur ersten Optikrichtung verlaufenden zweiten Optikrichtung (dO2) in einem zweiten mittleren Optikabstand AO2 angeordnet sind, und wobei mindestens eine der folgenden vier Bedingungen erfüllt ist: (i) NE1 * AE1 * cos Ф = m2 * AO1, (ii) NE2 * AE2 * sin Ф = m4 * AO1, (iii) NE1 * AE1 * sin Ф = m1 * AO2 und (iv) NE2 * AE2 * cos Ф = m3 * AO2, wobei NE1 die Anzahl an Emittern entlang der ersten Emitterrichtung, NE2 die Anzahl an Emittern entlang der zweiten Emitterrichtung, Ф ein Winkel zwischen der ersten Emitterrichtung und der ersten Optikrichtung und m1, m2, m3 und m4 jeweils Faktoren sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Emittern und einer Mehrzahl von optischen Elementen angegeben.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Leuchtvorrichtung (1) mit einer Strahlungsquelle (2) und einem Konverterelement (4) sowie eine Innenraumverkleidung oder ein Verkleidungselement mit einer derartigen Leuchtvorrichtung (1). Die Leuchtvorrichtung (1) verfügt über wenigstens eine Strahlungsquelle (2) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung und über ein Konverterelement (4), auf das die elektromagnetische Strahlung in einem ersten Oberflächenbereich auftrifft und das angeregt durch die aufgetroffene elektromagnetischen Strahlung in zumindest einem zweiten Oberflächenbereich, der sich zumindest teilweise vom ersten Oberflächenbereich unterscheidet, sichtbares Licht in eine Umgebung emittiert, wobei sich die Wellenlänge des in die Umgebung emittierten Lichts von der Wellenlänge der auf das Konverterelement (4) aufgetroffenen elektromagnetischen Strahlung unterscheidet. Das Konverterelement (4) weist wenigstens ein Leuchtelement (5) auf, das über eine Textilie und/oder einen Kunststoff mit wenigstens einem Konvertermaterial (6) verfügt, wobei das Konvertermaterial (6) aufgrund einer Anregung durch die elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge sichtbares Licht mit einer sich von der ersten Wellenlänge unterscheidenden zweiten Wellenlänge emittiert.
Abstract:
Eine Laservorrichtung (10) umfasst einen Träger (11), ein auf dem Träger (11) angeordnetes optoelektronisches Bauelement (12), das dazu ausgebildet ist, Laserstrahlung zu emittieren, und ein optisches Element (14), das dazu ausgebildet ist, die von dem optoelektronischen Bauelement (12) emittierte Laserstrahlung zu formen,wobei das optische Element (14) eine erste, zumindest teilweise für die Laserstrahlung transparente Schicht (15) mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite, zumindest teilweise für die Laserstrahlung transparente Schicht (16) mit einem zweiten Brechungsindex aufweist,wobei die erste Schicht (15) auf das optoelektronische Bauelement (12) aufgebracht ist und eine Oberfläche (24) mit einer eingeprägten Struktur aufweist, und wobei die zweite Schicht (16) auf die Oberfläche (24) mit der eingeprägten Struktur der ersten Schicht (15) aufgebracht ist.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Emissionsseite (10), wobei die Emissionsseite eine Mehrzahl von Emissionsfeldern (11, 12) umfasst. Der Halbleiterchip umfasst reflektierende Trennwände (20) auf der Emissionsseite im Bereich zwischen zwei benachbarten Emissionsfeldern. Ferner umfasst der Halbleiterchip Konversionselemente (31, 32) auf zumindest einigen Emissionsfeldern. Die Konversionselemente umfassen jeweils ein Matrixmaterial (40) mit darin eingebrachten ersten LeuchtstoffPartikeln (41). Die ersten Leuchtstoffpartikel sind in dem Matrixmaterial derart sedimentiert, dass der Massenanteil der ersten Leuchtstoffpartikel in einem der Halbleiterschichtenfolge zugewandten unteren Bereich eines Konversionselements größer ist als im restlichen Bereich des Konversionselements.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Modul (10) angegeben mit: - einem Träger (11) mit einer Haupterstreckungsebene, - einem ersten Emissionsbereich (12) mit einer Vielzahl von Emittern erster Art (13), welche dazu ausgelegt sind im Betrieb des optoelektronischen Moduls (10) Licht mindestens eines vorgebbaren ersten Farbortes zu emittieren, - einem zweiten Emissionsbereich (14) mit einer Vielzahl von Emittern zweiter Art (15), welche dazu ausgelegt sind im Betrieb des optoelektronischen Moduls (10) Licht mindestens eines vorgebbaren zweiten Farbortes zu emittieren, und - einem dritten Emissionsbereich (16) mit einer Vielzahl von Emittern dritter Art (17), welche dazu ausgelegt sind im Betrieb des optoelektronischen Moduls (10) Licht mindestens eines vorgebbaren dritten Farbortes zu emittieren, wobei - die Emissionsbereiche (12, 14, 16) beabstandet zueinander auf dem Träger (11) angeordnet sind. Außerdem wird ein Anzeigeelement (20) mit einer Vielzahl optoelektronischer Module (10) angegeben.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Träger mit einer Oberfläche auf. Über der Oberfläche des Trägers sind reflektierende Barrieren ausgebildet. Die reflektierenden Barrieren unterteilen die Oberfläche des Trägers in Bildpunkte. Jeder Bildpunkt weist jeweils mindestens einen auf der Oberfläche des Trägers angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Hinterleuchtungseinrichtung, aufweisend mehrere in einer Ebene angeordnete Halbleiter-Lichtquellen zur Erzeugung von Lichtstrahlung und eine seitlich der Halbleiter-Lichtquellen angeordnete Seitenwand. Die Seitenwand ist geneigt zuder durch die Halbleiter-Lichtquellen vorgegebenen Ebene. Des Weiteren ist die Seitenwand an einer Seite, welche mit Lichtstrahlung der Halbleiter-Lichtquellen bestrahlbar ist, retroreflektierend. Die Erfindung betrifft fernereine Vorrichtung aufweisend eine solche Hinterleuchtungseinrichtung.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Klasseneinteilung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) für eine Bildsensoranwendung angegeben, wobei das Halbleiterbauelement (301) als Lichtquelle für einen Bildsensor (302) eingerichtet ist, mit den Schritten: - Bereitstellung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301), - Ermitteln zumindest eines der folgenden Parameter des vom Licht emittierenden Halbleiterbauelement (301) im Betrieb mit einem Emissionsspektrum emittierten Lichts: R = ∫ q R (λ) ⋅ S (λ) d λ ⋅ t exp , G = ∫ q G (λ) ⋅ S (λ) d λ ⋅ t exp , B = ∫ q B (λ) ⋅ S (λ) d λ ⋅ t exp , wobei q R (λ), q G (λ) und q B (λ) spektrale Empfindlichkeiten eines roten, grünen und blauen Farbkanals des Bildsensors (302) sind, S (λ) das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) ist, t exp eine Belichtungszeit ist und λ eine Wellenlänge bezeichnet, - Einteilung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) in eine Klasse aus einer Gruppe von Klassen, die durch verschiedene Wertebereiche zumindest eines Parameters charakterisiert sind, der von zumindest einem der Parameter R, G und B abhängt. Weiterhin wird eine Bildsensoranwendung angegeben.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform des Flächenlichtleiters (1) weist dieser zumindest eine als Abstrahlfläche gestaltete Hauptseite (2) sowie mindestens einen ersten Bereich (11) und mindestens einen zweiten Bereich (22) auf. In Draufsicht auf die Hauptseite (1) gesehen sind der erste (11) und der zweite Bereich (22) benachbart angeordnet. Ein mittlerer Lichtauskoppelkoeffizient des zweiten Bereichs (22) ist um mindestens einen Faktor 2 von einem mittleren Lichtauskoppelkoeffizienten des ersten Bereichs (11) verschieden. Für den ersten (11) und den zweiten Bereich (22) beträgt, jeweils in einer Richtung senkrecht zu der Hauptseite (2) gesehen, ein Trübheitswert höchstens 0,15 und ein Transmissionskoeffizient mindestens 0,70.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten, oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2), der eine aktive strahlungserzeugende Vertikalemitterschicht (3) aufweist und mindestens eine monolithisch integrierte Pumpstrahlungsquelle (5) zum optischen Pumpen des Vertikalemitterbereichs (2), die eine aktive strahlungserzeugende Pumpschicht (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Pumpschicht (6) der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet und es ist eine leitende Schicht (13) zwischen der Vertikalemitterschicht (3) und der Pumpschicht (6) vorgesehen. Weiterhin ist auf der Seite der Halbleiterlaservorrichtung, die sich näher an der Pumpschicht (6) als an der leitenden Schicht (13) befindet, ein Kontakt (9) aufgebracht. Zwischen diesem Kontakt (9) und der leitenden Schicht (13) ist ein elektrisches Feld zur Erzeugung von Pumpstrahlung (7) durch Ladungsträgerinjektion anlegbar.