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    ANORDNUNG MIT EINEM SUBSTRAT UND EINEM HALBLEITERLASER
    1.
    发明申请
    ANORDNUNG MIT EINEM SUBSTRAT UND EINEM HALBLEITERLASER 审中-公开
    与基材和半导体激光器结构

    公开(公告)号：WO2016174238A1

    公开(公告)日：2016-11-03

    申请号：PCT/EP2016/059674

    申请日：2016-04-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN, Roland ,  ARZBERGER, Markus

    IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/068

    CPC classification number: H01S5/02256 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/06825 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Substrat (23) und einem Halbleiterlaser (11), wobei das Substrat eine Oberseite (3), Seitenflächen (28, 29) und eine Unterseite (14) aufweist, wobei wenigstens eine erste Ausnehmung (7) in die Oberseite eingebracht ist, wobei der Halbleiterlaser in der Weise auf der Oberseite des Substrates angeordnet ist, dass ein Bereich der Seitenfläche (24) des Halbleiterlasers, über den elektromagnetische Strahlung abgegeben wird, über der ersten Ausnehmung angeordnet ist. Ein Vorteil der vorgeschlagenen Anordnung besteht darin, dass die vom Halbleiterlaser abgegebene elektromagnetische Strahlung weniger von dem Substrat beeinflusst wird. Eine Kontaktfläche (4) für einen elektrischen Anschluss (36) des Halbleiterlasers kann von der Oberseite des Substrates über die erste Ausnehmung bis zur Unterseite des Substrates geführt werden, so dass der elektrische Anschluss des Halbleiterlasers über die Unterseite des Substrates elektrisch kontaktiert werden kann.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括基片（23）和半导体激光器（11）的布置中，所述具有上表面（3），侧表面（28，29）和底部（14）基板，至少一个第一凹部（7）在 顶部被引入，其特征在于，该半导体激光器被布置在所述衬底的顶部这样的方式，使半导体激光器的侧表面（24）的一部分，经由电磁辐射发射的，被布置在所述第一凹部中。 所提出的布置的优点是，由半导体激光器发射的辐射，电磁辐射较少受到基板的影响。 的接触表面（4），用于半导体激光器的电连接（36）可从所述衬底的顶部经由第一凹部被传导到所述衬底的下侧，以使半导体激光器的在所述基板的下侧上的电连接可以被电接触。

    OPTOELEKTRONISCHES, LICHT-EMITTIERENDES BAUTEIL UND LEITERRAHMENVERBUND
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES, LICHT-EMITTIERENDES BAUTEIL UND LEITERRAHMENVERBUND 审中-公开
    光电，发光装置与导体FRAME复合

    公开(公告)号：WO2015039808A1

    公开(公告)日：2015-03-26

    申请号：PCT/EP2014/067092

    申请日：2014-08-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÖLLMER, Frank ,  ARZBERGER, Markus ,  SCHWIND, Michael ,  HÖFER, Thomas ,  HAUSHALTER, Martin ,  WIENGARTEN, Mario ,  ECKERT, Tilman

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58 ,  H01L33/64

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/4821 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L25/165 ,  H01L25/167 ,  H01L29/861 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

    Abstract: Die vorliegende Anmeldung betrifft ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (2) und einem Gehäuse (3), in dem der Halbleiterchip angeordnet ist, wobei - das Gehäuse einen Leiterrahmen (5) mit einem ersten Anschlussleiter (51) und einem zweiten Anschlussleiter (52) aufweist; - das Gehäuse einen den Leiterrahmen bereichsweise umgebenden Gehäusekörper (4) aufweist, wobei sich der Gehäusekör per in einer vertikalen Richtung zwischen einer Montageseite (42) und einer Vorderseite (41) erstreckt; - der erste Anschlussleiter eine Vertiefung (6) aufweist, in der der Halbleiterchip an dem ersten Anschlussleiter befestigt ist; - eine Seitenfläche (60) der Vertiefung einen Reflektor für die im Betrieb vom Halbleiterchip abgestrahlte Strahlung bildet; - der erste Anschlussleiter auf der Montageseite aus dem Gehäusekörper herausragt; und - der Halbleiterchip zumindest bereichsweise frei von einem an den Halbleiterchip angrenzenden Verkapselungsmaterial ist. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines Leiterrahmenverbunds angegeben.

    Abstract translation: 本申请涉及的光电子半导体器件（1），用于产生半导体芯片的辐射所提供的（2）和壳体（3），其中，所述半导体芯片被布置，其特征在于， - 所述外壳包括：（5），其具有第一连接导体的引线框架（51 ）和第二连接导体（52）; - 所述外壳包括引线框架部分围绕外壳主体（4），其中，所述Gehäusekör在安装侧（42）和一个前侧面（41）之间的垂直方向上延伸通过; - 所述第一连接导体具有其中半导体芯片被固定在第1端子导体的凹部（6）; - 所述凹陷的侧表面（60）形成用于从在操作过程中辐射的半导体芯片发射的光的反射器; - 在外壳主体的安装侧的第一连接导体突出; 和 - 所述半导体芯片是至少部分地从邻近半导体芯片封装材料的区域自由。 此外，提供了一种用于制造引线框的互连的方法。

    OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND TIEFENERFASSUNGSSYSTEM
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND TIEFENERFASSUNGSSYSTEM 审中-公开
    亚光电子设备和深检测系统

    公开(公告)号：WO2016189149A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：PCT/EP2016/062044

    申请日：2016-05-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  ARZBERGER, Markus ,  LINKOV, Alexander

    IPC: H01L33/58 ,  H01L33/08

    CPC classification number: H01L33/08 ,  G02B1/005 ,  G02B5/04 ,  G06T7/521 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/105 ,  H01L33/58

    Abstract: Eine optoelektronische Anordnung zur Erzeugung eines Lichtmusters umfasst einen Leuchtdiodenchip, der ausgebildet ist, an seiner Oberseite elektromagnetische Strahlung abzustrahlen, die an der Oberseite des Leuchtdiodenchips ein zweidimensionales Muster bildet. Die optoelektronische Anordnung umfasst außerdem ein optisch abbildendes Element, das ausgebildet ist, von dem Leuchtdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung in eine Umgebung der optoelektronischen Anordnung abzubilden.

    Abstract translation: 用于产生光图案的光电装置包括一个发光二极管芯片，其被设计成在其上侧，其形成在LED芯片的上表面上的两维图案发射电磁辐射。 所述光电子组件还包括被设计为在所述光电子装置的周围区域从LED芯片的电磁辐射发射的图像光的成像光学元件。

    DETEKTOR UND LIDAR-SYSTEM
    8.
    发明申请
    DETEKTOR UND LIDAR-SYSTEM 审中-公开
    探测器和雷达系统

    公开(公告)号：WO2016128436A1

    公开(公告)日：2016-08-18

    申请号：PCT/EP2016/052785

    申请日：2016-02-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BOESCKE, Tim ,  HALBRITTER, Hubert ,  HAUSHALTER, Martin ,  ARZBERGER, Markus

    IPC: G01S7/481 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/146

    CPC classification number: G01S7/4816 ,  H01L27/14607 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  Y02E10/50

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Detektor für ein Lidar-System. Der Detektor weist eine Reihe aus nebeneinander angeordneten strahlungsempfindlichen Pixeln auf. Die Pixel der Reihe weisen solche Konturen auf, dass gegenüberliegende Seiten von benachbarten Pixeln wenigstens teilweise abweichend von einer senkrechten Richtung zu einer Erstreckungsrichtung der Reihe verlaufen. Die Erfindung betrifft ferner ein Lidar-System mit einem solchen Detektor.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于激光雷达系统的检测器。 该检测器具有一系列并排设置的辐射敏感像素。 该行的像素具有这样的轮廓即相对的相邻像素的边从垂直的方向上的行的延伸方向延伸至少部分地偏离。 本发明还涉及具有这样的检测器的激光雷达系统。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITER-LASERELEMENTEN UND HALBLEITER-LASERELEMENT
    9.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITER-LASERELEMENTEN UND HALBLEITER-LASERELEMENT 审中-公开
    用于生产半导体激光器组件和半导体激光元件

    公开(公告)号：WO2014095903A1

    公开(公告)日：2014-06-26

    申请号：PCT/EP2013/076953

    申请日：2013-12-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN, Roland ,  HORN, Markus ,  GRAUL, Markus ,  VEIT, Thomas ,  DACHS, Jürgen ,  LISTL, Stefan ,  ARZBERGER, Markus

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323

    CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32333

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) eingerichtet undumfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), B) Bereitstellen eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.

    Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产半导体激光元件（1）的方法被布置并包括以下步骤：A）提供具有多个载波的载体组件（20）（2）为半导体激光元件（1），B）提供 具有多个半导体激光二极管的激光条（30）的（3），其包括共同的生长衬底（31）和一个在其上生长的半导体层序列（32），c）产生预定的断裂点（35）（从基板底部背对半导体层序列32）中的一个 （34）在生长衬底（31），D）安装在载体组件（20），其中所述连接在升高的温度下进行，并随后冷却的载波顶部（23），激光条（30），以及e）分离所述 半导体激光元件（1），其中，所述步骤B）中）给予到E的顺序被执行。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-LASERELEMENTS UND HALBLEITER-LASERELEMENT
    10.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-LASERELEMENTS UND HALBLEITER-LASERELEMENT 审中-公开
    用于生产半导体激光元件和半导体激光元件

    公开(公告)号：WO2014026951A1

    公开(公告)日：2014-02-20

    申请号：PCT/EP2013/066827

    申请日：2013-08-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN, Roland ,  HANEDER, Stephan ,  ARZBERGER, Markus ,  WALTER, Christoph ,  SWIETLIK, Tomasz ,  KÖNIG, Harald ,  FEHSE, Robin ,  KÄMPF, Mathias ,  GRAUL, Markus ,  HORN, Markus

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022

    CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte : A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter- Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.

    Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产半导体激光元件（1）的方法，包括以下步骤：A）提供至少一个承载组件（20），其具有多个载波的（2）（用于半导体激光元件1），C）提供至少 激光条（30），具有多个半导体激光二极管（3），其包括共同的生长衬底（31）和在所述载体组件的顶侧（23）附接在激光条（30）（一个在其上生长的半导体层序列（32），D）的 20），以及e）切割所述半导体激光元件（1）。 在这种情况下处理步骤E）如下的工序D）。

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