公开(公告)号：WO2020109530A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/EP2019/083046

申请日：2019-11-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin ,  BEHRES, Alexander ,  MOHAJERANI, Matin

IPC: H01S5/042

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (10, 30) weist eine erste Halbleiterschicht (101, 102) von einem p-Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (111, 112, 115) von einem n-Leitfähigkeitstyp sowie eine n-dotierte Stromverteilungsschicht (122), die ZnSe enthält und an die zweite Halbleiterschicht (111, 112, 115) angrenzt, auf.

公开(公告)号：WO2012069262A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/EP2011/068476

申请日：2011-10-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STAUSS, Peter ,  BEHRES, Alexander

Inventor： STAUSS, Peter ,  BEHRES, Alexander

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02543 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00

Abstract: Es ist ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) basierend auf dem Materialsystem AlInGaP angegeben, bei dem ein Aufwachssubstrat (2) bereitgestellt wird, das eine Siliziumoberfläche aufweist. Auf dem Aufwachssubstrat (2) wird ein kompressiv relaxierter Bufferschichtenstapel (3) aufgebracht. Auf dem Bufferschichtenstapel (3) wird der Halbleiterschichtenstapel (1) metamorph epitaktisch aufgewachsen. Der Halbleiterschichtenstapel (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht auf. Weiter ist ein Halbleiterchip (10) angegeben, der mittels eines derartigen Verfahrens hergestellt ist.

Abstract translation: 它被指定基于材料系统的AlInGaP制造具有半导体层堆叠（1），其中生长衬底提供了一种具有硅表面（2）的光电子半导体芯片（10）的方法。 上施加松弛缓冲层堆叠（3）的压缩生长衬底（2）。 在缓冲层堆叠（3）生长在半导体层堆叠（1）变质外延。 半导体层堆叠（1）具有用于产生辐射活性层中的开口。 接着，将半导体芯片（10）设置，它是由这样的方法制造。

公开(公告)号：WO2019115344A1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：PCT/EP2018/083789

申请日：2018-12-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  HERRMANN, Siegfried ,  BEHRES, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/22 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1) umfassend einen aktiven Bereich (13), der zur Emission einer Primärstrahlung (B) ausgebildet ist, und - einem ersten Konversionselement (4), das zur Konversion eines Teils der Primärstrahlung (B) zu einer ersten Sekundärstrahlung (G) ausgebildet ist, wobei - das erste Konversionselement (4) an einer Oberseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist, - das erste Konversionselement (4) als Körper ausgebildet ist, der den Halbleiterkörper (1) an seiner Oberseite (1a) zum Teil bedeckt, und - das erste Konversionselement (5) monolithisch mit dem Halbleiterkörper (1) verbunden ist.

公开(公告)号：WO2018095816A1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：PCT/EP2017/079616

申请日：2017-11-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  BEHRES, Alexander ,  KUNDALIYA, Darshan

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/08

Abstract: The invention refers to a method for producing at least one optoelectronic semiconductor component, the method comprising: - Providing a semiconductor layer sequence, comprises a first semiconductor material, which emits a first radiation in operation, - Applying a conversion element at least partially on the semiconductor layer sequence via a cold method, wherein the conversion element comprises a second semiconductor material, and wherein the second semiconductor material converts the first radiation into a second radiation in operation.

公开(公告)号：WO2022053406A1

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：PCT/EP2021/074389

申请日：2021-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES, Alexander ,  LAUER, Christian ,  HETZL, Martin

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend zumindest einen Schichtenstapel (2) aufweisend - eine aktive Zone (4) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, - zumindest eine aluminiumhaltige Stromeinengungsschicht (5), die einen ersten Bereich (5A) und einen zweiten Bereich (5B) umfasst, wobei der zweite Bereich (5B) eine geringere elektrische Leitfähigkeit aufweist als der erste Bereich (5A), und - eine Seitenfläche (2A), die den Schichtenstapel (2) lateral begrenzt und an der der zweite Bereich (5B) angeordnet ist, wobei der zweite Bereich (5B) ein oxidierter Bereich ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2016050605A2

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/EP2015/071996

申请日：2015-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES, Alexander ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  BLEICHER, Thomas ,  LAUX, Harald ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12

Abstract: Es wird ein Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten angegeben. Dabei wird in einem Schritt A ein Träger (1) bereitgestellt. In einem Schritt B wird zumindest ein Substrat (2) auf den Träger (1) aufgebracht. Ferner wird in einem Schritt C ein Aufwachsprozess ausgeführt, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge (20) auf eine dem Träger (1) abgewandte Hauptseite des Substrats (2) aufgewachsen wird. Die fertig gewachsene Halbleiterschichtenfolge (20) emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetischer Strahlung. In einem weiteren Schritt D wird ein Temperaturmessprozess durchgeführt, bei dem ein Temperaturprofil (3) des Substrats (2), welches während des Aufwachsprozesses in dem Substrat (2) auftritt, bestimmt wird. Zusätzlich wird ein Schritt E ausgeführt, bei dem der Träger (1) und/oder das Substrat (2) vor oder während des Aufwachsprozesses gezielt bearbeitet werden. Dadurch wird die Temperatur in ausgesuchten Bereichen des Substrats (2) verändert und ein Emissionssprofil der fertig gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (20) geglättet.

Abstract translation: 公开了一种用于半导体层的生长的方法。 在这种情况下，在步骤A中，载体（1）设置。 在步骤B中，至少施加在所述支承件（1）的基板（2）。 此外，在步骤C中，生长过程中进行，其中从该衬底（2）的所述支承件（1）主侧背离的半导体层序列（20）生长。 在电磁辐射的正常操作所发出的准备生长半导体层序列（20）。 在进一步的步骤D中，进行的温度测量方法，其中所述基板（2）的温度分布（3），其在所述基板（2）的生长过程中发生被确定。 此外，执行步骤E中，其中所述载体（1）和/或所述衬底（2）被选择性地之前或在生长过程中进行处理。 其特征在于所述温度在所述基板（2）的选择区域改变并且平滑Emissionssprofil完全生长的半导体层序列（20）。

公开(公告)号：WO2008014772A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/DE2007/001349

申请日：2007-07-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GRÖNNINGER, Günther ,  JUNG, Christian ,  HEIDBORN, Peter ,  BEHRES, Alexander

Inventor： GRÖNNINGER, Günther ,  JUNG, Christian ,  HEIDBORN, Peter ,  BEHRES, Alexander

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein LED-Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, die eine zur Erzeugung von Strahlung vorgesehene Quantenstruktur mit mindestens einer Quantenschicht und mindestens einer Barriereschicht umfasst, wobei die Quantenschicht und die Barriereschicht mit zueinander entgegengesetzten Vorzeichen verspannt sind.

Abstract translation: 它是设置有半导体层序列，其包括提供用于生成具有至少一个量子层辐射量子结构中的开口，和至少一个阻挡层，所述量子层和具有相互相反符号被夹持在阻挡层的LED半导体主体。

公开(公告)号：WO2020109534A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：PCT/EP2019/083052

申请日：2019-11-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER, Martin ,  HALBRITTER, Hubert ,  MOHAJERANI, Matin ,  BEHRES, Alexander

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen ersten Resonatorspiegel (110), einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (115), und einen zweiten Resonatorspiegel (120), die jeweils entlang einer ersten Richtung übereinander angeordnet sind. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst weiterhin eine Brechungsindexmodulationsschicht (133) innerhalb eines optischen Resonators zwischen dem ersten Resonatorspiegel (110) und dem zweiten Resonatorspiegel (120). Die Brechungsindexmodulationsschicht (133) weist erste Bereiche (136) eines ersten Materials mit einem ersten Brechungsindex sowie zweite Bereiche (138) eines zweiten Materials mit einem zweiten Brechungsindex auf, wobei die ersten Bereiche (136) in einer zur ersten Richtung senkrechten Ebene angrenzend an die zweiten Bereiche (138) angeordnet sind.

公开(公告)号：WO2019110737A1

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：PCT/EP2018/083816

申请日：2018-12-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES, Alexander ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/62 ,  H01L33/24 ,  H01L33/50

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte : A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer Aufwachsfläche (20), B) Wachsen von ersten Halbleitersäulen (31) zur Erzeugung einer ersten Strahlung an der Aufwachsfläche (20), C) nachfolgend Wachsen von zweiten Halbleitersäulen (32) zur Erzeugung einer zweiten Strahlung an der Aufwachsfläche (20), und D) Erstellen von elektrischen Kontaktierungen (4), sodass die ersten und zweiten Halbleitersäulen (31, 32) in den fertigen Halbleiterlichtquellen (1) unabhängig voneinander ansteuerbar sind und zu einstellbar farbig emittierenden Bildpunkten (5) gruppiert sind.

公开(公告)号：WO2014166766A2

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/EP2014/056331

申请日：2014-03-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOLLER, Andreas ,  BEHRES, Alexander

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4482 ,  B01D1/14 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Versorgen eines Prozesses mit einem angereicherten Trägergas, wobei eine erste Vorrichtung und eine zweite Vorrichtung vorgesehen sind, wobei die erste Vorrichtung einen Precursor aufweist und ausgebildet ist, um ein Trägergas mit dem Precursor in Kontakt zu bringen und mit dem Precursor anzureichern, wobei die zweite Vorrichtung einen Precursor aufweist und ausgebildet ist, um ein Trägergas mit dem Precursor in Kontakt zu bringen und mit dem Precursor anzureichern, wobei die erste Vorrichtung die zweite Vorrichtung mit einem angereicherten Trägergas versorgt, wobei die zweite Vorrichtung das angereicherte Trägergas für den Prozess bereitstellt, wobei eine Temperatur der ersten Vorrichtung abhängig von einer Menge an Precursor in der zweiten Vorrichtung gesteuert wird. Zudem betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zum Anreichern eines Trägergases mit einem Precursor und eine Steuerung zum Steuern des Verfahrens.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与富集载气，其中，设置在第一设备和第二设备，其中，所述第一设备包括一前体，并且被设计以使载气与前体接触前体供应处理 富集，其中所述第二装置包括一前体，并且被设计以使载气与前体接触，并与所述前体，其中所述第一设备提供所述第二设备与富集载气，其中所述第二装置中的富含载气，以丰富 提供的方法中，与所述第一装置的温度取决于在第二装置中的前体的量进行控制。 此外，本发明涉及一种装置，用于富集的载气与前体和用于控制过程的控制器。