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公开(公告)号：WO2013026655A1
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/EP2012/064894
申请日：2012-07-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KOPP, Fabian , LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , VIERHEILIG, Clemens , TAUTZ, Sönke
Inventor： KOPP, Fabian , LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , VIERHEILIG, Clemens , TAUTZ, Sönke
CPC classification number: G02B6/125 , H01L33/0045 , H01S5/0264 , H01S5/1017 , H01S5/1085 , H01S2301/166
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist. Das Halbleiterbauelement weist einen Wellenleiter (5) auf, der für eine laterale Führung der im aktiven Bereich erzeugten Strahlung vorgesehen ist und der sich zwischen einer Spiegelfläche (3) und einer Auskoppelfläche (4) erstreckt. Der Wellenleiter trifft senkrecht auf die Spiegelfläche und schließt mit einer Normalen der Auskoppelfläche einen spitzen Winkel ein.
Abstract translation: 提供了一种包括一个半导体主体（2）发射辐射的半导体器件（1），其中，所述半导体本体具有用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列。 该半导体器件包括一个波导（5），其被设置用于在有源区域中产生的辐射的侧向引导和反射镜表面（3）和输出表面（4）之间延伸。 波导垂直地撞击到镜面表面上并与一个垂直于输出表面形成锐角包括。
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公开(公告)号：WO2012045685A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/EP2011/067160
申请日：2011-09-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , BREIDENASSEL, Andreas , DINI, Dimitri , STRAUSS, Uwe
Inventor： LELL, Alfred , BREIDENASSEL, Andreas , DINI, Dimitri , STRAUSS, Uwe
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/026 , H01S5/0286 , H01S5/0425 , H01S5/1017 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/204 , H01S5/2202
Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserangegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der zumindest zwei in Querrichtung (101) nebeneinander angeordnete Streifenemitter (10) umfasst, wobei jeder Streifenemitter (10) zumindest eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Zone (2) umfasst; - zumindest zwei Facetten (11) an den aktiven Zonen (2), die zumindest einen Resonator (33) für zumindest einen der Streifenemitter (10) bilden; - zumindest zwei in der Querrichtung (101) voneinander beabstandete Kontaktflächen (3), die auf einer Außenfläche (12) des Halbleiterkörpers (1) angebracht sind, wobei - jedem Streifenemitter (10) eine Kontaktfläche (3) eindeutig zugeordnet ist, - über die Kontaktflächen (3) während des Betriebs des Halbleiterlasers (100) Strom in zumindest einen der Streifenemitter (10) eingeprägt wird, und - zumindest zwei der Streifenemitter (10) getrennt voneinander elektrisch betreibbar sind.
Abstract translation: 有一个边发射半导体激光器指示，具有 - 包括半导体主体（1），在横向方向上，所述至少两个（101）布置成通过侧条带发射极侧（10），每个带发射器（10）包括至少一个指定的用于将电磁辐射活性区的产生（2） ; - 至少两个刻面（11）上的有源区（2），形成至少一个用于带发射器中的至少一个（10）谐振器（33）; - 在横向方向的至少两个（101）间隔开，其安装在所述半导体主体（1），的外表面（12）的接触面（3） - 的接触面（3）被唯一地分配给每个条发射器（10）， - 在 半导体激光器的发射器条带中的至少一个（10）（100）的电流的操作期间接触表面（3）是深刻的印象，以及 - 从所述条带发射极彼此电操作的至少两个（10）隔开。
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33.发明申请
公开(公告)号：WO2009080012A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008/002127
申请日：2008-12-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , SCHMID, Wolfgang , TAUTZ, Sönke , REILL, Wolfgang , DINI, Dimitri
Inventor： LELL, Alfred , EICHLER, Christoph , SCHMID, Wolfgang , TAUTZ, Sönke , REILL, Wolfgang , DINI, Dimitri
CPC classification number: H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
Abstract: Eine Laserlichtquelle umfasst insbesondere eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einem aktiven Bereich (45) und einer Strahlungsauskoppelfläche (12) mit einem ersten Teilbereich (121) und einem davon verschiedenen zweiten Teilbereich (122), und eine Filterstruktur (5), wobei der aktive Bereich (45) im Betrieb kohärente erste elektromagnetische Strahlung (51) mit einem ersten Wellenlängenbereich und inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) mit einem zweiten Wellenlängenbereich erzeugt, die kohärente erste elektromagnetische Strahlung (51) entlang einer Abstrahlrichtung (90) vom ersten Teilbereich (121) abgestrahlt wird, die inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) vom ersten Teilbereich (121) und vom zweiten Teilbereich (122) abgestrahlt wird, der zweite Wellenlängenbereich den ersten Wellenlängenbereich umfasst und die Filterstruktur (5) die vom aktiven Bereich abgestrahlte inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung (52) entlang der Abstrahlrichtung (90) zumindest teilweise abschwächt.
Abstract translation: 特别是激光光源包括具有有源区（45）和具有第一部分（121）和不同的第二部分（122）辐射输出（12），和一个滤波器结构（5）的半导体层序列（10），其中所述有源区 （45）被操作为沿着从第一局部区域的辐射（90）的方向上产生相干的第一电磁辐射（51）和具有第二波长范围的第一波长范围内和非相干第二电磁辐射（52），所述相干的第一电磁辐射（51）（121） 被辐射，从所述第一部分（121）和所述第二部分（122）的非相干第二电磁辐射（52）被发射，所述第二波长范围包含所述第一波长范围和滤波器结构（5）从所述有源区的非相干的第二电磁辐射辐射（ 52）沿Abstrahlricht UNG（90）至少部分地衰减。
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34.发明申请
公开(公告)号：WO2003030221A3
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE2002/003667
申请日：2002-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , WEIMAR, Andreas
Inventor： HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , WEIMAR, Andreas
IPC: H01L21/285
Abstract: Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf der Basis eines Nitrid-Verbindungshalbleiters. In einem ersten Schritt des Verfahrens wird ein Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der mindestens einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält. Auf die Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers (1) wird in einem zweiten Schritt eine Metallschicht (7) aufgebracht. Nachfolgend wird in einem dritten Schritt der Halbleiterkörper (1) strukturiert, wobei ein Teil der Metallschicht (7) und Teile des darunterliegenden Halbleiterkörpers (1) abgetragen werden.
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公开(公告)号：WO2020078744A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/EP2019/076927
申请日：2019-10-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ALI, Muhammad , KÖNIG, Harald , GERHARD, Sven , LELL, Alfred
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von LaserStrahlung (L). Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist an einer Oberseite (20) eine geometrische Strukturierung (5) auf. Ein Resonator (4) liegt in der Halbleiterschichtenfolge (2) und ist von gegenüberliegenden Facetten (3) begrenzt, wobei die Facetten (3) optisch wirksame Resonatorendflächen (42) beinhalten. Die Strukturierung (3) endet von den Facetten (3) beabstandet. Die Resonatorendflächen (42) sind beabstandet von MaterialWegnahmen aus der Halbleiterschichtenfolge (2) heraus.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2018234068A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：PCT/EP2018/065185
申请日：2018-06-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , STOJETZ, Bernhard
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt, wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Oberflächenbereich (20) aufweist, auf dem in unmittelbarem Kontakt eine erste Mantelschicht (4) aufgebracht ist, wobei die erste Mantelschicht (4) ein transparentes Material aus einem von der Halbleiterschichtenfolge (2) verschiedenen Materialsystem aufweist und wobei die erste Mantelschicht (4) strukturiert ist und eine erste Struktur aufweist.
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公开(公告)号：WO2018219667A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：PCT/EP2018/062903
申请日：2018-05-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STOJETZ, Bernhard , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , GERHARD, Sven
IPC: H01S3/063 , H01S3/0941 , H01S5/04 , H01S5/10 , H01S5/026 , H01S5/40 , H01S3/16 , H01S5/02 , H01S5/022 , H01S5/042 , H01S3/094 , H01S5/028
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angeben, die einen ersten Resonator (1) und einen zweiten Resonator (2) aufweist, die parallele Resonatorrichtungen entlang einer longitudinalen Richtung (93) aufweisen und die monolithisch in die Halbleiterlaserdiode (100) integriert sind, wobei der erste Resonator (1) zumindest einen Teil einer Halbleiterschichtenfolge (12) mit einer aktiven Schicht (13) und einem aktiven Bereich (15) aufweist, der im Betrieb der Halbleiterlaserdiode (100) zur Erzeugung eines ersten Lichts (19) elektrisch gepumpt werden kann, die longitudinale Richtung (93) parallel zu einer Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht (13) ist, und der zweite Resonator (2) einen aktiven Bereich (25) mit einem laseraktiven Material (21) aufweist, das im Betrieb der Halbleiterlaserdiode (100) zur Erzeugung eines aus dem zweiten Resonator (2) teilweise nach außen abgestrahlten zweiten Lichts (29) durch zumindest einen Teil des ersten Lichts (19) optisch gepumpt werden kann.
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公开(公告)号：WO2018122103A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/EP2017/084144
申请日：2017-12-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , STOJETZ, Bernhard
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt, wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Oberflächenbereich (20) aufweist, auf dem in unmittelbarem Kontakt eine zusammenhängende Kontaktstruktur (4) aufgebracht ist, wobei die Kontaktstruktur (4) in zumindest einem ersten Kontaktbereich (241) ein erstes elektrisches Kontaktmaterial (41) in unmittelbarem Kontakt mit dem Oberflächenbereich (20) und in zumindest einem zweiten Kontaktbereich (242) ein zweites elektrisches Kontaktmaterial (42) in unmittelbarem Kontakt mit dem Oberflächenbereich (20) aufweist und wobei der erste und zweite Kontaktbereich (241, 242) aneinander angrenzen.
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公开(公告)号：WO2018011279A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/EP2017/067575
申请日：2017-07-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , STOJETZ, Bernhard
CPC classification number: H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/166 , H01S2301/18
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3) angegeben, die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt und wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Grabenstruktur (10) mit zumindest einem Graben (11, 12) oder einer Mehrzahl von Gräben (11, 12) zumindest auf einer Seite lateral neben dem aktiven Bereich (5) aufweist, wobei sich jeder Graben (11, 12) der Grabenstruktur (10) in longitudinaler Richtung (93) erstreckt und von einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) her in einer vertikalen Richtung (92) in die Halbleiterschichtenfolge (2) hineinragt und wobei die Grabenstruktur (10) in lateraler und/oder vertikaler und/oder longitudinaler Richtung (91, 92, 93) in Bezug auf Eigenschaften des zumindest einen Grabens (11, 12) oder der Mehrzahl von Gräben (11, 12) variiert.
Abstract translation:
本发明提供一种半导体激光二极管的半导体层序列（2）与活性层（3）具有主平面，并且适于（5）的光（8）在有源区中操作期间 以生成和导航用途辐射表面（6），其中所述有源区（5）Lichtauskoppelfl BEAR之一;经由Lichtauskoppelfl＆AUML表面（6）对导航用途berliegendenř导航用途ckseitenfl BEAR表面（7），用于Lichtauskoppelfl＆AUML;枝（6） 沿主延伸平面的纵向方向（93）延伸，并且其中所述半导体层序列（2）的严重结构（10），具有至少一个沟槽（11，12）或多个GR＆AUML;至少在一侧贲（11，12）横向相邻 具有在纵向方向（93）的严重结构（10）的有源区（5），其中，每个沟槽（11，12）和从该半导体层序列的顶部侧（20）（2）在垂直方向（92）来回 突出半导体层序列（2），并且其中相对于所述严重结构（10）在横向和/或垂直和/或纵向方向（91，92，93）到所述至少一个沟槽（11，12）或所述多个GR＆AUML的身份; 本（11,12）各不相同。
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公开(公告)号：WO2017055490A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/EP2016/073326
申请日：2016-09-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD, Sven , LELL, Alfred , VIERHEILIG, Clemens , LOEFFLER, Andreas
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/2222 , H01S2301/176
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer Ebene angeordnet ist, wobei die Schichtstruktur eine Oberseiteund vier Seitenflächen aufweist, wobei eine streifenförmige Ridgestruktur auf der Oberseiteder Schichtstruktur angeordnet ist, wobei sich die Ridgestruktur zwischen der ersten Seitenfläche und der dritten Seitenfläche erstreckt, wobei die erste Seitenfläche eine Abstrahlfläche für elektromagnetische Strahlung darstellt, wobei seitlich neben der Ridgestruktur in die Oberseiteder Schichtstruktur eine erste Ausnehmung eingebracht ist, wobei eine zweite Ausnehmung in die erste Ausnehmung eingebracht ist, und wobei die zweite Ausnehmung sich bis zu der zweiten Seitenfläche erstreckt.
Abstract translation: 本发明涉及一种带有用于产生电磁辐射，其中，所述有源区被布置在平面内的有源区的层结构的光电元件，其中所述层结构包括具有Oberseiteund四个侧面，其中，带状脊结构被布置在层结构的上表面，其中 脊形结构的第一侧表面和所述第三侧表面，其中所述第一侧表面是电磁辐射的发射，其中，第一凹槽的侧除了脊形结构在上表面层结构，其中的第二凹部设置在所述第一凹部由结合之间延伸 并且其中，所述第二凹部延伸到所述第二侧表面延伸。
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