公开(公告)号：WO2020094803A2

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/EP2019/080575

申请日：2019-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/042

Abstract: Der Diodenlaser (1000) umfasst einen Laserbarren mit einem Halbleiterkörper (1) und einer aktiven Schicht (11), wobei der Laserbarren mehrere Einzelemitter (2) aufweist. Zumindest einigen Einzelemittern sind jeweils ein Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement (21) zugeordnet, so dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter elektrischer Betriebsström I 0 vollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an dem Abschnitt ein Spannungsabfall U H auftritt und zumindest ein Teil dieses BetriebsStroms l 0 durch das zugeordnete Stromregelelement fließt und dabei einen elektrischen Widerstand R S erfährt. Bei den Einzelemittern ist das jeweils zugeordnete Stromregelelement so eingerichtet, dass der Widerstand Rg bei einer Betriebstemperatur T 0 einen positiven Temperaturkoeffizienten dR S /dT| T0 aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der Widerstand R S größer als |ΔU H /I 0 , wobei ΔU H die Änderung des Spannungsabfalls U H am zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters von einer Betriebstemperatur T 0 um 1 K ist.

公开(公告)号：WO2019053053A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：PCT/EP2018/074586

申请日：2018-09-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad ,  STOJETZ, Bernhard ,  KÖNIG, Harald

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/00 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/02476 ,  H01S5/005 ,  H01S5/4031

Abstract: Lichtemittierendes Halbleiterbauteil (99) mit einem Laserbarren (100), welcher zumindest zwei Einzelemitter (2) umfasst, und einem Konversionselement (300), welches dem Laserbarren (100) im Strahlengang nachgeordnet ist, bei dem zumindest manche der Einzelemitter (2) in einer lateralen Querrichtung (X) nebeneinander angeordnet sind, der Laserbarren (100) mit einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialgebildet ist, die Einzelemitter (2) dazu eingerichtet sind im bestimmungsgemäßen Betrieb Primärstrahlung (L1) zu emittieren und das Konversionselement (300) dazu eingerichtet ist zumindest einen Teil der Primärstrahlung (L1) in Sekundärstrahlung (L2) umzuwandeln, wobei die Sekundärstrahlung (L2) eine längere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung (L1).

公开(公告)号：WO2020120137A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：PCT/EP2019/082725

申请日：2019-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  SOMERS, André ,  KÖNIG, Harald ,  ALI, Muhammad

IPC: H01L33/64 ,  H01S5/042 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit: - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, und - einer metallischen Schicht (3), die auf dem Halbleiterchip (2) angeordnet ist, wobei - eine Außenfläche der metallischen Schicht (4) eine Strukturierung (5) aufweist, - mittels der Strukturierung (5) eine Identifikation des Bauteils (1) ermöglicht ist, und - die metallische Schicht (3) zusammenhängend ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2020094803A3

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/EP2019/080575

申请日：2019-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40

Abstract: Der Diodenlaser (1000) umfasst einen Laserbarren mit einem Halbleiterkörper (1) und einer aktiven Schicht (11), wobei der Laserbarren mehrere Einzelemitter (2) aufweist. Zumindest einigen Einzelemittern sind jeweils ein Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement (21) zugeordnet, so dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter elektrischer Betriebsstrom I 0 vollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an dem Abschnitt ein Spannungsabfall U H auftritt und zumindest ein Teil dieses Betriebsstroms l 0 durch das zugeordnete Stromregelelement fließt und dabei einen elektrischen Widerstand R S erfährt. Bei den Einzelemittern ist das jeweils zugeordnete Stromregelelement so eingerichtet, dass der Widerstand Rg bei einer Betriebstemperatur T 0 einen positiven Temperaturkoeffizienten dR S /dT| T0 aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der Widerstand R S größer als |ΔU H /I 0 , wobei ΔU H die Änderung des Spannungsabfalls U H am zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters von einer Betriebstemperatur T 0 um 1 K ist.

公开(公告)号：WO2021165269A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：PCT/EP2021/053787

申请日：2021-02-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALI, Muhammad ,  LELL, Alfred ,  KÖNIG, Harald

IPC: H01S5/00 ,  F21K9/61 ,  F21K9/64 ,  H01S5/02325 ,  H01S5/02326 ,  H01S5/024 ,  F21S41/16 ,  F21V8/00 ,  H01S5/40

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die strahlungsemittierende Vorrichtung (100) einen Laserbarren (1) zur Emission von Laserstrahlung, einen Wellenleiter (2) mit einem Kern (20), einem Mantel (21), einer Eintrittsfläche (22) und einer Austrittsfläche (23). Ferner umfasst die Vorrichtung eine Wärmesenke (3) mit einer Montageseite (30). Der Wellenleiter ist auf der Montageseite der Wärmesenke aufgebracht, wobei der Mantel in Bezug auf die Montageseite zumindest ober- und unterhalb des Kerns angeordnet ist. Die Vorrichtung ist so eingerichtet, dass die Laserstrahlung im Betrieb auf die Eintrittsfläche des Wellenleiters trifft und von da aus in den Kern gelangt. Der Kern umfasst ein Konversionselement (4), das im Betrieb die Laserstrahlung in eine Sekundärstrahlung konvertiert. Der Wellenleiter ist dazu eingerichtet, durch Reflexion an der Grenzfläche zwischen dem Mantel und dem Kern die Laserstrahlung und/oder die Sekundärstrahlung innerhalb des Kerns bis zur Austrittsfläche zu führen.

公开(公告)号：WO2019238767A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：PCT/EP2019/065369

申请日：2019-06-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/02

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung befindet. Ein Stegwellenleiter (3) ist als Erhebung aus der Halbleiterschichtenfolge (2) heraus gestaltet. Eine elektrische Kontaktschicht (5) befindet sich direkt am Stegwellenleiter (3). Ein metallischer elektrischer Anschlussbereich (6) befindet sich direkt an der Kontaktschicht (5) und ist zum externen elektrischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) eingerichtet. Eine metallische Brechbeschichtung (7) reicht direkt bis an Facetten (27) der Halbleiterschichtenfolge (2) heran und befindet sich an dem Stegwellenleiter (3). Die Brechbeschichtung (7) ist elektrisch funktionslos und weist eine niedrigere Schallgeschwindigkeit für eine Bruchwelle auf, als die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich des Stegwellenleiters (3).

公开(公告)号：WO2019215087A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：PCT/EP2019/061557

申请日：2019-05-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  ALI, Muhammad ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (2) angegeben mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb Laserstrahlung von einer Facette aussendet, und - einer ersten Passivierungsschicht (11), wobei - die Halbleiterschichtenfolge (3) einen Stegwellenleiter (5) aufweist, der eine Deckfläche (7) und daran angrenzende Seitenflächen (6) aufweist, - die erste Passivierungsschicht (11) die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) bereichsweise bedeckt, und - die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) bereichsweise frei von der ersten Passivierungsschicht (11) sind. Außerdem werden ein Laserbauteil und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiodeangegeben.

公开(公告)号：WO2019121407A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：PCT/EP2018/085005

申请日：2018-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) basierend auf dem Materialsystem AlInGaN mit mindestens einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung. Eine Wärmesenke (3) ist an die Halbleiterschichtenfolge (2) thermisch angebunden und weist zur Halbleiterschichtenfolge (2) hin einen thermischen Widerstand auf. Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist in mehrere Emitterstreifen (4) unterteilt und jeder Emitterstreifen (4) weist in Richtung senkrecht zu einer Strahlrichtung (R) eine Breite (b) von höchstens 0,3 mm auf. Die Emitterstreifen (4) sind mit einem Füllfaktor (FF) von kleiner oder gleich 0,4 angeordnet. Der Füllfaktor (FF) ist so eingestellt, dass im Betrieb Laserstrahlung mit einer maximalen optischen Ausgangsleistung (P) erzeugbar ist.

公开(公告)号：WO2020212221A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：PCT/EP2020/060014

申请日：2020-04-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALI, Muhammad ,  KOENIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  B23K26/06 ,  H01S5/00 ,  H01S5/024 ,  H01S5/323

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) einen Träger (4) sowie einen oder mehrere Laserbarren (2). Der zumindest eine Laserbarren (2) umfasst zumindest drei Einzellaser (22), die parallel zueinander angeordnet sind. Eine Umlenkoptik (3) ist den Einzellasern (22) gemeinsam nachgeordnet. Der mindestens eine Laserbarren (2) und die zugehörige Umlenkoptik (3) sind auf dem Träger (4) montiert und weisen einen Abstand zueinander von höchstens 4 mm auf.

公开(公告)号：WO2020187724A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/EP2020/056775

申请日：2020-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  KOENIG, Harald ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H04N9/31 ,  H01S5/40

Abstract: Beschrieben werden eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zur Projektion einer Mehrzahl von Strahlungspunkten auf eine Objektoberfläche (3) mit wenigstens einer Strahlungsquelle (1), die eine Mehrzahl von Emittern (2) zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung aufweist, mit wenigstens einem Strahlenweg (4), über den die zumindest zeitweise von den Emittern (2) emittierte Strahlung in Richtung auf die Objektoberfläche (3) gelenkt wird und mit einer Steuerung (5), die zur Veränderung wenigstens einer Eigenschaft der emittierten Strahlung die Strahlungsquelle (1) in Abhängigkeit eines auf der Objektoberfläche (3) zu erzeugenden Lichtobjekts ansteuert. Die Steuerung (5) ist derart ausgeführt, dass wenigstens zwei der Mehrzahl von Emittern (2) der Strahlungsquelle (1) jeweils einzeln zur Veränderung wenigstens einer Eigenschaft der emittierten Strahlung in Abhängigkeit des zu erzeugenden Lichtobjekts angesteuert werden und im Strahlenweg (4) ist wenigstens ein Optikelement (6) zur Formung, Lenkung und/oder Konvertierung der elektromagnetischen Strahlung angeordnet.