公开(公告)号：WO2011092072A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/EP2011/050541

申请日：2011-01-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin ,  HOEPPEL, Lutz ,  ILLEK, Stefan ,  BARCHMANN, Bernd ,  RODE, Patrick

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin ,  HOEPPEL, Lutz ,  ILLEK, Stefan ,  BARCHMANN, Bernd ,  RODE, Patrick

IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/22 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Gemäß zumindest einem Aspekt weist die Beleuchtungsvorrichtung einen vorderseitigen Träger (1), einen rückseitigen Träger (2) und eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (3) auf, die im Betrieb der Beleuchtungsvorrichtung Licht emittieren und Verlustwärme abgeben. Der rückseitige Träger (2) ist zumindest stellenweise von dem vorderseitigen Träger (1) bedeckt. Die Leuchtdiodenchips (3) sind zwischen dem rückseitigen Träger (2) und dem vorderseitigen Träger (1) angeordnet und von diesen mechanisch arretiert. Sie sind mittels des rückseitigen und/oder des vorderseitigen Trägers (1, 2) elektrisch kontaktiert. Der vorderseitige Träger (1) ist wärmeleitend mit den Leuchtdiodenchips (3) gekoppelt und weist eine von den Leuchtdiodenchips (3) abgewandte Lichtauskoppelfläche (101) auf, die zur Abgabe eines Teils der von den Leuchtdiodenchips (3) erzeugten Verlustwärme an die Umgebung ausgebildet ist.

Abstract translation: 提供了一种照明装置。 根据至少一个方面，所述照明装置具有前侧支架（1），后支撑（2）和多个发光二极管芯片（3），其发射光的照明装置的操作并且发射的热损失。 背部支撑件（2）是至少局部地从覆盖前支撑（1）。 LED芯片（3）被布置在后架（2）和前支撑（1）和通过将它们机械地锁定之间。 它们是由后和/或支撑的前侧的装置（1,2）被电接触。 前支撑（1）导热地连接到所述发光二极管芯片（3）和具有发光二极管芯片中的一个背离在其上的发光二极管芯片的一部分的输送产生的热损失的光输出表面（101）的距离（3）（3）形成在所述环境 ，

公开(公告)号：WO2011018411A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：PCT/EP2010/061446

申请日：2010-08-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  WIRTH, Ralph

Inventor： VON MALM, Norwin ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil angegeben, umfassend: einen Leuchtdiodenchip (1) mit zumindest zwei unabhängig voneinander betreibbaren Emissionsbereichen (2a, 2b), zumindest zwei unterschiedlich ausgestalteten Konversionselementen (31, 32), wobei jeder der Emissionsbereiche (2a, 2b) im Betrieb des Leuchtdiodenchips (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Primärstrahlung vorgesehen ist, jeder Emissionsbereich (2a, 2b) eine Emissionsfläche (21, 22) aufweist, durch welche zumindest ein Teil der Primärstrahlung aus dem Leuchtdiodenchips (1) ausgekoppelt wird, die Konversionselemente (31, 32) zur Absorption zumindest eines Teils der Primärstrahlung und zur Re-Emission von Sekundärstrahlung vorgesehen sind, die unterschiedlich ausgestalteten Konversionselemente (31, 32) unterschiedlichen Emissionsflächen nachgeordnet sind, einem elektrischen Widerstandselement (4), das zu zumindest einem der Emissionsbereiche (2a, 2b) in Reihe oder parallel geschaltet ist.

Abstract translation: 本发明提供一种发射辐射的半导体器件，包括：具有至少两个可独立操作的发射区域（2A，2B）中，至少两个不同设计的转换元件（31，32），每个发光区域的发光二极管芯片（1）（2A，2B）的操作期间 发光二极管芯片（1），用于产生电磁初级辐射被提供，每个发光区域（2A，2B），其具有出射面（21，22），通过该至少从LED芯片（1）被耦合出，所述转换元件（31，32中的初级辐射的部分 提供），用于吸收至少一个初级辐射的）不同的发射区的部分和（31不同配置的转换元件的次级辐射的再发射32被布置在下游的电阻元件（4）（到发射区域2a中的至少一个，2b）的 串联连接或并联连接。

公开(公告)号：WO2009039803A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/DE2008/001292

申请日：2008-08-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHINDLER, Florian ,  KRUMMACHER, Benjamin Claus ,  VON MALM, Norwin ,  BERBEN, Dirk ,  JERMANN, Frank ,  ZACHAU, Martin

Inventor： SCHINDLER, Florian ,  KRUMMACHER, Benjamin Claus ,  VON MALM, Norwin ,  BERBEN, Dirk ,  JERMANN, Frank ,  ZACHAU, Martin

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5265 ,  H01L27/322

Abstract: Ein optoelektronisches Bauteil umfasst eine organische Schichtenfolge (1), die im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung (15) mit einem ersten Wellenlängenspektrum abstrahlt sowie eine dielektrische Schichtenfolge (2) und einen Wellenlängenkonversionsbereich (3) im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge (1) abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15). Der Wellenlängenkonversionsbereich (3) ist eingerichtet, zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung mit dem ersten Wellenlängenspektrum in eine elektromagnetische Strahlung (16) mit einem zweiten Wellenlängenspektrum umzuwandeln. Die dielektrische Schichtenfolge (2) ist im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15) zwischen der organischen Schichtenfolge (1) und dem Wellenlängenkonversionsbereich (3) angeordnet und für eine elektromagnetische Strahlung mit einem dritten Wellenlängenspektrum, das zumindest einem Teil des zweiten Wellenlängenspektrums entspricht, wenigstens teilweise undurchlässig.

Abstract translation: 一种光电子器件，包括：发射具有在操作的第一波长光谱和介电层序列的电磁辐射（15）的有机层序列（1）（2）和波长变换部分（3）在有机层序列（1）的辐射的电磁的光束路径 辐射（15）。 波长转换部分（3）被布置，至少部分地，具有波长为电磁辐射（16）的第一频谱的电磁辐射到波长的第二光谱。 该介电层序列（2）被设置在由有机层序列发射的有机层序列（1）和波长转换部分（3）和用于电磁辐射具有第三波长光谱的电磁辐射（15）的光的光束路径中的至少所述第二部分 波长光谱对应于至少部分地不可渗透的。

公开(公告)号：WO2008119338A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/DE2008/000539

申请日：2008-03-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  KLEIN, Markus ,  BOLINK, Hendrik Jan

Inventor： VON MALM, Norwin ,  KLEIN, Markus ,  BOLINK, Hendrik Jan

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5052 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung gibt eine organische strahlungsemittierende Vorrichtung an, die ein Substrat, und zumindest eine strahlungsemittierende organische Schicht, die zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrodenschicht auf dem Substrat angeordnet ist, umfasst, wobei zwischen der ersten Elektrodenschicht und der strahlungsemittierenden organischen Schicht eine erste Ladungsträgertransportschicht angeordnet ist, die ein erstes Ladungsträgertransportmaterial und ein erstes Salz umfasst.

Abstract translation: 本发明的一个实施例提供了一种有机发射辐射的装置，其包括基底和至少一个发射辐射的有机层设置在第一和基底，其中第一所述第一电极层和发射辐射的有机层之间的第二电极层之间 载流子传输层，包括第一载流子传输材料和第一盐。

公开(公告)号：WO2023046373A1

公开(公告)日：2023-03-30

申请号：PCT/EP2022/072915

申请日：2022-08-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  HETZL, Martin ,  VARGA, Horst ,  BOESCKE, Tim

IPC: H01L31/167 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0203 ,  H02M3/335 ,  H01S5/42

Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung angegeben mit - einem Sender (1), der dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (2) zu emittieren und mit einer Eingangsspannung (UI) betrieben zu werden, - einem Träger (7) für den Sender (1), der eine Deckfläche (71) und eine Bodenfläche (72) aufweist,- einem ersten Empfänger (3), der dazu eingerichtet ist, zumindest einen Teil der elektromagnetischen Strahlung (2) zu empfangen und zumindest einen Teil einer Ausgangsspannung (UO) zu liefern, wobei - der Sender (1) zumindest einen Oberflächenemitter (10) umfasst, - der zumindest eine Oberflächenemitter (10) des Senders (1) an der Deckfläche (71) des Trägers (7) befestigt ist und zumindest einen Teil der elektromagnetischen Strahlung (2) durch den Träger (71) abstrahlt, - der erste Empfänger (3) zumindest eine Fotodiode (30) umfasst, und - der erste Empfänger (3) an der Bodenfläche (72) des Trägers (7) angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2023041429A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/EP2022/075098

申请日：2022-09-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  SCHOLZ, Dominik

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/48 ,  H01L33/38 ,  H01L33/486 ,  H01L33/647

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (10) mit einem ersten Bereich (101) einer ersten Leitfähigkeit, einem zweiten Bereich (102) einer zweiten Leitfähigkeit und einem aktiven Bereich (103) umfasst. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement (1) einen ersten metallischen Kühlkörper (21), einen zweiten metallischen Kühlkörper (22) und eine Dünnfilmisolationsschicht (30). Der erste Kühlkörper (21) und der zweite Kühlkörper (22) sind auf einer Montageseite (10A) des Halbleiterkörpers (10) angeordnet. Der erste Kühlkörper (21) kontaktiert den ersten Bereich (101) elektrisch. Die Dünnfilmisolationsschicht (30) isoliert den ersten Kühlkörper (21) von dem zweiten Kühlkörper (22) elektrisch. Die Dünnfilmisolationsschicht (30) steht in direktem Kontakt zu dem ersten Kühlkörper (21) und dem zweiten Kühlkörper (22). Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2017032605A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/EP2016/069069

申请日：2016-08-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  GÖÖTZ, Britta ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/58

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von lichtemittierenden Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Glaskapillare (2) aus einem Glasmaterial, B) Befüllen der Glaskapillare (2) mit Leuchtstoffen (3), C) Versiegeln der Glaskapillare (2) in einem Versieglungsbereich (22) durch Aufschmelzen des Glasmaterials, sodass die Glaskapillare (2) durch das Glasmaterial selbst verschlossen wird, und D) Anbringen der versiegelten Glaskapillare (2) an einen Leuchtdiodenchip (4), sodass im Betrieb die von dem Leuchtdiodenchip (4) emittierte Strahlung durch die Leuchtstoffe (3) in sichtbares Licht umgewandelt wird, wobei im Schritt C) ein Abstand zwischen dem Versieglungsbereich (22) und den Leuchtstoffen (3) bei höchstens 7 mm liegt, und wobei die verschiedenen Leuchtstoffe (3) entlang einer Längsachse (L) der Glaskapillare (2) voneinander getrennt vorliegen.

Abstract translation: 在一个实施方案中，用于制备半导体发光装置的过程中被布置并包括以下步骤：A）提供由玻璃材料制成的玻璃毛细管（2），B）的玻璃毛细管（2）与密封玻璃毛细管的荧光体（3），C）的填充（2 ）（在Versieglungsbereich 22）通过熔化玻璃材料，从而使玻璃毛细管（2）由玻璃材料自身闭合，以及D）将所述密封的玻璃毛细管（2）的发光二极管芯片（4），使得（从操作中的LED芯片 4）发射的辐射由磷光体（3）转化为可见光，被转换，其中，在步骤c）中的Versieglungsbereich之间（22）和荧光体的距离（3）是至多7毫米，其中，沿所述各个荧光体（3） 呈现相互分离的玻璃毛细管（2）的纵向轴线（L）。

公开(公告)号：WO2016193071A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/EP2016/061709

申请日：2016-05-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander F. ,  VON MALM, Norwin ,  GRÖTSCH, Stefan ,  PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) weist einen Halbleiterchip (1) auf, der in eine Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordnete, einzeln und unabhängig ansteuerbare Bildpunkte (10) untergliedert ist. Das Bauelement (100) umfasst weiter ein metallisches Verbindungselement (2) mit einer Oberseite (20) und einer Unterseite (21), wobei der Halbleiterchip (1) in einem Auflagebereich in direktem Kontakt mit der Oberseite (20) des Verbindungselements (2) ist und mit diesem mechanisch stabil verbunden ist. Das Verbindungselement (2) weist eine zusammenhängende metallische Verbindungsschicht (22) auf, die von einer Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordneten metallischen ersten Durchkontaktierungen(23) vollständig durchdrungen ist. Die Verbindungsschicht (22) schließt dabei in Richtung senkrecht zur lateralen Richtung bündig mit der Oberseite (20) und der Unterseite (21) ab. Die ersten Durchkontaktierungen (23) sind durch Isolationsbereiche (24) von der Verbindungsschicht (22) elektrisch isoliert und beabstandet. Jede erste Durchkontaktierung (24) ist ferner eindeutig einem Bildpunkt (10) zugeordnet, mit diesem Bildpunkt (10) elektrisch leitend verbunden und bildet einen ersten elektrischen Kontakt zu diesem Bildpunkt(10). Der Halbleiterchip (1) ist außerdem durch das Verbindungselement (2) mechanisch stabil und elektrisch leitend mit einem direkt an der Unterseite (21) des Verbindungselements (2) befindlichen Träger (3) verbunden.

Abstract translation: 光电子器件（100）包括被布置在多个横向相邻的彼此的半导体芯片（1），单独和独立可控图像元素（10）被分割。 所述装置（100）还包括连接元件的金属（2），其具有一个顶部（20）和底部（21），其中所述半导体芯片（1）是在支撑区域与所述连接元件的顶表面（20）的直接接触（2） 并且被连接到其机械性能稳定。 所述连接元件（2）具有完全由多个穿透的通孔（23）并置在横向方向上金属的第一连续的金属互连层（22）。 连接层（22），从而在包括垂直于所述横向方向与所述顶部（20）和从底部（21）齐平的方向。 所述第一通孔（23）被电通过连接层（22）的绝缘区域（24）绝缘并隔开。 每个第一通孔（24）也是显然与该象素（10）相关联的图像点（10）是导电连接，形成在该像点（10）的第一电接触。 在半导体芯片（1）还通过所述连接元件（2）是机械稳定的和导电地连接到一个直接在连接元件的下侧（21）（2）位于载体（3）。

公开(公告)号：WO2016131761A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/EP2016/053148

申请日：2016-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  SCHOLZ, Dominik ,  OTTO, Isabel ,  VON MALM, Norwin ,  ILLEK, Stefan

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02 ,  H01L33/486 ,  H01L2221/67 ,  H01L2933/0033

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben. Ein Verbund (1), der einen Träger (4) und eine Halbleiterschichtenfolge (2, 3) aufweist wird bereitgestellt. Trenngräben (17) werden in der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) entlang eines Vereinzelungsmusters (16) ausgebildet. Eine die Halbleiterschichtenfolge (2, 3) zu den Trenngräben (17) hin begrenzende Füllschicht (11) wird an einer dem Träger (4) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) aufgebracht. Ferner wird eine an die Füllschicht (11) grenzende Metallschicht (10) in den Trenngräben (17) aufgebracht. Durch Entfernen der an die Füllschicht (11) grenzenden Metallschicht (10) in den Trenngräben (17) werden die Halbleiterchips (20) vereinzelt. Die vereinzelten Halbleiterchips (20) weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) und der Füllschicht (11) auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种制造多个半导体芯片（10）的方法。 包含支撑件（4）和半导体层序列的复合物（1）（2，3），其具有设置。 分离沟槽（17）形成沿着分离图案（16）的半导体层序列（3 2）英寸 的半导体层序列（2，3），以从半导体层序列的所述支撑件（4）侧的背向所述隔离沟槽（17），限定所述填充层（11）（2，3）被应用。 此外，在分离槽（17）到所述填料层（11）的横沉积的金属层（10）。 通过去除填充层（11）的金属层（10）进入分离沟槽（17）上的接壤是分开的，在半导体芯片（20）。 单片化的半导体芯片（20）每个都具有在半导体层序列的一部分（2,3）和填料层（11）。 此外，半导体芯片（10）被指定。

公开(公告)号：WO2016078837A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/EP2015/073795

申请日：2015-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49827 ,  H01L31/101 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387

Abstract: Es wird ein Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Metallschicht (3) und einer zweiten Metallschicht (4) angegeben, wobei - die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterkörper und der zweiten Metallschicht angeordnet ist, - der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21) auf einer der ersten Metallschicht abgewandten Seite, eine zweite Halbleiterschicht (22) auf einer der ersten Metallschicht zugewandten Seite und eine zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht (23) aufweist, - das Bauelement eine Durchkontaktierung (24) aufweist, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht erstreckt, - die zweite Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen von dem ersten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandeten zweiten Teilbereich (42) aufweist, wobei der erste Teilbereich über die erste Metallschicht mit der Durchkontaktierung elektrisch verbunden ist, - und in Draufsicht die erste Metallschicht den Zwischenraum lateral vollständig bedeckt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有半导体主体（2），第一金属层的装置（3）和第二金属层（4），其中， - 在半导体本体和所述第二金属层之间的第一金属层设置， - 所述半导体本体中的第一半导体层（21） 在第一金属饰面层侧中的一个的第一金属层，第二半导体层（22）的一个侧遥控器上，并设置在所述第一半导体层和第二半导体层的有源层（23）之间， - 该组件具有一个孔（24） 通过间隙（40）横向间隔开的第二部分（42），其中，所述第二金属层的第一部分的第一部分区域（41）和一个 - 通过所述第二半导体层和有源层延伸穿过，以电接触所述第一半导体层， 通过第一金属的第一部分 层电连接到电镀穿通孔， - 和所述第一金属层完全在平面图中横向覆盖所述中间空间中。 此外，提供了一种用于制造这样的部件提供了一种方法。