Abstract:
A light emitting device is disclosed. In an embodiment a light-emitting device includes a pixel (1) comprising at least three sub-pixels (2, 3, 4), wherein a first sub-pixel (2) includes a first conversion element having a green phosphor, wherein a second sub-pixel (3) includes a second conversion element having a red phosphor and wherein a third sub-pixel (4) is free of a conversion element, the third sub-pixel configured to emit blue primary radiation, wherein each sub-pixel has an edge length of at most 100 pm.
Abstract:
A light-emitting device is described, the light-emitting device comprising a light-emitting semiconductor chip having a semiconductor layer sequence comprising at least one light- emitting semiconductor layer and a light-outcoupling surface, and a wavelength conversion layer arranged on the light-outcoupling surface, wherein the wavelength conversion layer comprises quantum dots. Furthermore, a method for manufacturing a light-emitting device is described.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein Konversionselement (2), das der Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) direkt nachgeordnet ist, wobei das Konversionselement (2) substratfrei ist und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes anorganisches Sol-Gel Material aufweist, das aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Wasserglas, Metallphosphat, Aluminiumphosphat, Monoaluminiumphosphat, Alkoxytetramethoxysilan, Tetraethylorthosilikat, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Titanalkoxid, Kieselsol, Metallalkoxid, Metalloxan, Metallalkoxan, Metalloxid, Metallsilikate, Metallsulphate, Wolframate, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht aufweist.
Abstract:
Eine Pulsoxymetrie-Vorrichtung umfasst eine Lichtemissionseinrichtung, die ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus einem ersten Wellenlängenintervall und Licht mit einer Wellenlänge aus einem zweiten Wellenlängenintervall zu emittieren, einen ersten Lichtdetektor, der ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem ersten Wellenlängenintervall zu detektieren, auf Licht mit einer Wellenlänge aus dem zweiten Wellenlängenintervall jedoch nicht anzusprechen, und einen zweiten Lichtdetektor, der ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem ersten Wellenlängenintervall und Licht mit einer Wellenlänge aus dem zweiten Wellenlängenintervall zu detektieren.
Abstract:
Es wird ein Optoelektronisches Bauteil angegeben, mit einer Leiterplatte (1), die eine Oberseite (1a) mit einen Chipanschlussbereich (10) aufweist, einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), der am Chipanschlussbereich (10) befestigt ist, einem Gehäusekörper (3), der an der Oberseite (1a) der Leiterplatte (1) an der Leiterplatte (1) befestigt ist und einen Reflektorbereich (30) aufweist, wobei der Reflektorbereich (30) eine Öffnung (31) im Gehäusekörper (3) umfasst, in der der optoelektronische Halbleiterchips (2) angeordnet ist, und der Gehäusekörper (3) mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist, das im Reflektorbereich (30) zumindest stellenweise metallisiert ist.
Abstract:
Es wird ein Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2) und einer Konverterschicht (3) angegeben, bei dem die Konverterschicht Leuchtstoffpartikel (3L) und ein elektrisch leitfähiges Matrixmaterial (3M) aufweist, wobei die Leuchtstoffpartikel in dem Matrixmaterial eingebettet sind. Die Konverterschicht ist auf dem Halbleiterkörper angeordnet und weist eine Mehrzahl von räumlich beabstandeten, individuell elektrisch kontaktierbaren Teilschichten (30) auf. Der Halbleiterkörper weist eine aktive Zone (23) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung auf, wobei die Teilschichten der Konverterschicht zur lokalenelektrischen Kontaktierung der aktiven Zone eingerichtet sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
Abstract:
Es wird eine Leuchtstoffmischung umfassend: - einen ersten Leuchtstoff (1), der ein Emissionsspektrum (2) mit einer FWHM-Breite (3) zwischen einschließlich 70 Nanometer und einschließlich 150 Nanometer aufweist und elektromagnetische Strahlung aus dem grünen Spektralbereich aussendet, - einen zweiten Leuchtstoff (4), der ein Emissionsspektrum (5) mit einer FWHM-Breite (6) zwischen einschließlich 1 Nanometer und einschließlich 40 Nanometer aufweist und elektromagnetische Strahlung aus dem roten Spektralbereich aussendet, und - einen dritten Leuchtstoff (7), der ein Emissionsspektrum (13) mit einer FWHM-Breite (8) zwischen einschließlich 25 Nanometer und einschließlich 100 Nanometer aufweist und elektromagnetische Strahlung aus dem orange-roten Spektralbereich aussendet, angegeben. Weiterhin werden eine weitere Leuchtstoffmischung, ein Konversionselement und ein optoelektronisches Bauelement angegeben.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, ein Konversionselement (2), das Quantenpunkte (3) aufweist und die zur Wellenlängenkonversion von Strahlung eingerichtet sind, wobei die Quantenpunkte (3) jeweils einen wellenlängenkonvertierenden Kern (31) und eine anorganische Verkapselung (4) aufweisen, wobei die anorganische Verkapselung (4) das Matrixmaterial zumindest benachbarter Quantenpunkte (3) bildet, wobei benachbarte Quantenpunkte (3) einen Abstand von minimal 10 nm und/oder maximal 15 nm aufweisen.
Abstract:
Es wird ein Bauelement angegeben, das aus einem Träger und einem lichtemittierenden Chip-Bauteil besteht, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteileine Lichtaustrittsfläche aufweist und auf einer Montagefläche des Trägers angebracht ist. Der Trägerweist eine Reflexionsfläche auf, die teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene, die durch die Montagefläche definiert wird, angeordnet ist. Die Lichtaustrittsfläche ist der Reflexionsfläche zugewandt, der Träger ist einstückig ausgeführt. Das lichtemittierende Chip-Bauteil kann eine Laserdiode oder einen Laserdiodenbarren aufweisen.
Abstract:
Ein Verfahren zur Verspiegelung von Mantelflächen von optischen Bauelementen (1) für die Verwendung in optoelektronischen Halbleiterkörpern umfasst einen Schritt A), in dem eine Mehrzahl von optischen Bauelementen (1) auf einem Träger (2) angeordnet wird, wobei jedes Bauelement (1) eine Vorderseite (16), eine der Vorderseite (16) gegenüberliegende Rückseite (12) und quer zur Vorderseite (16) verlaufende Seitenflächen (15) aufweist. In einem Schritt B) wird eine Opferschicht (3) auf jedes Bauelement (1) aufgebracht, sodass bei jedem Bauelement (1) die Vorderseite (16) zumindest teilweise von der Opferschicht (3) überdeckt wird. In einem Schritt C) wird eine Spiegelschicht (4) auf die Bauelemente (1) aufgebracht, sodass die Spiegelschicht (4) die Opferschicht (3) und alle nicht vom Träger (2) bedeckten Seiten eines jeden Bauelements (1) zumindest teilweise überdeckt. In einem Schritt D) werden die Opferschicht (3) und die darauf befindliche Spiegelschicht (4) von der Vorderseite (16) eines jeden Bauelements (1) abgetragen, wobei die Spiegelschicht (4) auf den übrigen, zuvor von der Spiegelschicht (4) überdeckten Seiten der Bauelemente (1) verbleibt.