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    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT SCHUTZSCHALTUNG
    2.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT SCHUTZSCHALTUNG 审中-公开
    具有保护开关的光电子器件

    公开(公告)号：WO2014049154A2

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：PCT/EP2013/070280

    申请日：2013-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK, Stefan ,  NAGEL, Peter

    IPC: H01L25/16

    CPC classification number: H05B33/083 ,  H01L23/34 ,  H01L25/162 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/15 ,  H01L29/866 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0066 ,  H05B33/089 ,  H01L2924/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und ein optoelektronisches Bauelement mit wenigstens einem ersten Träger (1) mit wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden (2) und/oder mit zwei ersten Trägern mit jeweils einer Licht emittierenden Diode (2), wobei jede Diode (2) zwei elektrische Anschlüsse (4, 5) aufweist, wobei jeder elektrische Anschluss (4, 5) zu einer Kontaktfläche (7, 8) geführt ist, wobei die Kontaktflächen (7, 8) auf einer Unterseite (6) eines ersten Träger (1) angeordnet sind, mit einem zweiten Träger (9), wobei im zweiten Träger (9) wenigstens zwei Z-Dioden (10) angeordnet sind, wobei die Z-Dioden (10) weitere elektrische Anschlüsse (11, 12) aufweisen, wobei jeder weitere elektrische Anschluss (11, 12) zu einer weiteren Kontaktfläche (13, 14) geführt ist, wobei die weiteren Kontaktflächen (13,14) auf einer Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) angeordnet sind, wobei der erste Träger (1) und/oder die ersten Träger (1) mit der Unterseite (6) auf der Oberseite (16) des zweiten Träger (9) aufliegen und mit dem zweiten Träger (9) fest verbunden sind, wobei die Z-Dioden (10) antiparallel zu den Dioden (2) angeordnet sind, wobei eine elektrische Leitung (15) vorgesehen ist, die die Z- Dioden (10) in einer Serienschaltung verbindet, und wobei die Kontaktflächen (7, 8) einer Diode (2) mit den weiteren Kontaktflächen (13, 14) einer Z-Diode (10) elektrisch in Kontakt stehen.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法以及一种光电子器件，该光电子器件具有至少一个第一保持器（1）和至少两个发光二极管（2）和/或两个第一保持器 每个具有发光二极管2，每个二极管2具有两个电端子4,5，每个电端子4,5通向接触表面7,8， ，其中所述接触表面（7,8）布置在第一载体（1）的下侧（6）上，与第二载体（9）一起，其中在所述第二载体（9）中至少两个 其中Z型二极管（10）被布置，其中Z型二极管（10）的另外的电端子（11,12），其中每个另外的电连接（11,12）到另一个接触表面（13,14） 其中所述另外的接触表面（13,14）布置在所述第二门（13,14）的上侧（16）上。 具有下侧（6）的第一载体（1）和/或第一载体（1）搁置在第二载体（9）的上侧（16）上并且与 第二Tr的AUML; GER（9）被牢固地连接，其中所述Z-二极管（10）与在所述二极管（2），其特征在于，提供了一种电线（15），所述齐纳二极管（10），其设置在反平行 串联连接，并且其中二极管（2）的接触表面（7,8）与齐纳二极管（10）的其他接触表面（13,14）电接触。

    OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN MODULS
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN MODULS 审中-公开
    光电模块和方法用于制造光电模块

    公开(公告)号：WO2013178469A1

    公开(公告)日：2013-12-05

    申请号：PCT/EP2013/060053

    申请日：2013-05-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK, Stefan

    IPC: H01L33/62

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/64 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

    Abstract: Ein optoelektronisches Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216) weist mindestens einen Halbleiterchip (104) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (118) auf. Der Halbleiterchip (104) weist eine Schicht einer ersten Leitfähigkeit (120), insbesondere einer p- Leitfähigkeit, eine Schicht einer zweiten Leitfähigkeit (124), insbesondere einer n-Leitfähigkeit, eine Abstrahlfläche (108) und eine der Abstrahlfläche (108) gegenüberliegende Kontaktfläche (106) auf. Auf der Abstrahlfläche (108) ist ein Kontakt (110, 117) aufgebracht. Ein Rahmen (103) aus Vergussmasse (102) umschließt den Halbleiterchip (104) seitlich zumindest bereichsweise derart, dass die Abstrahlfläche (108) und die Kontaktfläche (106) im Wesentlichen frei von Vergussmasse (102) sind. Eine erste Kontaktstruktur (114), ist zumindest bereichsweise auf dem Rahmen (103) und zumindest bereichsweise auf der Kontaktfläche (106) angeordnet und dient zur elektrischen Kontaktierung der Schicht einer ersten Leitfähigkeit (120). Eine zweite Kontaktstruktur (116, 138) ist zumindest bereichsweise auf dem Rahmen (103) und zumindest bereichsweise auf dem Kontakt (110, 117) der Abstrahlfläche (108) angeordnet und dient zur elektrischen Kontaktierung der Schicht einer zweiten Leitfähigkeit (124).

    Abstract translation: 一种光电模块（202，204，206，208，210，212，214，216）具有用于电磁辐射（118）的发射的至少一个半导体芯片（104）。 半导体芯片（104）包括第一导电率（120）的层，特别是p型导电性，第二导电性（124）构成的层，尤其是n型导电性，发光面（108）和所述接触表面相对的出射面（108） （106）上。 于发射表面（108），接触（110，117）被应用。 从在区域密封化合物（102）包围所述半导体芯片（104）横向地至少一个帧（103），使得所述出射面（108）和接触表面（106）是从浇铸化合物（102）基本上不含。 第一接触结构（114）至少部分设置在所述框架（103）和至少部分地在接触表面（106）上，并且用于第一导电类型（120）的层的电接触。 第二接触结构（116，138）至少部分地在框架（103）和至少部分地在接触（110，117）设置在所述辐射表面（108）上，并且用于第二导电（124）的层的电接触。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
    光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件

    公开(公告)号：WO2013083334A1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：PCT/EP2012/071577

    申请日：2012-10-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STEGMEIER, Stefan ,  WEIDNER, Karl ,  ILLEK, Stefan ,  WEGLEITER, Walter

    IPC: H01L33/64 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

    CPC classification number: H01L33/644 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) auf. An einer Montageseite (20) ist ein Halbleiterchip (3) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung angebracht. Mindestens ein Konversionselement (4) zur wenigstens teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung, die eine größere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung, ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht. Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet eine Wärmeleitstruktur (5) zur Entwärmung des Konversionselements (4). Die Wärmeleitstruktur (5) befindet sich außerhalb des Konversionselements (4) und steht mindestens stellenweise in direktem Kontakt zu dem Konversionselement (4).

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，在载体上的光电子半导体器件（1）（2）。 用于产生电磁初级辐射的半导体芯片（3）安装在安装侧（20）。 对于初级辐射的至少部分转化成具有不同于原辐射长的波长的二次辐射的至少一个转换元件（4），被安装在半导体芯片的辐射出射侧（30）（3）。 的半导体器件（1）包括用于（4）的转换元件的散热的热传导结构（5）。 所述热传导结构（5）位于所述转换元件（4）的外部，并且至少局部地以与转换元件（4）直接接触。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    方法用于生产至少一个光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2012123410A1

    公开(公告)日：2012-09-20

    申请号：PCT/EP2012/054270

    申请日：2012-03-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERRMANN, Siegfried ,  ILLEK, Stefan

    Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  ILLEK, Stefan

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L24/19 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen zumindest einer optoelektronischen Struktur (2) umfassend einen Aufwachsträger (1) und eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem aktiven Bereich (23), die auf dem Aufwachsträger (1) epitaktisch abgeschieden ist, Bereitstellen eines Trägers (4), Aufbringen der zumindest einen optoelektronischen Struktur (2) auf den Träger (4) mit ihrer dem Aufwachsträger (1) abgewandten Seite, Beschichten der zumindest einen optoelektronischen Struktur (2) mit einem Schutzmaterial (5), wobei das Schutzmaterial (5) die dem Träger (4) abgewandte Außenfläche des Aufwachsträgers (1) sowie Seitenflächen des Aufwachsträgers (1) und der Halbleiterschichtenfolge (20) bedeckt, Ablösen des Aufwachsträger (1) von der Halbleiterschichtenfolge (20) der zumindest einen optoelektronischen Struktur (2).

    Abstract translation: 提供了一种用于产生至少一个光电子半导体芯片，包括以下步骤提供一种：提供至少一个光电子结构（2）包括具有上Aufwachsträger的有源区（23）一Aufwachsträger（1）和半导体层序列（20）（1） 外延沉积，提供载体（4），所述支撑件（4），其在Aufwachsträger（1）相反的一侧将所述至少一个光电结构（2），涂覆所述至少一个光电结构（2）用保护材料（5 盖），其中，从所述Aufwachsträgers的外表面背对所述保护材料（5）（载体4）（1）和Aufwachsträgers（1）和半导体层序列（20）的侧表面上，剥离Aufwachsträger的（1）（的至少半导体层序列20）的 光电子结构（2）。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
    OPTO电子元件

    公开(公告)号：WO2010034279A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：PCT/DE2009/001222

    申请日：2009-08-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan

    Inventor： ILLEK, Stefan

    IPC: H01S5/183 ,  H01S5/04

    CPC classification number: H01S5/183 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18 ,  H01S5/4031

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben, mit - einer optischen Pumpvorrichtung (2), die eine erste strahlungserzeugende Schicht (21) und eine erste Strahlungsaustrittsfläche (2a) an der Oberseite (2b) der Pumpvorrichtung (2) umfasst, wobei im Betrieb der Pumpvorrichtung (2) erzeugte elektromagnetische Strahlung (7) quer, insbesondere zumindest teilweise nicht senkrecht, zur ersten strahlungserzeugenden Schicht (21) durch die erste Strahlungsaustrittsfläche (2a) aus der Pumpvorrichtung (2) ausgekoppelt wird, und - einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchip (1) mit einer reflektierenden Schichtenfolge (14), insbesondere einem Bragg-Spiegel, und einer zweiten strahlungserzeugenden Schicht (11), wobei - der oberflächenemittierende Halbleiterlaserchip (1) an der Oberseite (2b) der Pumpvorrichtung (2) befestigt ist, und - die reflektierende Schichtenfolge (14) zwischen der ersten Strahlungsaustrittsfläche (2a) und der zweiten strahlungserzeugenden Schicht (11) angeordnet ist.

    Abstract translation: 本发明提供一种光电器件，包括： - 光抽运器件（2）在顶部，其包括第一辐射产生层（21）和第一辐射出射表面（2A）（2B）的泵装置（2），其特征在于，（所述泵送装置的操作期间 2）产生的电磁辐射（7）横向地，特别是至少部分地不垂直，由所述泵装置（2）的第一辐射出射表面（2a）的第一辐射产生层（21）被耦合出，以及 - 一种表面发射半导体激光器芯片（1）具有反射 层序列（14），特别是布拉格反射镜，以及第二辐射产生层（11），其中 - 所述表面在顶部发射半导体激光器芯片（1）（2b）的泵装置（2）是固定的，以及 - 在所述反射层序列（14） 第一辐射出射表面（2a）和所述第二辐射产生层（11）之间是安排 吨。

    OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT MONOLITHISCH INTEGRIERTEM PUMPLASER
    10.
    发明申请
    OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT MONOLITHISCH INTEGRIERTEM PUMPLASER 审中-公开
    WITH单片集成泵浦激光器面发光半导体激光器

    公开(公告)号：WO2009109166A2

    公开(公告)日：2009-09-11

    申请号：PCT/DE2009/000268

    申请日：2009-02-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LINDBERG, Hans ,  ILLEK, Stefan

    Inventor： LINDBERG, Hans ,  ILLEK, Stefan

    IPC: H01S5/183

    CPC classification number: H01S5/0657 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/34

    Abstract: Es wird ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10), der eine aktive Zone (1) mit einer Quantentopfstruktur aufweist, wobei die Quantentopfstruktur mehrere Quantentöpfe (2) enthält, die jeweils aus einer zwischen Barriereschichten (4) angeordneten Quantentopfschicht (3) gebildet sind, und einem monolithisch in den Halbleiterkörper (10) integrierten Pumplaser (6), der Pumpstrahlung zum optischen Pumpen der aktiven Zone (1) emittiert, angegeben. Dabei bildet die Pumpstrahlung ein Modenprofil (21) in dem Halbleiterkörper (10) aus und die Quantentöpfe (2) sind derart voneinander beabstandet, dass sie jeweils im Bereich eines Maximums (22) des Modenprofils (21) der Pumpstrahlung angeordnet sind.

    Abstract translation: 它是一种表面发射半导体激光器包括具有（1）具有量子阱结构，其中该量子阱结构包括多个量子阱（2），其被布置在每个由一个阻挡层（4）之间的量子阱层的有源区的半导体本体（10）（3）形成 和在半导体本体中单片集成用于光学泵浦所述活性区（1）的泵辐射的发射指定（10）抽运激光器（6）。 泵浦辐射使得在半导体本体（10）和所述量子阱（2）的模式简档（21）彼此，使得其泵浦辐射都是在模式简档（21）的最大值（22）的区域中分别布置间隔开。

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