公开(公告)号：FR2992103A1

公开(公告)日：2013-12-20

申请号：FR1255719

申请日：2012-06-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  BAR PIERRE ,  DUSSOPT LAURENT

IPC: H01Q23/00 ,  H01L23/522

Abstract: La structure intégrée tridimensionnelle comprend un élément support (ES), un dispositif de liaison (DL) connecté à l'élément support (ES) par des premiers moyens de connexion électriquement conducteurs (CNX1), un circuit intégré (CI) disposé entre l'élément support (ES) et le dispositif de liaison (DL) et connecté au dispositif de liaison par des deuxièmes moyens de connexion électriquement conducteurs (CNX2), une région de comblement (RCM) s'étendant entre les deuxièmes moyens de connexion électriquement conducteurs et entre le dispositif de liaison et le circuit intégré, et des moyens formant antenne comportant un élément rayonnant (ERY) en couplage électromagnétique avec un élément d'excitation (EXC) par l'interconnexion d'une fente (FNT), les moyens formant antenne étant répartis sur le dispositif de liaison et le circuit intégré.

公开(公告)号：FR2991108A1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：FR1254786

申请日：2012-05-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JOBLOT SYLVAIN ,  BAR PIERRE

IPC: H01P3/00 ,  H05K1/18 ,  H05K3/30

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré dans un substrat semiconducteur (101) comportant des vias traversants et une ligne coplanaire, comprenant les étapes suivantes : former des composants actifs (103) et un ensemble de niveaux de métallisation avant ; graver simultanément par la face arrière un trou (111) d'un via traversant et une tranchée (112) traversant le substrat sur au moins 50 % de sa hauteur ; revêtir d'un matériau conducteur (116) les parois et le fond du trou et de la tranchée ; et combler le trou et la tranchée d'un matériau de comblement isolant (120) ; et former une ligne coplanaire (124, 125, 126) s'étendant sur la face arrière du substrat, en regard de la tranchée et parallèlement à celle-ci, de telle sorte que les conducteurs latéraux (125, 126) de la ligne coplanaire soient électriquement connectés au matériau conducteur revêtant les parois de la tranchée.

公开(公告)号：FR2978295A1

公开(公告)日：2013-01-25

申请号：FR1156516

申请日：2011-07-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/70 ,  H01L23/522

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une structure portant des niveaux d'interconnexion (3, 5) sur sa face avant et sur sa face arrière et comprenant une pluralité de vias traversants, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : former des niveaux d'interconnexion (3, 5) sur les deux faces d'une tranche de silicium (1) ; former, par gravure, des ouvertures dans la structure à partir de l'une de ses faces jusqu'à atteindre la limite entre la tranche de silicium (1) et les niveaux d'interconnexion de l'autre face de la structure ; et recouvrir le fond et les parois des ouvertures d'au moins une couche d'un matériau conducteur (57).

公开(公告)号：FR2976120A1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1154824

申请日：2011-06-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JOBLOT SYLVAIN ,  BAR PIERRE

IPC: H01L21/70

Abstract: Circuit intégré d'une plaque de silicium sur isolant, et procédé de fabrication correspondant, comportant au dessus d'un support semi-conducteur , au moins un guide d'ondes coplanaire (CPW), au moins une liaison traversante électriquement conductrice (TSV) débouchant sur la face du support opposée à celle supportant le guide d'ondes coplanaire et traversant le support semi-conducteur, et au moins une tranchée (CL) disposée sous le guide d'ondes s'étendant sur au moins toute la longueur du guide d'ondes et ayant sensiblement la même profondeur que ladite liaison traversante électriquement conductrice.

公开(公告)号：FR2951024B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：FR0956858

申请日：2009-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  PETIT DAVID ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01L41/22 ,  H03H9/15

公开(公告)号：FR2951027A1

公开(公告)日：2011-04-08

申请号：FR0956872

申请日：2009-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  PETIT DAVID ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01L41/22 ,  H03H9/15

Abstract: L'invention concerne un résonateur BAW (11) comportant, entre un résonateur piézoélectrique (15) et un substrat (13) : un miroir de Bragg (17) comprenant une alternance de couches de tungstène (7a) et de couches d'oxyde de silicium (7b) ; et du côté du substrat, au moins une couche (19) en un premier matériau absorbant pour les ondes acoustiques et présentant une impédance acoustique inférieure à celle du tungstène.