公开(公告)号：FR2976720A1

公开(公告)日：2012-12-21

申请号：FR1155193

申请日：2011-06-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/52

Abstract: Dispositif de liaison pour structure intégrée tridimensionnelle, comprenant au moins un module (MD) ayant une première face d'extrémité (FAX1) destinée à être en regard d'un premier élément de la structure et une deuxième face d'extrémité (FAX2) destinée à être placée en regard d'un deuxième élément de la structure, les deux faces d'extrémité étant sensiblement parallèles et le module comportant au moins un substrat (SB1, SB2, SB3) ayant une face (FS1, FS2, FS3) sensiblement perpendiculaire auxdites deux faces d'extrémité et supportant un motif électriquement conducteur formé dans au moins un niveau de métallisation au dessus de ladite face et enrobé dans une région isolante, ledit motif électriquement conducteur (MTF1, MTF2, MTF3) comportant au moins une première partie d'extrémité débouchant sur la première face d'extrémité et au moins une deuxième partie d'extrémité débouchant sur la deuxième face d'extrémité et reliée à ladite première partie d'extrémité.

公开(公告)号：FR2966982A1

公开(公告)日：2012-05-04

申请号：FR1058826

申请日：2010-10-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01P3/08

Abstract: L'invention concerne une ligne de transmission formée dans un dispositif comprenant un empilement de première (C1) et seconde (C2) puces accolées par leurs faces avant et dans lequel une couche (29) en un matériau de remplissage sépare la face avant de la première puce de la face avant de la seconde puce, cette ligne comprenant : un ruban conducteur (8) formé du côté de la face avant de la première puce dans au moins un niveau de métallisation de la première puce ; et un plan de masse (7) en un matériau conducteur formé du côté de la face avant de la seconde puce dans au moins un niveau de métallisation de la seconde puce.

公开(公告)号：FR2976402A1

公开(公告)日：2012-12-14

申请号：FR1154916

申请日：2011-06-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOLBOT SYLVAIN ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: Structure d'interconnexion électrique pour circuit intégré, comprenant au moins un substrat (1) ayant des première et deuxième faces (10, 11) opposées et comprenant au moins : - une cavité (2) ouverte vers ladite première face (10) définissant au moins une première région (12) située sous la cavité (2) et une deuxième région (13) d'épaisseur (E2) supérieure à celle (E1) de la première région (12) ; - une liaison électrique d'un premier type (3) traversant l'épaisseur (E1) de la première région (12) et débouchant sur la deuxième face (11) du substrat (1) ; et - une liaison électrique d'un deuxième type (4) s'étendant le long de la surface interne de la cavité (2), et reliant la liaison électrique du premier type (3) à la deuxième région (13) au niveau d'une zone d'accueil (130) d'au moins un circuit intégré (5) située sur la première face (10) du substrat (1).

公开(公告)号：FR2969398A1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR1060851

申请日：2010-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  PRUVOST SEBASTIEN ,  GARCIA PATRICE ,  BUSSON PIERRE ,  DAUTRICHE PIERRE

IPC: H01Q15/14 ,  H01Q21/06 ,  H01Q23/00

Abstract: L'invention concerne un émetteur/récepteur à ondes millimétriques comprenant une plaque formant interposeur (3) dont la face supérieure porte un réseau d'interconnexions (4) et dont la face inférieure est destinée à être montée sur une carte de circuit imprimé (25) par des billes (21) ; une puce de circuit intégré (1) montée sur la face supérieure de l interposeur ; des antennes (30) constituées de pistes formées sur la face supérieure de l'interposeur ; et des réflecteurs (32) sur la face supérieure de la carte de circuit imprimé en regard de chacune des antennes, la distance effective entre chaque antenne et la plaque de réflecteur étant de l'ordre du quart de la longueur d'onde (λ/4), en tenant compte des constantes diélectriques des matériaux interposés.

公开(公告)号：FR2968456A1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：FR1060193

申请日：2010-12-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  COFFY ROMAIN ,  SAUGIER ERIC

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/58

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré protégé contre les rayonnements HF comprenant une puce de circuit intégré (11) dont une première face comprend un réseau de métallisation (12) ; un cadre isolant (14) solidaire de la puce et de même épaisseur que celle-ci ; une couche métallique (16) revêtant l'ensemble de la puce et du cadre du côté de la deuxième face de la puce ; et des vias conducteurs (17) régulièrement répartis connectant la couche métallique (16) à des plots conducteurs (22) formés à la périphérie du cadre, du côté de la première face.

公开(公告)号：FR2968129A1

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：FR1059917

申请日：2010-11-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： JOBLOT SYLVAIN ,  FARCY ALEXIS ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  BAR PIERRE

IPC: H01L23/50 ,  H01G4/236 ,  H01G4/33 ,  H01L21/48

Abstract: Dispositif semi-conducteur et procédé pour sa fabrication, dans lesquels une plaquette diélectrique (17) est munie, au-dessus d'une face avant (10a), d'un moyen de connexion électrique avant (13) comprenant une portion de connexion électrique (14) parallèle à cette face avant, un trou borgne (21) traversant la plaquette et découvrant au moins partiellement une face arrière de la portion de connexion électrique (14) étant aménagé. Un condensateur traversant (30) est formé dans le trou borgne (21) et comprend une couche conductrice (24) couvrant la paroi latérale et la portion de connexion électrique (14) et formant une électrode externe (32), une couche intermédiaire diélectrique (27) couvrant la couche conductrice ci-dessus (24) et formant une membrane diélectrique (33), et un matériau conducteur de remplissage (28a, 29a), remplissant au moins partiellement la couche intermédiaire diélectrique (27) et formant une électrode interne (34). Un moyen de connexion électrique arrière (35) est relié à l'électrode interne (34).

公开(公告)号：FR2951023B1

公开(公告)日：2012-03-09

申请号：FR0956849

申请日：2009-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01L41/22 ,  H01L21/66 ,  H03H9/15

公开(公告)号：FR2951026A1

公开(公告)日：2011-04-08

申请号：FR0956868

申请日：2009-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： PETIT DAVID ,  JOBLOT SYLVAIN ,  BAR PIERRE ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  DAUTRICHE PIERRE

IPC: H01L41/22 ,  H03H9/15

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche sur laquelle sont formés des résonateurs (11), chaque résonateur comportant, au dessus d'un substrat semiconducteur (3), un empilement de couches comprenant, dans l'ordre à partir de la surface du substrat : un miroir de Bragg (7) ; une couche de compensation (13) en un matériau ayant un coefficient de température de la vitesse acoustique de signe opposé à celui de l'ensemble des autres couches de l'empilement ; et un résonateur piézoélectrique (5), ce procédé comportant les étapes successives suivantes : a) déposer la couche de compensation (13) ; et b) réduire les inégalités d'épaisseur de la couche de compensation liées au procédé de dépôt, de sorte que cette couche présente une même épaisseur à mieux que 2 % près, et de préférence à mieux que 1 % près, au niveau de chaque résonateur BAW.

公开(公告)号：FR2951024A1

公开(公告)日：2011-04-08

申请号：FR0956858

申请日：2009-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  PETIT DAVID ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01L41/22 ,  H03H9/15

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche sur laquelle sont formés des résonateurs BAW (31), chaque résonateur comportant : au dessus d'un substrat (3), un résonateur piézoélectrique (5), et à côté du résonateur piézoélectrique, un plot de contact relié à une électrode du résonateur piézoélectrique ; et entre le résonateur piézoélectrique et le substrat, un miroir de Bragg (37), comportant au moins une couche conductrice (37b) s'étendant entre ledit au moins un plot et le substrat (3), et au moins une couche d'oxyde de silicium (37a) s'étendant entre le plot et le substrat, ce procédé comportant les étapes suivantes : déposer la couche d'oxyde de silicium (37a) ; et réduire les inégalités d'épaisseur de cette couche (37a) liées au procédé de dépôt, de sorte qu' elle présente une même épaisseur à mieux que 2 % près, et de préférence à mieux que 1 % près, au niveau de chaque plot.

公开(公告)号：FR2973608A1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：FR1152729

申请日：2011-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  UNIV GRENOBLE 1

Inventor： CIVET YOAN ,  CASSET FABRICE ,  BASROUR SKANDAR ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H03H9/15 ,  H03H3/007 ,  H03H9/02

Abstract: L'invention concerne un procédé d'ajustement de la fréquence de résonance d'un élément vibrant, comprenant des étapes de mesure de la fréquence de résonance de l'élément vibrant (11), de détermination à l'aide d'abaques et en fonction de la fréquence de résonance mesurée, des dimensions et une position d'au moins une zone d'épaisseur modifiée à former sur l'élément vibrant pour que la fréquence de résonance de celui-ci corresponde à une fréquence de consigne, et former sur l'élément vibrant, une zone d'épaisseur modifiée aux dimensions et position déterminées.