Dispositif à couplage de charges
    34.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3108784A1

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:FR2003147

    申请日:2020-03-30

    Inventor: ROY FRANCOIS

    Abstract: Dispositif à couplage de charges La présente description concerne un dispositif (100) à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées (123) pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur (101), le réseau comprenant des rangées d'électrodes longitudinales (123) et transversales alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale (123) d'une rangée étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale adjacentes de ladite rangée ; et des murs (126) d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales, les murs (126) pénétrant verticalement dans le substrat (101) plus profondément que les électrodes longitudinales (123) et au moins deux rangées adjacentes d'électrodes (123) étant disposées entre chaque deux murs (126) successifs. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

    PIXEL DE DETECTION DE TEMPS DE VOL
    35.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3065320B1

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:FR1753344

    申请日:2017-04-18

    Inventor: ROY FRANCOIS

    Abstract: L'invention concerne un capteur de détection de temps de vol comprenant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant une zone photosensible (PD) et au moins deux ensembles (Qi) comprenant chacun : une zone de stockage de charges (memi) ; un transistor de transfert (Tmem-j) adapté à contrôler des transferts de charges de la zone photosensible (PD) vers la zone de stockage de charges ; et un moyen de lecture (Vri, 23, 25, LECT) apte à mesurer de manière non-destructive la quantité de charges stockée dans la zone de stockage.

    CAPTEUR D'IMAGE DE TRES FAIBLES DIMENSIONS

    公开(公告)号:FR2930676A1

    公开(公告)日:2009-10-30

    申请号:FR0852759

    申请日:2008-04-24

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'image formé dans un empilement semiconducteur d'une région inférieure d'un premier type de conductivité (27) et d'une région supérieure d'un second type de conductivité (25), comprenant : une photodiode constituée d'une première portion dudit empilement ; une zone de lecture constituée d'une deuxième portion dudit empilement ; une tranchée à parois isolées (31, 45) remplie d'un matériau conducteur (35), la tranchée entourant la photodiode et la zone de lecture et étant interrompue, sur toute sa hauteur, sur une partie en regard de la photodiode et de la zone de lecture ; et un premier moyen de connexion associé au matériau conducteur de la tranchée et adapté à être connecté à une tension de polarisation de référence.

    DISPOSITIF ELECTRONIQUE CAPTEUR D'IMAGES

    公开(公告)号:FR3069371A1

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:FR1756836

    申请日:2017-07-19

    Inventor: ROY FRANCOIS

    Abstract: Dispositif électronique, capteur d'images, comprenant : une première partie (2) incluant une plaquette de substrat (4) pourvue d'un côté de circuits électroniques (6) et d'une couche diélectrique (7) incluant un réseau de connexions électriques (8) et présentant une face (5) pourvue de contacts électriques (10) ; et une deuxième partie (3) apte à générer des signaux électriques sous l'effet de la lumière, sous la forme de pixels, incluant une plaquette de substrat (11) pourvue d'un côté de circuits électroniques (13) et d'une couche diélectrique (14) incluant un réseau de connexions électriques (15), présentant une face (16) pourvue de contacts électriques (17) et, de l'autre côté, d'une plaquette secondaire (19) déterminant lesdits pixels. Lesdites faces (9, 16) et lesdits contacts électriques (10, 17) sont accolés. Des plots de connexion extérieure (22) aménagés dans des trous (21) de ladite plaquette secondaire (19) sont reliés audit réseau (15) de ladite deuxième partie (3).

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN CAPTEUR D'IMAGE A SURFACE COURBE.

    公开(公告)号:FR2989519A1

    公开(公告)日:2013-10-18

    申请号:FR1253425

    申请日:2012-04-13

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant les étapes suivantes : former des structures élémentaires d'un capteur d'image (48) sur la première face d'un substrat semiconducteur (30) ; reporter une poignée (52) sur ladite première face ; définir des tranchées dans la poignée (52), lesdites tranchées formant un motif dans la poignée ; et reporter, sur un support courbe en creux (60) le dispositif obtenu, du côté de la face libre de la poignée (52), ledit motif étant choisi en fonction de la forme de la surface du support (60).

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