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    Dispositif à couplage de charges
    1.
    发明专利
    Dispositif à couplage de charges 未知

    公开(公告)号：FR3108784B1

    公开(公告)日：2022-04-01

    申请号：FR2003147

    申请日：2020-03-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/148

    Abstract: Dispositif à couplage de charges La présente description concerne un dispositif (100) à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées (123) pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur (101), le réseau comprenant des rangées d'électrodes longitudinales (123) et transversales alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale (123) d'une rangée étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale adjacentes de ladite rangée ; et des murs (126) d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales, les murs (126) pénétrant verticalement dans le substrat (101) plus profondément que les électrodes longitudinales (123) et au moins deux rangées adjacentes d'électrodes (123) étant disposées entre chaque deux murs (126) successifs. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

    DISPOSITIF ELECTRONIQUE CAPTEUR D'IMAGES
    3.
    发明专利
    DISPOSITIF ELECTRONIQUE CAPTEUR D'IMAGES 未知

    公开(公告)号：FR3074962A1

    公开(公告)日：2019-06-14

    申请号：FR1761836

    申请日：2017-12-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  CHHUN SONARITH

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Dispositif électronique, capteur d'images, et procédé de fabrication, dans lesquels : une plaquette de substrat semiconducteur (2), en silicium, comprend des portions (5) distantes les unes des autres en formant des passages traversants (6), des circuits électroniques (18) et une couche diélectrique (19) incluant un réseau de connexions électriques (20), sont situés au-dessus de la face arrière de ladite plaquette de substrat, des remplissages (12) conducteurs de l'électricité sont contenus dans lesdits passages traversants, ces remplissages comprenant des couches d'un métal (12b) et étant reliés au réseau de connexions électriques (20), des couches diélectriques (9, 10) d'anti-diffusion du tungstène des remplissages dans le silicium desdites portions de la plaquette de substrat, comprenant des couches intérieures (9) situées dans les passages traversants entre les flancs (7) desdites portions (5) et les remplissages (12), et des couches arrière (10) joignant les couches intérieures (9).

    PIXEL DE DETECTION DE TEMPS DE VOL
    5.
    发明专利
    PIXEL DE DETECTION DE TEMPS DE VOL 未知

    公开(公告)号：FR3065320A1

    公开(公告)日：2018-10-19

    申请号：FR1753344

    申请日：2017-04-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

    Abstract: L'invention concerne un capteur de détection de temps de vol comprenant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant une zone photosensible (PD) et au moins deux ensembles (Qi) comprenant chacun : une zone de stockage de charges (memi) ; un transistor de transfert (Tmem-j) adapté à contrôler des transferts de charges de la zone photosensible (PD) vers la zone de stockage de charges ; et un moyen de lecture (Vri, 23, 25, LECT) apte à mesurer de manière non-destructive la quantité de charges stockée dans la zone de stockage.

    PROCEDE DE FORMATION DE TRANCHEES D'ISOLEMENT
    6.
    发明专利
    PROCEDE DE FORMATION DE TRANCHEES D'ISOLEMENT 未知

    公开(公告)号：FR3019937A1

    公开(公告)日：2015-10-16

    申请号：FR1453230

    申请日：2014-04-11

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： AHMED NAYERA ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L21/763 ,  H01L21/308

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d une tranchée d'isolement comprenant les étapes successives suivantes : a) former, sur un substrat semiconducteur (3), une première structure de masquage (25, 21) comprenant une couche (21) d'un premier matériau gravable sélectivement, et graver une tranchée (27) dans le substrat ; b) former un revêtement isolant (29) sur les parois de la tranchée et remplir la tranchée de silicium polycristallin dopé (31) ; c) former un bouchon d'oxyde de silicium (33) pénétrant dans la tranchée sensiblement jusqu'au niveau de la surface supérieure du substrat et dépassant au-dessus de la surface supérieure du substrat ; et d) éliminer la couche du premier matériau.

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