公开(公告)号：FR3012672A1

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：FR1360742

申请日：2013-10-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  DELALLEAU JULIEN ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire (C31) comprenant une grille de sélection verticale (SG) s'étendant dans une tranchée (10) pratiquée dans un substrat, une grille flottante (FG) s'étendant au-dessus du substrat, et une grille de contrôle horizontale (CG) s'étendant au-dessus de la grille flottante (FG), dans laquelle la grille flottante (FG) s'étend également au-dessus d'une partie de la grille de sélection verticale (SCG) sur une distance de recouvrement (Dov) non nulle. Application notamment à la réalisation d'une cellule mémoire à grille divisée programmable par injection d'électrons chauds.

公开(公告)号：DE602006003605D1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：DE602006003605

申请日：2006-09-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： BOUCHAKOUR RACHID ,  BIDAL VIRGINIE ,  CANDELIER PHILIPPE ,  FOURNEL RICHARD ,  GENDRIER PHILIPPE ,  LAFFONT ROMAIN ,  MASSON PASCAL ,  MIRABEL JEAN-MICHEL ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/788

Abstract: The memory point has a floating gate (103) placed above a P-type semiconductor substrate (100) and comprising a central portion (110) and end portions (111, 112) respectively insulated from the substrate by a thin insulating layer (102) and an insulating area (107). The central portion is by majority doped with P-type doping and the end portions comprise N-type doped zone constituting a part of a PN junction. The end portions form electron wells so that electrons injected into the gate are stored at level of the end portions.

公开(公告)号：FR2891398A1

公开(公告)日：2007-03-30

申请号：FR0552849

申请日：2005-09-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： BOUCHAKOUR RACHID ,  BIDAL VIRGINIE ,  CANDELIER PHILIPPE ,  FOURNEL RICHARD ,  GENDRIER PHILIPPE ,  LAFFONT ROMAIN ,  MASSON PASCAL ,  MIRABEL JEAN MICHEL ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: L'invention concerne un point mémoire non volatil incluant une grille flottante placée au-dessus d'un substrat semiconducteur, la grille flottante comprenant des portions actives isolées du substrat par des couches isolantes fines, et des portions inactives isolées du substrat par des couches isolantes épaisses non traversables par des électrons, les portions actives étant majoritairement dopées de type P et les portions inactives comprenant au moins une zone dopée de type N constituant une partie d'une jonction PN.