公开(公告)号：FR3074605B1

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：FR1761625

申请日：2017-12-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE ,  MARZAKI ABDERREZAK

IPC: G11C16/22 ,  H01L21/71 ,  H01L21/8249 ,  H01L23/58

Abstract: Circuit intégré comportant un substrat semi-conducteur (S), réalisé au dessus d'une couche semi-conductrice enterrée (1) et comportant au moins un dispositif (DIS) de détection d'un amincissement éventuel du substrat (S) par sa face arrière (Fr) comportant un tampon non-inverseur (TNI) comportant une borne d'entrée (BE) et une borne de sortie (BS) et alimenté entre une borne d'alimentation (BV) et une borne de référence (BR), la couche semiconductrice enterrée (1) comportant la borne d'alimentation (BV), des moyens de contrôle (CTRL) configurés pour, dans une première configuration du tampon non inverseur (TNI), délivrer un signal d'entrée (SE) dans un premier état à la borne d'entrée (BE), et pour générer un premier signal de contrôle correspondant à une détection d'un amincissement du substrat (S) si le signal délivré par la borne de sortie (BS) est dans un deuxième état différent du premier état.

公开(公告)号：FR3081241A1

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：FR1854118

申请日：2018-05-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE ,  ORDAS THOMAS ,  LINGE YANIS ,  FORT JIMMY

IPC: G06F21/81 ,  G06F21/77

Abstract: Procédé de gestion de la tension d'alimentation d'un module d'un circuit intégré (CI), dans lequel, au démarrage du circuit intégré (CI), on sélectionne en réponse à une commande une action parmi les actions suivantes: - alimenter le module avec la tension d'alimentation (VREG) ayant une valeur fixe sélectionnée parmi une pluralité de valeurs prédéterminées ; - faire varier la valeur de la tension d'alimentation (VREG) au rythme d'un signal impulsionnel (SI).

公开(公告)号：FR3081240A1

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：FR1854055

申请日：2018-05-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE ,  NICOLAS BRUNO ,  FRONTE DANIELE

IPC: G06F21/70 ,  G06F21/55 ,  G06F21/56

Abstract: L'invention concerne une puce électronique comprenant une région résistive (102) et un premier commutateur (120) de sélection d'une première zone en contact avec la région résistive.

公开(公告)号：FR3074605A1

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：FR1761625

申请日：2017-12-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE ,  MARZAKI ABDERREZAK

IPC: G11C16/22 ,  H01L21/71 ,  H01L21/8249 ,  H01L23/58

Abstract: Circuit intégré comportant un substrat semi-conducteur (S), réalisé au dessus d'une couche semi-conductrice enterrée (1) et comportant au moins un dispositif (DIS) de détection d'un amincissement éventuel du substrat (S) par sa face arrière (Fr) comportant un tampon non-inverseur (TNI) comportant une borne d'entrée (BE) et une borne de sortie (BS) et alimenté entre une borne d'alimentation (BV) et une borne de référence (BR), la couche semiconductrice enterrée (1) comportant la borne d'alimentation (BV), des moyens de contrôle (CTRL) configurés pour, dans une première configuration du tampon non inverseur (TNI), délivrer un signal d'entrée (SE) dans un premier état à la borne d'entrée (BE), et pour générer un premier signal de contrôle correspondant à une détection d'un amincissement du substrat (S) si le signal délivré par la borne de sortie (BS) est dans un deuxième état différent du premier état.

公开(公告)号：FR3072211A1

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：FR1759519

申请日：2017-10-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE ,  MARZAKI ABDERREZAK

IPC: H01L23/58 ,  G06K19/073

Abstract: Circuit intégré, comprenant un substrat semi-conducteur (S) ayant une face arrière (Fr) et comportant au moins un premier caisson semi-conducteur (C1) comportant des composants et au moins un deuxième caisson semi-conducteur (C2) isolé du premier caisson semi-conducteur et du reste du substrat, le deuxième caisson semi-conducteur (C2) comportant un dispositif (DIS) de détection configurable et adapté pour, dans une première configuration, détecter un amincissement du substrat par sa face arrière (Fr), et dans une deuxième configuration, détecter une injection de faute dans le circuit intégré.

公开(公告)号：FR3068153A1

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：FR1755687

申请日：2017-06-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ORDAS THOMAS ,  SARAFIANOS ALEXANDRE

IPC: G06F21/14 ,  G06F21/60 ,  H01L21/02 ,  H04W12/02

Abstract: Circuit intégré, comprenant au moins un module (CRY) situé dans au moins une première zone (Z1) d'un substrat semi-conducteur (1) du circuit intégré (CI), et au moins une cellule de leurre (CEL1) comportant au moins une première antenne (5) au-dessus d'au moins une deuxième zone (Z2) du circuit intégré, différente de ladite au moins une première zone (Z1), des moyens de génération (4) configurés pour générer au moins un signal électrique de leurre (SE) à partir d'au moins un premier signal électrique (S) caractéristique d'un fonctionnement dudit au moins un module (CRY) et d'au moins un paramètre pseudo-aléatoire, et pour faire circuler ledit au moins un signal électrique de leurre dans ladite au moins une première antenne de façon à générer au moins un rayonnement électromagnétique de leurre.

公开(公告)号：FR2998419B1

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：FR1261066

申请日：2012-11-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： WUIDART SYLVIE ,  LISART MATHIEU ,  SARAFIANOS ALEXANDRE

IPC: H01L23/58 ,  G06F21/55 ,  G06K19/073 ,  H01L23/552

公开(公告)号：FR2976722B1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：FR1155343

申请日：2011-06-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LISART MATHIEU ,  SARAFIANOS ALEXANDRE ,  GAGLIANO OLIVIER ,  MANTELLI MARC

IPC: H01L23/58 ,  G06K19/073