公开(公告)号：FR2959025B1

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：FR1001683

申请日：2010-04-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： CONRAUX JEROME ,  FANTAUZZO CHRISTIANE ,  HAMARD PATRICE ,  NUNZI PIERRE ,  REGNIER ARNAUD

IPC: G03F7/20 ,  G02F1/133

公开(公告)号：FR2987697A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1251968

申请日：2012-03-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  PIZZUTO OLIVIER ,  NIEL STEPHAN ,  BOIVIN PHILIPPE ,  FORNARA PASCAL ,  LOPEZ LAURENT ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L21/8246 ,  H01L23/12 ,  H01L27/112

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire non volatile comprenant au moins deux cellules mémoire (C31, C32) comportant chacune un transistor à accumulation de charges (FGT31, FGT32) en série avec un transistor de sélection (ST31, ST32), comprenant les étapes consistant à réaliser une grille enterrée (SGC) dans le substrat; implanter, le long d'un premier bord supérieur de la grille enterrée (SGC), une première région dopée (n2) formant une région de drain du transistor de sélection (ST31) d'une première cellule mémoire, et, le long d'un second bord supérieur de la grille enterrée, une seconde région dopée (n2) formant une région de drain du transistor de sélection (ST32) d'une seconde cellule mémoire (C32), et une étape consistant à implanter une troisième région dopée (NISO) s'étendant le long de deux bords inférieurs de la grille enterrée et formant une région de source (S) des transistors de sélection.

公开(公告)号：FR3012672A1

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：FR1360742

申请日：2013-10-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  DELALLEAU JULIEN ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire (C31) comprenant une grille de sélection verticale (SG) s'étendant dans une tranchée (10) pratiquée dans un substrat, une grille flottante (FG) s'étendant au-dessus du substrat, et une grille de contrôle horizontale (CG) s'étendant au-dessus de la grille flottante (FG), dans laquelle la grille flottante (FG) s'étend également au-dessus d'une partie de la grille de sélection verticale (SCG) sur une distance de recouvrement (Dov) non nulle. Application notamment à la réalisation d'une cellule mémoire à grille divisée programmable par injection d'électrons chauds.