公开(公告)号：FR2986908B1

公开(公告)日：2014-03-28

申请号：FR1251368

申请日：2012-02-14

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： OLLIER EMMANUEL ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  SOUPREMANIEN ULRICH

IPC: H01L37/00 ,  H01L23/34

公开(公告)号：FR2988911A1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：FR1252997

申请日：2012-04-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  PUSCASU ONORIU ,  MAITRE CHRISTOPHE

IPC: H01L35/34 ,  H02N2/18

公开(公告)号：FR2973578A1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：FR1152806

申请日：2011-04-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L41/107 ,  H02N2/00

Abstract: L'invention concerne un convertisseur thermo-mécano-électrique comprenant une pluralité d'éléments bistables à mémoire de forme (1) noyés dans un matériau élastique (10) solidaire d'un matériau piézoélectrique.

公开(公告)号：AT557184T

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：AT10187290

申请日：2010-10-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS

IPC: F03G7/06

Abstract: The generator has an electrically conducting element integrated to an elongated rectangular membrane (1) i.e. metal, where the conducting element connects lateral ends of the elongated rectangular membrane. A generating unit generates a magnetic field orthogonal to a direction of displacement of the elongated rectangular membrane, where the lateral ends of the membrane are connected to output terminals of the generator. The membrane is adapted in contact with a hot wall (5) in one form, and in contact with a cold wall (7) in another form.

公开(公告)号：FR2963165A1

公开(公告)日：2012-01-27

申请号：FR1055978

申请日：2010-07-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/30 ,  H01L35/32

Abstract: Procédé de génération d'énergie électrique dans un dispositif comprenant un circuit intégré réalisé dans un substrat, ledit procédé comprenant une réalisation dans le substrat (S) d'une structure (STR) formant jonction semi-conductrice PN en couplage thermique avec le circuit intégré (CI), et une production d'énergie électrique par ladite au moins jonction PN soumise à un flux thermique résultant du fonctionnement du circuit intégré.

公开(公告)号：FR2951874A1

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：FR0957493

申请日：2009-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L37/00 ,  H01L23/427

Abstract: L'invention concerne un générateur thermoélectrique comprenant, entre des première (3) et seconde (13) parois délimitant un espace hermétiquement clos, une couche (7) en un matériau piézoélectrique reliée à des bornes de sortie (V , V ) ; une pluralité d'ouvertures (9) traversant la couche piézoélectrique et débouchant dans des première (17) et seconde (11) cavités voisines des première et seconde parois ; et dans l'espace clos (9, 11, 17), des gouttes d'un liquide (19), dans lequel la première paroi est adaptée à être en contact avec une source chaude de température supérieure à la température de vaporisation du liquide et la seconde paroi est adaptée à être en contact avec une source froide de température inférieure à la température de vaporisation du liquide.

公开(公告)号：FR2951873A1

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：FR0957490

申请日：2009-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L37/00 ,  H01L23/34

Abstract: L'invention concerne un dispositif de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comprenant une pluralité de lamelles bimétalliques (7) disséminées entre un support rigide et une plaque (9) en un matériau élastiquement déformable ; et du côté de la plaque en un matériau élastiquement déformable opposé aux lamelles, une couche (13) en un matériau piézoélectrique reliée à des bornes (V , V ) de sortie, dans lequel le support rigide est adapté à être en contact avec une source chaude (3), et la plaque en un matériau élastiquement déformable est adaptée à transmettre à la couche piézoélectrique les contraintes mécaniques liées aux déformations des lamelles bimétalliques.

公开(公告)号：FR2951319A1

公开(公告)日：2011-04-15

申请号：FR0957107

申请日：2009-10-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L37/00

Abstract: L'invention concerne un générateur thermoélectrique comprenant une membrane (1) maintenue par des extrémités latérales et adaptée à prendre une première forme lorsque sa température atteint un premier seuil (T1) et une seconde forme lorsque sa température atteint un second seuil (T2) supérieur au premier seuil ; au moins un élément électriquement conducteur solidaire de la membrane et reliant les extrémités latérales de la membrane ; des moyens adaptés à générer, au niveau de la membrane, un champ magnétique (B) orthogonal à la direction de déplacement de la membrane, les extrémités latérales de la membrane étant reliées à des bornes de sortie (V V ) du générateur.

公开(公告)号：FR2926163A1

公开(公告)日：2009-07-10

申请号：FR0852936

申请日：2008-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： VILLARET ALEXANDRE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L21/98

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation de dispositif (100), comportant au moins les étapes de :- réalisation d'au moins une portion à base d'un matériau catalyseur (112) sur un substrat,- réalisation d'au moins une couche d'enrobage (114, 134) au moins autour de la portion de matériau catalyseur (112), sur le substrat,- formation d'au moins une cavité (122) dans la couche d'enrobage (114, 134), la portion de matériau catalyseur (112) étant disposée dans la cavité (122),- réalisation d'au moins une portion à base d'un matériau cristallin (124) dans la cavité (122) à partir de la portion de matériau catalyseur (112).

公开(公告)号：FR2897202A1

公开(公告)日：2007-08-10

申请号：FR0601137

申请日：2006-02-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Ce procédé de fabrication d'un transistor MOS à barrière de Schottky sur un film semi-conducteur entièrement appauvri, comprend :- le dépôt d'une première couche d'un premier matériau sacrificiel (9) sur une zone active du substrat ;- la formation au-dessus de la première couche de matériau sacrificiel d'une couche de silicium (10) ;- la réalisation d'une région de grille (5) au-dessus de la couche de silicium avec interposition d'une couche d'oxyde de grille ;- la gravure sélective du matériau sacrificiel (9) de manière à former un tunnel sous la région de grille (5) ;- le remplissage du tunnel avec un deuxième matériau sacrificiel diélectrique (13) ;- la gravure latérale du deuxième matériau sacrificiel de manière à laisser une zone de matériau diélectrique sous la région de grille (5) ; et- la siliciuration à l'endroit de la région de source et de la région de drain et à l'endroit de la zone gravée.