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公开(公告)号：WO2015025106A3
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/FR2014052099
申请日：2014-08-18
Inventor： MONFRAY STÉPHANE , MAITRE CHRISTOPHE , KOKSHAGINA OLGA , SKOTNICKI THOMAS , SOUPREMANIEN ULRICH
IPC: H02N1/08
CPC classification number: H02N1/08 , B81B3/0021 , B81B3/0024 , B81B2203/053 , F01K5/02 , H02N1/006
Abstract: The invention relates to a device (400) for converting energy, comprising an enclosure (430) containing drops of a liquid (427) and an electret capacitive transducer (417, 419, 421) coupled to that enclosure.
Abstract translation: 用于转换能量的设备（400）技术领域本发明涉及一种用于转换能量的设备（400），其包括包含液滴（427）的外壳（430）和耦合到该外壳的驻极体电容换能器（417,419,421）。
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公开(公告)号：FR2977983B1
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：FR1156280
申请日：2011-07-11
Inventor： SAVELLI GUILLAUME , CORONEL PHILIPPE , MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L35/02
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公开(公告)号：FR2951874B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：FR0957493
申请日：2009-10-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： SKOTNICKI THOMAS
IPC: H01L37/00 , H01L23/427
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公开(公告)号：FR2952183A1
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：FR0957688
申请日：2009-10-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS
IPC: G01N27/414
Abstract: L'invention concerne un détecteur de matière biologique ou chimique, comprenant un transistor MOS dont la région de canal (30) est insérée entre des grilles isolées supérieure (32) et inférieure (25), la grille isolée supérieure comprenant une couche de détection adaptée à générer une charge à l'interface de la grille isolée supérieure et de son isolant de grille, l'épaisseur de l'isolant de grille supérieure (34) étant inférieure à l'épaisseur de l'isolant de grille inférieure (23) .
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公开(公告)号：FR3009907B1
公开(公告)日：2015-09-18
申请号：FR1358072
申请日：2013-08-20
Inventor： MONFRAY STEPHANE , MAITRE CHRISTOPHE , KOKSHAGINA OLGA , SKOTNICKI THOMAS , SOUPREMANIEN ULRICH
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3009653A1
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：FR1357913
申请日：2013-08-09
Inventor： MONFRAY STEPHANE , ARNAUD ARTHUR , SKOTNICKI THOMAS , PUSCASU ONORIU , BOISSEAU SEBASTIEN
IPC: H01L27/16 , H01L27/142 , H01L35/02
Abstract: L'invention concerne un dispositif (400) de conversion d'énergie thermique en énergie électrique, comportant une pluralité de cellules de conversion (C) disposées dans et sur un premier substrat (401), chaque cellule (C) comprenant : une lamelle bimétallique incurvée (407) ; et des première (D1) et deuxième (D2) diodes couplées à ladite lamelle (407), disposées dans une première région semiconductrice (401a) du premier substrat (401).
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公开(公告)号：FR2988912A1
公开(公告)日：2013-10-04
申请号：FR1252996
申请日：2012-04-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , MAITRE CHRISTOPHE , PUSCASU ONORIU
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公开(公告)号：DE602007004139D1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：DE602007004139
申请日：2007-03-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , DUTARTRE DIDIER , TALBOT ALEXANDRE
IPC: H01L29/786
Abstract: The method involves forming an intermediate semiconductor layer (6) above a substrate (2), where the layer contains an alloy of silicon and germanium. Source, drain and insulated gate regions (11,12,9) of a MOS transistor are formed above the semiconductor layer. The semiconductor layer is oxidized from a lower surface of the layer for increasing concentration of germanium in a channel of the transistor.
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公开(公告)号：FR2897202B1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：FR0601137
申请日：2006-02-08
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： SKOTNICKI THOMAS , MONFRAY STEPHANE
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: The process involves depositing a layer made of silicon-germanium, on an active zone of a silicon substrate (Si). A gate region (5) is formed above a mono-crystalline silicon layer. The silicon-germanium is etched to form a tunnel under the gate region, and a dielectric, e.g. nitride and oxide mixture, layer is filled in the tunnel. The dielectric layer is laterally etched to subsist a dielectric zone under the region. A metal, e.g. platinum and erbium, is deposited at the location of source and drain regions to fill an etched zone of the dielectric layer. An independent claim is also included for a Schottky barrier metal oxide semiconductor (SBMOS) transistor.
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公开(公告)号：FR2899017A1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：FR0602467
申请日：2006-03-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , DUTARTRE DIDIER , TALBOT ALEXANDRE
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS comprenant :a) la formation, au-dessus d'un substrat 2, d'une couche semiconductrice intermédiaire 6 contenant un alliage de silicium et de germanium,b) la réalisation des régions 11, 12, 9 de source, de drain et de grille isolée du transistor, au-dessus de la couche intermédiaire 6,c) l'oxydation de la couche intermédiaire 6 à partir de sa surface inférieure de façon à augmenter la concentration de germanium dans le canal du transistor.
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