公开(公告)号：CN106395731A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610616227.8

申请日：2016-07-29

Applicant: 盛思锐股份公司

Inventor： R·S·瓦纳 ,  Z·摩卡瑞卡 ,  L·布尔奇 ,  J·布西勒 ,  L·施泰因曼 ,  S·福赫尔 ,  M·斯特姆弗立 ,  S·温格尔 ,  C·尚茨

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  G01N27/12

CPC classification number: G01N27/128 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00206 ,  G01N27/123 ,  G01N33/0009 ,  G01N33/0031 ,  H01L21/561 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/45099 ,  B81B7/0019 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00031 ,  G01N27/126

Abstract: 本发明涉及气体传感器、阵列及其制造方法。一种用于制造气体传感器的方法，其包括将处理电路(36)集成至气体传感器芯片(3)，将加热器(34)集成至气体传感器芯片以及向气体传感器芯片(3)施加敏感材料以构建对气体敏感的层(31)的步骤。将多个气体传感器芯片(3)安装到载体(2)上，其中，公共载体(2)包括若干接触垫组(200)。每个接触垫组(200)对多个气体传感器芯片(3)中的一个电接触，其中，每个组(200)中的接触垫(22-27)中的一个是电源接触垫电路(36)提供电流。通过电互连器(251)对一组电接触垫(250)电互连。(25)，从而向对应的气体传感器芯片(3)的处理

公开(公告)号：CN105371878A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510890382.4

申请日：2015-12-04

Applicant: 歌尔声学股份有限公司

Inventor： 詹竣凯 ,  蔡孟锦

IPC: G01D5/241

CPC classification number: G01D5/2417 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/053 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00214 ,  G01K7/34 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0073

Abstract: 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。

公开(公告)号：CN104555897A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410550919.8

申请日：2014-10-16

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 埃里克·奥里尔 ,  弗里德里克-格扎维埃·盖拉德 ,  卡琳·马库克斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C25F3/12 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00206 ,  B81C2201/0115 ,  C25F3/02

Abstract: 一种用于制作至少一个多孔区域(ZP)的工艺，所述至少一个多孔区域(ZP)在导电的有源层(6)的至少一部分中，有源层(6)形成堆叠的正面，堆叠层包括导电材料的背面(2)以及介于有源层(6)与背面(2)之间的绝缘层(4)，所述工艺包括以下步骤：a)在背面(2)与有源层(6)之间制作穿过绝缘层(2)的至少一个接触垫(14)；b)将堆叠放置在电化学槽中；c)在背面(2)与有源层(6)之间施加一个通过接触垫(14)的电流，以引起接触垫(14)附近的有有源层(6)的区域(ZP)的多孔化；d)形成微电子结构。

公开(公告)号：CN103180735B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201280003445.4

申请日：2012-03-27

Applicant: 株式会社NTT都科摩 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 桧山聪 ,  栗林香织 ,  尾上弘晃 ,  竹内昌治

IPC: G01N33/543 ,  C12M1/00 ,  C12N15/09 ,  G01N37/00

CPC classification number: B05D1/325 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00529 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00206 ,  C12N15/09 ,  G01N33/543 ,  G01N37/00

Abstract: 本发明涉及一种制作二种以上软物质的微阵列的方法，其是使用聚对二甲苯树脂剥离法制作二种以上软物质的微阵列的方法，该方法具有下述工序：在基板上蒸镀第1层聚对二甲苯树脂，在第1层聚对二甲苯树脂上形成第1微图案，导入含有第1软物质的溶液，从而得到形成了第1微阵列的基板，接着对第1软物质进行冷冻干燥，由此得到冷冻干燥后的第1软物质的微阵列化基板：在所述的冷冻干燥后的第1软物质的微阵列化基板上蒸镀第2层聚对二甲苯树脂，将第1层和第2层的聚对二甲苯树脂贯穿，在与第1微图案不同的位置形成第2微图案，导入含有第2软物质的溶液，从而在基板上形成第2微阵列；将所述第1层和第2层的聚对二甲苯树脂剥离，由此在同一基板上形成第1以及第2软物质的微阵列。

公开(公告)号：CN101795962B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880103589.0

申请日：2008-05-28

Applicant: S·V·哈特夫 ,  V·K·涅沃林

Inventor： S·V·哈特夫 ,  V·K·涅沃林 ,  M·M·西穆宁

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/0214 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G01N29/036 ,  G01N2291/0256

Abstract: 本发明涉及一种微机电和纳米机电设备及其生产方法。所述创造性方法的其中一个改变是基于对自组织和自校准机械设备的运用来生产纳米机电结构，由此与传统照相平板印刷术相比，使其基本几何参数不再受到限制，这使得集成度能够达到1016m-2或更高。此外，本发明的一个创造性方面以其独立选取坐标的形式运用所述元件的工行怎频率，由此降低了要求互连的密度。本发明的其他方面提供了一种对给定气体或颗粒表现出极高测量灵敏度的气体传感器，其具有多用途且选择灵活的机械设备和可控制的感应能力恢复过程。本创造性结构为测量振荡元件的共振频率提供了一种简便的方法，所述方法不要求高频信号分析。

公开(公告)号：CN103025648A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180032552.5

申请日：2011-06-29

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 文森特·阿加什 ,  安东尼·欧昂 ,  弗朗索瓦丝·维内

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G03F7/24 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81B2201/06 ,  B81C1/00206 ,  B81C2201/0154 ,  F04B19/006

Abstract: 本发明涉及一种用于使微机械器件中的流体管道(1b)功能化的方法，所述流体管道的壁包括不透明层。为此目的，本发明提供一种用于使设置有流体管道的微机械器件功能化的方法，所述流体管道包括外围壁(5)，所述外围壁具有在所述管道外面的表面(2)和内表面(3)，所述内表面限定流体能在其中循环的空间(1b)，所述外围壁至少部分地包括硅层(5a)。所述方法包括下列步骤：a)提供器件，所述器件的外围壁(5)至少部分地包括至少局部具有大于100nm且小于200nm，有利地为160～180nm厚度(e)的硅层(5a)；c)至少硅烷化所述流体管道的内表面；d)通过在所述壁上具有大于100nm且小于200nm，有利地为160～180nm厚度的点处使所述外围壁曝光，而至少在硅烷化器件的内表面上局部地、选择性地光去保护。

公开(公告)号：CN102958827A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180033628.6

申请日：2011-06-01

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： U.沙夫 ,  J.霍夫曼 ,  F.孙德梅尔 ,  J.梅

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B01L3/502707 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2400/0415 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/0785

Abstract: 本发明涉及一种集成的微流体系统的制造及所述集成的微流体系统本身。将电子基片尤其半导体芯片以倒装布置与微流体基片连接起来。为此用第一胶粘剂来连接所述两种基片的有待彼此连接的流体的连接元件并且用第二胶粘剂来连接所述两种基片的电气的触点。所述胶粘剂得到硬化，其中所述第二胶粘剂首先硬化。

公开(公告)号：CN102612482A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201080049551.7

申请日：2010-10-28

Applicant: FFEI公司

Inventor： 彼得·沃尔什 ,  戴维·阿尔宾 ,  马丁·古弛

IPC: B81C1/00 ,  B01L3/00

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502738 ,  B01L3/502746 ,  B01L2300/047 ,  B01L2300/0809 ,  B01L2300/0822 ,  B01L2300/161 ,  B01L2400/0487 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/06 ,  B81B2203/0338 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00119 ,  G01N33/54366 ,  Y10T29/49885 ,  Y10T156/10

Abstract: 提供一种形成用在生物传感装置中的微通道结构的方法。提供具有微通道的第一构造的主结构，微通道的第一构造具有对应的第一液流特性。使用流体喷射工艺将一个或多个材料区域沉积在主结构上，以便将第一构造改性成与具有与第一液流特性不同的对应的第二液流特性的第二构造。还描述了使用该方法形成的功能生物传感装置。

公开(公告)号：CN102569291A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110433902.0

申请日：2011-12-22

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： A·奥都奈尔 ,  S·艾瑞阿尔特 ,  M·J·姆菲 ,  C·莱登 ,  G·卡塞 ,  E·E·恩格利什

IPC: H01L27/02

CPC classification number: G01N27/226 ,  B81B7/00 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  G01N27/26 ,  G01N27/4148 ,  H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/38 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/58 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/94 ,  H01L25/16 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L28/00 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/06 ,  H01L35/00 ,  H01L35/28 ,  H01L35/30 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H02S10/10 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，其包括在半导体管芯的前侧上制造的第一有源层及在所述半导体管芯的背侧上并且具有包含在其中的电气部件的第二预制层，其中所述电气部件包括至少一个分立的无源部件。所述集成电路系统还包括至少一条耦合所述第一有源层与第二预制层的电气路径。

公开(公告)号：CN101821195A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880110362.9

申请日：2008-05-19

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 刘汉泳 ,  金炳勋 ,  金安顺 ,  白寅福 ,  阿七成 ,  梁钟宪 ,  朴赞佑 ,  安昌根

IPC: B82B1/00

CPC classification number: H01J49/4205 ,  B81B7/0025 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0271 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N2291/0257 ,  H01J49/0018 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/775 ,  H03H2009/02314

Abstract: 本发明提供了一种包括三维纳米结构的三维(3D)纳米器件。三维纳米器件包括至少一个纳米结构，每个纳米结构包括浮在衬底之上的振荡部分和用于支撑振荡部分的两个长度方向端部的支撑部分；支撑件，该支撑件设置在衬底上以支撑每个纳米结构的支撑部分；至少一个控制器，其控制器设置在衬底的上部、衬底的下部、或者衬底的上部和下部，以控制每个纳米结构；以及检测单元，该检测单元设置在每个振荡部分上，以检测外部施加的吸附材料。由此，不同于典型的平面器件，可以减少在纳米器件和衬底之间产生的杂质并可以导致机械振动。尤其是，由于三维纳米器件具有机械和电特性，包括新的三维纳米结构的三维纳米器件可以利用纳米-电-机械系统(NEMS)提供。而且，不同于平面器件，利用简单过程可以形成单电子器件、自旋电子器件、或单电子晶体管-场效应晶体管(FET)混合器件。