公开(公告)号：CN102190275B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201110043026.0

申请日：2011-02-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 岛内岳明 ,  今井雅彦 ,  胜木隆史 ,  丰田治 ,  上田知史

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0221 ,  H01G5/18

Abstract: 本发明涉及静电致动器及其驱动方法。静电致动器包括彼此相对的固定电极和可动电极，并且在所述固定电极和所述可动电极之间放置有电介质层，所述方法包括以下步骤：在固定电极和可动电极之间施加第一电压，使可动电极与电介质层进行接触，并且，在第一电压的施加停止后并且在可动电极从电介质层移开之前，在固定电极和可动电极之间施加第二电压。第二电压的极性与第一电压的极性相反，并且第二电压的绝对值小于第一电压的绝对值。

公开(公告)号：CN102674235A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210061957.8

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤友博

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: 本发明涉及MEMS及其制造方法。该MEMS包括：设置在基板上的第1电极；第1辅助构造体，与上述第1电极相邻地设置在上述基板上，处于电浮置状态；和第2电极，设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方，被向上述第1电极的方向驱动。

公开(公告)号：CN102007559B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980113529.1

申请日：2009-04-17

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 古川有纪子 ,  克罗斯·赖曼 ,  克里斯蒂娜·安德利娜·瑞德斯 ,  彼得·G·斯蒂内肯 ,  莱斯伯·范彼得森 ,  刘瑾 ,  弗里斯科·J·耶德玛

IPC: H01G5/18 ,  H01L21/00 ,  H01H59/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0167 ,  H01H1/0094

Abstract: 本发明涉及一种MEMS，例如开发MEMS用于移动通信应用，例如开关、可调谐电容器、可调谐滤波器、移相器、多路复用器、电压控制振荡器以及可调谐匹配网络。相变层的体积变化用于MEMS器件的双稳态致动。MEMS器件包括至少可弯曲悬臂、相变层和电极。给出了一种实现该器件的工艺和一种使用方法。

公开(公告)号：CN102003972A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010264988.4

申请日：2010-08-26

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： A·弗兰克 ,  A·布曼 ,  M·凯克

IPC: G01D5/24 ,  G01P15/125 ,  G01B7/14

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0094 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/033 ,  G01D5/2412 ,  H02N1/008

Abstract: 本发明涉及容性传感器和执行器，其具有至少一个可偏移地固定在基底上的振荡质量。在此，如此在该振荡质量上固定了带有梳齿(2)的梳状电极(1)并且在该基底上固定了带有梳齿(2′)的梳状电极(1′)，以使得梳齿(2)和(2′)被布置成平行于该振荡质量的偏移方向(3)并且梳状地啮入彼此之中。通过优化至少一个梳状电极(1，1′)的几何形状尤其至少一个梳齿(2，2′)的几何形状来调节传感器的特征曲线或执行器的特征曲线。

公开(公告)号：CN105228946B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201480027517.8

申请日：2014-03-17

Applicant: 维斯普瑞公司

Inventor： 达娜·德勒斯 ,  肖恩·J·坎宁安 ,  阿瑟·S·莫里斯

IPC: B81B7/02 ,  H01G5/14

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B3/0051 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/053 ,  H01G4/1227 ,  H01G5/18

Abstract: 提供了操作分割的致动器板以获得微电子机械系统(MEMS)装置的可动部件的期望形状的装置和方法。在一些实施方式中，在本文中描述的主题可以包括一种微电子机械系统(MEMS)装置，其包括：多个致动电极，其附着至第一表面，其中，所述一个或多个致动电极中的每个独立可控；以及可动部件，其与所述第一表面隔开并且相对于所述第一表面可移动，其中，所述可动部件进一步包括与所述多个固定的致动电极隔开的一个或多个可动致动电极。

公开(公告)号：CN107416760A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710702619.0

申请日：2017-08-16

Applicant: 北方电子研究院安徽有限公司

Inventor： 凤瑞

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  G01D5/24

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0221 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/03 ,  G01D5/24

Abstract: 本发明公开了一种倒置装配可应力释放的MEMS芯片封装结构制作方法，在晶圆片A的硅衬底上加工出导电通孔，然后对晶圆片A进行氧化形成二氧化硅保护层；去除硅电极层表面的二氧化硅保护层，在硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体；在敏感结构腔体内加工出电极结构；采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A的硅电极层上；去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；将硅帽键合到晶圆片B的硅电极层上；采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽；芯片倒置，将硅帽表面粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体底面，使导电通孔通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势，易于实现。

公开(公告)号：CN104981425B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201380071982.7

申请日：2013-01-31

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 詹妮弗·吴 ,  罗德尼·L·阿莱 ,  R·G·万斯雷 ,  唐纳德·J·米利根

IPC: B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/125 ,  G01C19/5769

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B7/0029 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  G01C19/5769 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  Y10T29/417

Abstract: 描述了一种具有微粒屏障的传感器。在一示例中，传感器包括：分别被设置在平坦的支承表面上和检测质量块上的第一电极组和第二电极组，所述检测质量块能沿着大体平行于所述平坦的支承表面的第一轴线顺从地移位；和第一屏障，该第一屏障被设置在所述平坦的支承上围绕所述第一电极组，并且具有的高度小于所述平坦的支承与所述检测质量块之间的间隙，以减轻向所述第一电极组或所述第二电极组中的微粒迁移。

公开(公告)号：CN105593964A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480054306.3

申请日：2014-09-24

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 迈克·雷诺 ,  维克拉姆·乔希 ,  罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 ,  托马斯·L·麦圭尔 ,  理查德·L·奈普

IPC: H01H59/00 ,  H01G5/16

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0109 ,  H01G5/011 ,  H01H59/0009

Abstract: 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。

公开(公告)号：CN105263853A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032389.6

申请日：2014-05-30

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩

IPC: B81B3/00 ,  H01G5/16 ,  H01G5/38 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  H01G5/16 ,  H01G5/18 ,  H01G5/38 ,  H01H59/0009

Abstract: 本发明一般性地涉及MEMS DVC。MEMS DVC具有RF电极并且形成于CMOS衬底之上。为了降低RF信号中的噪声，连接在波形控制器和MEMS元件的电极之间的多晶硅电阻器可以由被隔离的p阱或被隔离的n阱环绕。被隔离的阱耦合到被布置在多晶硅电阻器和MEMS元件之间的RF接地屏蔽层。由于存在环绕多晶硅电阻器的被隔离的阱，衬底电阻不影响MEMS DVC中的每个MEMS元件的动态特性，并且RF信号中的噪声被降低。

公开(公告)号：CN104798154A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060719.8

申请日：2013-09-20

Applicant: 维斯普瑞公司

Inventor： 亚瑟·S·莫里斯 ,  达娜·德雷乌斯 ,  诺里托·巴伊坦

IPC: H01G5/16

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0016 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0221 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H01G5/18 ,  H01G7/00

Abstract: 用于微机电系统(MEMS)可调电容器的系统，设备和方法，所述电容器包括附着到基底的固定驱动电极，附着到所述基底的固定电容电极；以及定位在所述基底上方并相对于所述固定驱动电极和所述固定电容电极移动的活动部件。所述活动部件包括：定位在所述固定驱动电极上方的可动驱动电极和定位在所述固定电容电极上方的可动电容电极。所述可动电容电极的至少一部分以第一间隙与所述固定电容电极间隔开，以及所述可动驱动电极以大于所述第一间隙的第二间隙与所述固定驱动电极间隔开。