公开(公告)号：CN101168437A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710167574.8

申请日：2007-10-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 秦昌平 ,  坂本英次 ,  松岛直树

IPC: B81C3/00

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00269 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0897 ,  H03H9/105 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/173 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/2462 ,  Y10T428/24826 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供便宜的MEMS功能元件，对于MEMS的功能元件的晶片级封装，可提高阳极接合的结合部的气密性。其具备功能元件、密封金属化膜、玻璃基板，其中，功能元件是采用加工法形成以Si为主体的基板，密封金属化膜是形成在该功能元件的外周，玻璃基板是利用阳极接合接合在该密封金属化膜上。在此密封金属化膜的表面部，在以Al为主成分的金属化膜上，形成以Sn、Ti中的至少一种为主成分的金属化膜或者它们的组合的金属化膜。

公开(公告)号：CN101139078A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710149027.7

申请日：2007-09-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 御手洗俊 ,  多田正裕

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0145

Abstract: 提供一种通过使成膜时的影响不波及到功能部而能提高元件可靠性的功能元件。基板(10)的表面上具备可动部(11)、密封层(12)和壁部(13)。密封层(12)具有在可动部(11)周围形成内部空间(14)的拱顶状形状，在密封层(12)中与可动部(11)相对区域以外的区域设置开口部(15)。壁部(13)形成在可动部(11)与开口部(15)之间而不把内部空间(14)分离，在内部空间(14)内形成有贯通开口部(15)且由不贯通密封层(12)和壁部(13)的直线不横穿的空间(阴影空间(19))。可动部(11)被配置在该阴影空间(19)内。

公开(公告)号：CN1618723A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410095680.6

申请日：2004-11-17

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： M·弗拉诺斯奇 ,  A·梅科斯 ,  W·内斯勒 ,  K·-G·奥佩曼恩

IPC: B81B5/00 ,  H01L23/02 ,  H03H9/10

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  Y10S438/977

Abstract: 一光阻材质结构(34)，其并不需要牺牲层或晶圆接合程序即可加以产生，且被分别应用于必需的壳装、以及围绕在一基板(10)，例如，一晶圆，上的该微机械结构(14)的一空穴(38)，进以藉由，举例而言，一铸模以及铸造程序，而将其在之后处理中封装于一壳装中。在此，考虑之处在于，因为在使用一负光阻的例子中，该未交联的光阻，以及在一正光阻的例子中，该被漂白的光阻，乃必须在该显影步骤期间，自代表该空穴内部的区域处被移除，因此，不可能以选择性地单独蚀刻来产生一封闭的空穴，以及，考虑之处也在于，其有可能简单地将在稍后之显影步骤中所需要的此开口(44)进行封闭，以获得一封闭的空穴(38)。

公开(公告)号：CN105728304B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610088359.8

申请日：2012-04-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 虎岛和敏 ,  秋山贵弘 ,  冨吉俊夫

IPC: B06B1/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R1/00 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00626 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。

公开(公告)号：CN104052430B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201410087868.X

申请日：2014-03-11

Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

Inventor： T·考茨施 ,  H·弗雷利施 ,  M·福格特 ,  M·施特格曼 ,  T·桑塔 ,  M·布里安

IPC: H03H9/24

CPC classification number: H03H9/2452 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00396 ,  B81C2203/0145 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/0073 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02291 ,  H03H2009/02307 ,  H03H2009/0233 ,  H03H2009/02496

Abstract: 本发明提供了一种微机电谐振器。实施例具体涉及能够施加最大可用芯片上电压的MEMS谐振器结构和方法。在实施例中，MEMS谐振器包括在接地电势与谐振器的间隙电极之间的连接。实施例也涉及复杂度较低并且能够生产减小尺寸的MEMS谐振器的制造系统和方法。

公开(公告)号：CN107121221A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201610101653.8

申请日：2016-02-24

Applicant: 英属开曼群岛商智动全球股份有限公司

Inventor： 童玺文 ,  吴名清

IPC: G01L1/16 ,  G01L19/04 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01L1/16 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00015 ,  G01L19/04

Abstract: 本发明提供一种微传感器及其制造方法。其中微传感器包括第一基板以及第二基板。第一基板具有形成有凹槽的表面。第二基板具有感测结构，其中第一基板形成有凹槽的表面与第二基板接合，以将凹槽密封住，使凹槽中的气压值为定值。另提供一种传感器的制造方法。本发明提供的微传感器可感测外界压力的变化，本发明另提供的微传感器的制造方法可制造出具环境感测能力的微传感器。

公开(公告)号：CN103444079B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280009253.4

申请日：2012-02-17

Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司

Inventor： T.彭萨拉 ,  A.贾亚科拉 ,  M.冈辰科瓦 ,  M.普伦尼拉 ,  J.基伊哈梅基

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  B81B3/00

CPC classification number: H03H9/02448 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  H01L41/18 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/02519 ,  H03H2009/241 ,  H03H2009/2442 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明关于微机械装置和制造其的方法。该装置包括：由半导体材料制成的振荡或偏转元件（16），其包括n型掺杂剂；和功能地连接到所述振荡或偏转元件（16）的激发或感测部件（10，14）。根据本发明，该振荡或偏转元件（16）基本上均匀地掺杂有所述n型掺杂剂。本发明允许设计具有低温度漂移的多种实用共振器。

公开(公告)号：CN104071740B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310198204.6

申请日：2013-05-24

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 苏中源 ,  黄肇达 ,  李宗璟 ,  许郁文

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/097 ,  H03H3/00

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/0271 ,  G01P15/097 ,  H03H3/0072

Abstract: 本发明提供了一种复合材料的微机电装置及其制作方法。该微机电装置包括一振动单元、一第一材料以及一第二材料。振动单元用以沿一第一轴向来回振动，其中振动单元包括一刚性元件。刚性元件包括一第一表面、一第二表面以及连接第一表面与第二表面的一第三表面，其中第一表面面向第一轴向的一第一方向，第二表面面向第一轴向相反于第一方向的一第二方向。第一材料设置于第一表面与第二表面上。第二材料为导电材料且设置于第一材料上并延伸至刚性元件，使第二材料电性连接到刚性元件。

公开(公告)号：CN104507853B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201380040648.5

申请日：2013-07-08

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 玛丽亚姆·萨达卡 ,  伯纳德·阿斯帕 ,  克里斯特勒·拉加赫·布兰查德

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16 ,  H03H9/10

Abstract: 一种形成半导体设备的方法，该半导体设备包括集成电路以及与集成电路操作地联接的微机电系统(MEMS)设备，该方法包括：形成导电通道，该导电通道从基板的第一主表面朝向基板的相反的第二主表面至少部分地延伸穿过基板；以及将集成电路的至少一部分制造在基板的第一主表面上。MEMS设备设置在基板的第二主表面上，并且使用至少一个导电通道将MEMS设备与集成电路操作地联接。使用这种方法制造的结构和设备。

公开(公告)号：CN105293417A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510266530.5

申请日：2015-05-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 稻叶正吾 ,  蝦名昭彦

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明提供MEMS结构体、电子设备以及移动体，所述MEMS结构体具有优异的频率特性，所述电子设备以及移动体具有该MEMS结构体。本发明的MEMS结构体(1)具有：基板(2)；配置于基板(2)的下部电极(51)；上部电极(53)，其具有与下部电极(51)分离地相对配置的可动部(531)；以及加强部(541、542)，其以沿着可动部(531)扩展的方向延伸的方式配置于上部电极(53)，由杨氏模量比上部电极(53)大的材料构成。