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公开(公告)号：CN103907049A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052325.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B6/122 , G02B6/2935 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/025 , G02F2001/0151 , G02F2001/212 , G02F2201/063
Abstract: 提供光学元件以及马赫－曾德型光波导元件。光学元件具备具有由肋部及夹着上述肋部位于其两侧且比上述肋部的厚度薄的第一及第二平板部形成的芯线的光波导，上述芯线的上述肋部和上述第一及第二平板部由半导体单晶一体地形成，上述第一平板部具有掺杂成P型的P型区域，上述第二平板部具有掺杂成N型的N型区域，上述肋部具有与设于上述第一平板部的P型区域接触的P型区域及与设置于上述第二平板部的N型区域接触的N型区域，上述肋部的P型区域和N型区域接触而构成PN结部，上述肋部具有在与上述光波导的长度方向垂直的截面中位于比上述第一及第二平板部靠上方的位置的上端部，上述肋部的上端部具有由本征区域、及以邻接的上述P型区域或N型区域的掺杂浓度的1/10以下的掺杂浓度掺杂的低浓度掺杂区域中的一方形成的未掺杂区域。
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公开(公告)号：CN102741720A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080057343.1
申请日：2010-11-12
Applicant: 科途嘉光电公司
IPC: G02B6/10
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0157 , G02F2201/063 , G02F2201/122
Abstract: 光学器件包括在基底上的波导。器件还包括在基底上的调制器。调制器包括配置成从波导接收光信号的电吸收介质。调制器还包括用于在电吸收介质中生成电场的场源。电吸收介质是其中响应于电场在电吸收介质中形成而出现弗朗兹-凯尔迪什效应的介质。场源被配置为使得电场基本上平行于基底。
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公开(公告)号：CN101939689A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880115149.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 集成光子学中心有限公司
Inventor： 戴维·格雷汉姆·穆迪
CPC classification number: G02F1/01708 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , G02B2006/12126 , G02B2006/12142 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , G02F2201/063 , G02F2201/066
Abstract: 一种电吸收调制器，包括在至少一个p-掺杂半导体层(6)和至少一个n-掺杂半导体层(8)之间的一个吸收层(7)，这些层形成了一个脊形波导结构，吸收层的厚度在9-60nm之间，脊形的宽度在4.5-12微米之间。
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公开(公告)号：CN100367081C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03826522.2
申请日：2003-04-30
Applicant: 皮雷利&C.有限公司
IPC: G02F1/035
CPC classification number: G02F1/3132 , G02F1/0316 , G02F1/0353 , G02F2201/063 , G02F2203/07
Abstract: 一种光电设备(1)，包括具有接收输入电磁辐射的第一波导(1)的定向耦合器(11)，所述第一波导包括光电材料的引导区(3)。此外，定向耦合器包括第二波导(2)，向其中耦合所述输入辐射的至少第一部分，并具有用于输出辐射的端口。光电设备具有至少在定向耦合器的所述第一波导(1)内生成控制电场(ERF)的结构(12，13)，以便在所述光电材料中，产生至少部分输入辐射的偏振转换。通过该偏振转换，可以控制从第二波导输出的辐射的功率，生成调制器、转换开关、衰减器或开闭开关。
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公开(公告)号：CN100351696C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200380108838.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F1/365 , G02F2201/063
Abstract: 一种光波导器件包括转换入射光波长和发射转换光的波导层。在该波导层中，设置脊形波导和条形波导，该条形波导形成在脊形波导的两侧，且在条形波导和脊形波导之间插入凹槽部分。该波导层满足入射光的多模条件，并且在脊形波导中传播的光是单模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1739060A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108838.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F1/365 , G02F2201/063
Abstract: 一种光波导器件包括转换入射光波长和发射转换光的波导层。在该波导层中，设置脊形波导和条形波导，该条形波导形成在脊形波导的两侧，且在条形波导和脊形波导之间插入凹槽部分。该波导层满足入射光的多模条件，并且在脊形波导中传播的光是单模。
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公开(公告)号：KR101615473B1
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：KR1020147031951
申请日：2013-04-16
Applicant: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
IPC: H01L21/761
CPC classification number: G02B6/1347 , G02B6/12 , G02B2006/12061 , G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/15 , G02F2202/06 , G02F2202/105
Abstract: 광모듈레이터디바이스제조방법은기판상에는 n-타입층을, 상기 n-타입층의부분상에는제1 산화물부분을, 상기 n-타입층의제2 부분상에는제2 산화물부분을형성하는단계; 상기제1 산화물부분, 상기 n-타입층의평평한표면의부분들, 및상기제2 산화물부분의부분들위에제1 마스킹층을패턴하는단계; 제1 p-타입영역및 제2 p-타입영역을형성하기위하여상기 n-타입층 내에 p-타입도펀트들을임플란트하는단계; 상기제1 마스킹층을제거하는단계; 상기제1 산화물부분, 상기제1 p-타입영역의부분, 및상기 n-타입층의부분위에제2 마스킹층을패턴하는단계; 그리고상기 n-타입층의노출된부분들, 상기제1 p-타입영역의노출된부분들, 및상기 n-타입층의영역들그리고상기기판과상기제2 산화물부분사이에배치된상기제2 p-타입영역내에 p-타입도펀트들을임플란트하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101239134B1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020080125330
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00 , H01L29/868
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0156 , G02F2201/063 , G02F2201/12 , G02F2202/105 , G02F2202/32
Abstract: 본 발명은 흡수 광변조기에 관한 것이다. 본 발명의 흡수 광변조기는, 기판, 상기 기판 위에 형성된 절연층, 및 상기 절연층 위에 형성된 PIN 다이오드 구조의 도파로를 포함하되, 상기 도파로에 입력된 빛의 변조 동작시 상기 PIN 다이오드의 진성 영역의 흡수율이 변화되는 것을 특징으로 한다. 특히, 본 발명의 흡수 광변조기는 PIN 다이오드의 단면적을 크게 줄여 고속, 저전력소모, 소형의 특징을 얻을 수 있게 된다.
손실, 광변조기, 흡수율, 프리-엠퍼시스-
公开(公告)号：KR1020060068365A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107027
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/0121 , G02F2201/063 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 초고속 광변조기 모듈 제작시 성능향상 및 비용절감을 위해서 임피던스 정합을 위한 저항 성분을 소자 내에 집적한 반도체 광변조기 소자의 구조 및 그 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 광변조기 소자의 에피층 내의 도핑층을 임피던스 정합을 위한 저항 성분으로 이용하는 방법을 제안한다. 이 방법을 이용하면 임피던스 정합을 위해 소자 내외부에서 별도의 저항 성분을 사용하는 기존의 광 소자 제작 공정보다 용이하게 광 소자를 구현할 수 있는 장점이 있다.
광 소자, 반도체 광 변조기, 임피던스 정합, 저항 성분, 도핑층, 코플래너 전극-
公开(公告)号：KR100134763B1
公开(公告)日：1998-04-23
申请号：KR1019930006529
申请日：1993-04-19
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G02B6/122 , G02F1/035 , G02F2201/063 , G02F2202/20
Abstract: 본 발명은 광통신등에 사용하는 광변조기등의 광도파로소자에 관한 것으로, 특히 광파이버와의 결합 손실이 적고, 또 전파손실 및 광손상이 적은 광도파로소자의 구조와 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 전기광학효과를 가지고, 기본재료조성 혹은 결정방위의 상위에 의해 굴절률이 다른 단결정유전체기판을, 적어도 2매, 직접 접합한 기판, 혹은 이 기판의 소정의 부위에 형성된 유리막에 의해 접합기판, 혹은 이 기판의 소정의 부위에 형성된 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막에 의해 접합한 기판에, 그 굴절률의 차에 의해, 한쪽의 단결정유전체 기판내에 광이 가두어진 광도파로를 가지고, 그 광도파로를 통과하는 광을 전기광학효과에 의해 제어하도록한 구성으로 이루어진다.
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