-
公开(公告)号：KR101239134B1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020080125330
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00 , H01L29/868
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0156 , G02F2201/063 , G02F2201/12 , G02F2202/105 , G02F2202/32
Abstract: 본 발명은 흡수 광변조기에 관한 것이다. 본 발명의 흡수 광변조기는, 기판, 상기 기판 위에 형성된 절연층, 및 상기 절연층 위에 형성된 PIN 다이오드 구조의 도파로를 포함하되, 상기 도파로에 입력된 빛의 변조 동작시 상기 PIN 다이오드의 진성 영역의 흡수율이 변화되는 것을 특징으로 한다. 특히, 본 발명의 흡수 광변조기는 PIN 다이오드의 단면적을 크게 줄여 고속, 저전력소모, 소형의 특징을 얻을 수 있게 된다.
손실, 광변조기, 흡수율, 프리-엠퍼시스-
公开(公告)号：KR1020110027549A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020100066675
申请日：2010-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An electro-optic modulating device is provided to form vertical PN junctions or vertical PIN junctions in an optical waveguide, thereby increasing a change of an effective refractive index during a device operation. CONSTITUTION: A semiconductor film(30) configuring an optical waveguide(WG) is arranged on a substrate(10). The optical waveguide comprises the first slab part(SP1), the second slab part(SP2), and a lip part(RP). The lip part includes a thickness thicker than the first and second slab parts. The first and second doping areas(D1,D2) are formed on the first and second slab parts respectively. A vertical doping area(50) configuring a vertical structure is formed in the lip part.
Abstract translation: 目的：提供电光调制装置以在光波导中形成垂直PN结或垂直PIN结，从而在器件操作期间增加有效折射率的变化。 构成：构成光波导（WG）的半导体膜（30）配置在基板（10）上。 光波导包括第一板坯部（SP1），第二板坯部（SP2）和唇部（RP）。 唇部包括比第一和第二板坯部分厚的厚度。 第一和第二掺杂区域（D1，D2）分别形成在第一和第二平板部件上。 在唇部形成垂直结构的垂直掺杂区域（50）。
-
公开(公告)号：KR1020090059709A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020070126708
申请日：2007-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0232 , H01L31/12
CPC classification number: G02F1/218 , G02F2001/212 , G02F2201/302
Abstract: A semiconductor integrated circuit including a photoelectric device is provided to reduce a length of an optical waveguide part by installing the optical waveguide part of a thin thickness. A photoelectric device(150) is arranged on a substrate(100). The photoelectric device includes a semiconductor pattern(110). The semiconductor pattern includes an optical waveguide part(106) extended in a first direction and a pair of recessed parts(104) arranged in both sides of the optical waveguide part. The photoelectric device includes a first doped region(112) and a second doped region(114) formed in a pair of recessed parts. A first optical fiber is arranged on a top part of a first grating coupler. A second grating coupler is connected to an output terminal of the photoelectric device.
Abstract translation: 提供包括光电装置的半导体集成电路，通过安装薄的光波导部分来减小光波导部分的长度。 光电器件（150）布置在衬底（100）上。 光电器件包括半导体图案（110）。 半导体图案包括沿第一方向延伸的光波导部分（106）和布置在光波导部分两侧的一对凹部（104）。 光电器件包括形成在一对凹陷部分中的第一掺杂区域（112）和第二掺杂区域（114）。 第一光纤布置在第一光栅耦合器的顶部。 第二光栅耦合器连接到光电装置的输出端。
-
公开(公告)号：KR101284177B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020090121656
申请日：2009-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F1/015 , G02F2001/212
Abstract: 광전 소자가 제공된다. 광전 소자는 제1 입력 가지 및 제2 입력 가지를 포함하는 입력 와이 분지, 제1 출력 가지 및 제2 출력 가지를 포함하는 출력 와이 분지, 제1 입력 가지와 제1 출력 가지 사이에 직렬로 연결된 제1 광 변조기 및 제2 광 변조기, 제2 입력 가지와 제2 출력 가지를 연결하는 제3 광 변조기를 포함하되, 제1 광 변조기는 PIN 다이오드를 포함하고, 제2 및 제3 광 변조기는 각각 PN 다이오드를 포함한다.
마하 젠더, 광변조기, 다이오드-
公开(公告)号：KR101252747B1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：KR1020090081973
申请日：2009-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/212
Abstract: 광전 소자가 제공된다. 상기 광전 소자는 역바이어스 전압이 작용하는 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 접합층을 포함하되, 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층의 도핑농도는 2~4배의 차이를 가질 수 있어, 고속, 저전력화 및 고집적화에 최적화된 광전 소자가 제공될 수 있다.
다이오드, 역바이어스, 도핑 농도-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110064887A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090121656
申请日：2009-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F1/015 , G02F2001/212
Abstract: PURPOSE: A photoelectric device is provided to modulate the phase of an optical signal inputted by an optical modulator with an intrinsic or doped optical modulating unit. CONSTITUTION: An input Y basin(10) includes a first input branch and a second input branch. An output Y basin(20) includes a first output branch and a second output branch. A first optical modulator(100) and a second optical modulator(200) are connected in series between the first input branch and the first output branch. A third optical modulator(300) connects the second input branch with the second output branch. A first optical modulator includes a PIN diode. The second optical modulator and the third optical modulator include PN diodes respectively.
Abstract translation: 目的：提供一种光电装置，用于利用本征或掺杂的光调制单元来调制由光调制器输入的光信号的相位。 构成：输入Y盆（10）包括第一输入分支和第二输入分支。 输出Y盆（20）包括第一输出分支和第二输出分支。 第一光调制器（100）和第二光调制器（200）串联连接在第一输入分支和第一输出分支之间。 第三光调制器（300）将第二输入分支与第二输出分支连接。 第一光调制器包括PIN二极管。 第二光调制器和第三光调制器分别包括PN二极管。
-
公开(公告)号：KR1020110050203A
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020090107081
申请日：2009-11-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/212
Abstract: PURPOSE: An electro-optic device is provided to operate at high speed by including a plurality of depletion layers to reduce the capacitance of the electro-optic device. CONSTITUTION: In an electro-optic device, a substrate(100) comprises an optic area(A) and a peripheral area(B). An optical modulation unit(102) includes a first semiconductor of a first conductive type, a second semiconductor of a first conductive type, and a third semiconductor of a second conductive type. The first and second semiconductors include a first conductive doped area. The optical modulation unit includes a first sidewall and a second sidewall which are opposite to each other. A first recess part(104) and a second recess part(106) are connected to the both sidewalls of the optical modulation unit.
Abstract translation: 目的：提供电光装置以通过包括多个耗尽层来高速操作以减小电光装置的电容。 构成：在电光装置中，衬底（100）包括光学区域（A）和外围区域（B）。 光调制单元（102）包括第一导电类型的第一半导体，第一导电类型的第二半导体和第二导电类型的第三半导体。 第一和第二半导体包括第一导电掺杂区域。 光调制单元包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。 第一凹部（104）和第二凹部（106）连接到光调制单元的两个侧壁。
-
公开(公告)号：KR1020110024098A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090081973
申请日：2009-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/861
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2001/212
Abstract: PURPOSE: A photoelectric device is provided to implement high integration by a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer to which a reverse bias voltage is applied. CONSTITUTION: A photoelectric device(150) comprises a substrate, an optical modulation unit(130) and a pair of recess parts. The optical modulation unit is arranged on the substrate and includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and a junction layer interposed between the first and second conductive semiconductor layers. The pair of recess parts are extended from the optical modulation unit and have a thinner thickness than the thickness of the optical modulation unit. A reverse bias voltage is applied to the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种通过第一导电半导体层和施加反向偏置电压的第二导电半导体层来实现高集成度的光电装置。 构成：光电装置（150）包括基板，光调制单元（130）和一对凹部。 光调制单元布置在基板上，并且包括第一导电半导体层，第二导电半导体层和插入在第一和第二导电半导体层之间的接合层。 一对凹部从光调制单元延伸出来，其厚度比光调制单元的厚度薄。 反向偏置电压施加到第一导电半导体层和第二导电半导体层。
-
公开(公告)号：KR100958718B1
公开(公告)日：2010-05-18
申请号：KR1020070126708
申请日：2007-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0232 , H01L31/12
CPC classification number: G02F1/218 , G02F2001/212 , G02F2201/302
Abstract: 광신호의 위상을 변환시키는 광전 소자를 포함하는 반도체 집적회로를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 집적회로는 기판 상에 배치된 반도체 패턴을 포함한다. 반도체 패턴은 광도파로부 및 광도파로부 양측에 배치된 리세스부들을 포함한다. 광신호가 투과하는 광도파로부의 단면적을 감소시켜 고속으로 동작하고 고집적화 및/또는 저소비전력화에 최적화된 광전 소자를 포함하는 반도체 집적회로를 구현할 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.032 seconds)
