公开(公告)号：KR1020160058931A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：KR1020167010573

申请日：2015-08-19

Applicant: 눅테크 컴퍼니 리미티드

Inventor： 탕,화핑 ,  첸,지기앙 ,  리,유안징 ,  왕,용강 ,  친,잔펑

IPC: H01J35/14 ,  H01J35/08 ,  H01J35/06 ,  H01J35/18

CPC classification number: H01J35/065 ,  H01J3/021 ,  H01J35/14 ,  H01J2203/022 ,  H01J2203/0224 ,  H01J2203/0236 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068 ,  H05G1/52

Abstract: 본발명은전자소스와해당전자소스를사용하는 X선원에관한것이다. 본발명의전자소스는적어도두개의전자방출구역을포함하고, 매개상기전자방출구역은, 복수개의마이크로전자방출유닛을포함하며, 상기마이크로전자방출유닛은, 베이스층, 상기베이스층의상방에위치한절연층, 상기절연층의상방에위치한그리드층, 상기그리드층에위치한개구, 및상기베이스층에고정되여상기개구위치에대응하는전자이미터를포함하며, 동일한상기전자방출구역내의각 상기마이크로전자방출유닛사이는전기적으로연결되어, 동시에전자를방출하거나또는동시에전자를방출하지않으며, 상이한상기전자방출구역사이는전기적으로격리된다.

公开(公告)号：KR1020090083074A

公开(公告)日：2009-08-03

申请号：KR1020080009020

申请日：2008-01-29

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 하재상 ,  이상진

IPC: H01J1/30 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01J2203/022 ,  H01J2203/0224

Abstract: A backlight unit is provided to supply high voltage to an anode electrode and to secure the desired luminance. The backlight unit comprises the base substrate(110), the first electrode(120), the electronic emitting layer(150), the second electrode support portion(140), the second electrode(130), the fluorescent material layer(70) and the third electrode(80). The first electrode is arranged as line-shape on the base substrate. The electron emitting layer is located on the first electrode. The second electrode supporting unit is located on the base substrate. The fluorescent substance layer is arranged in order to be faced with the electronic emitting layer. The electrons of the electronic emitting layer are accelerated by the third electrode.

Abstract translation: 提供背光单元以向阳极电极提供高电压并确保期望的亮度。 背光单元包括基底（110），第一电极（120），电子发射层（150），第二电极支撑部分（140），第二电极（130），荧光材料层（70）和 第三电极（80）。 第一电极在基底基板上排列成线状。 电子发射层位于第一电极上。 第二电极支撑单元位于基底基板上。 布置荧光物质层以面对电子发射层。 电子发射层的电子被第三电极加速。

公开(公告)号：KR20070083112A

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：KR20060016404

申请日：2006-02-20

Applicant: SAMSUNG SDI CO LTD

Inventor： AHN SANG HYUCK ,  LEE SANG JO ,  JEA BYUNG GIL ,  JEON SANG HO ,  HONG SU BONG ,  CHO JIN HUI

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J29/467 ,  H01J29/481 ,  H01J2203/0204 ,  H01J2203/022 ,  H01J2203/0248 ,  H01J2329/041 ,  H01J2329/4617 ,  H01J2329/4647

Abstract: An electron emission device and an electron emission display device using the same are provided to suppress the generation of a sub-electron beam for inducing secondary emission by optimizing a ratio of a width of an electron emission part to a width of an aperture of a gate electrode. A plurality of first electrodes(14) are formed on a substrate(10). A plurality of electron emission parts(20) are electrically connected with the first electrodes. A plurality of second electrodes(18) are isolated from the first electrodes. A plurality of apertures are formed at intersections between the first and second electrodes in order to open the electron emission parts. A plurality of third electrodes(22) are isolated from the second electrodes in order to form apertures connected to the apertures of the second electrodes. The electron emission unit and the second electrodes satisfy simultaneously the following conditions D2/D1 0.579 and D2 1mum where D1 is a width of the aperture of the second electrode and D2 is a width of the electron emission part.

Abstract translation: 提供一种电子发射装置和使用该电子发射装置的电子发射显示装置，以通过优化电子发射部分的宽度与栅极的孔径的比例来抑制用于诱发二次发射的亚电子束的产生 电极。 多个第一电极（14）形成在基板（10）上。 多个电子发射部分（20）与第一电极电连接。 多个第二电极（18）与第一电极隔离。 为了打开电子发射部分，在第一和第二电极之间的交叉处形成多个孔。 多个第三电极（22）与第二电极隔离，以形成连接到第二电极的孔的孔。 电子发射单元和第二电极同时满足以下条件D2 / D1 0.579和D2 1mum，其中D1是第二电极的孔径的宽度，D2是电子发射部分的宽度。

公开(公告)号：TW201036029A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：TW099107945

申请日：2010-03-18

Applicant: 雙葉電子工業股份有限公司

Inventor： 白神崇生 ,  北川和典 ,  兼重敏男 ,  西村則雄

IPC: H01J

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/021 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2203/022 ,  H01J2329/4617

Abstract: 本發明提供一種能以簡單之步驟對某種程度之面積以一次進行加工之冷陰極電子源的製造方法。本發明之冷陰極電子源之製造方法係在基板1上重疊陰極電極2、絕緣層4及閘極電極5,以溶劑溶解不會相溶之聚合物A、B並使其被覆在閘極電極之表面。使溶劑蒸發而將聚合物A以微粒子狀析出在聚合物B中並予以固定化,再以顯影液去除聚合物A而形成蝕刻孔洞9,並進行蝕刻而在閘極電極形成孔洞6。並且,從孔洞6進行蝕刻而在絕緣層亦形成孔洞,在孔洞內形成射極而作成冷陰極電子源10。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种能以简单之步骤对某种程度之面积以一次进行加工之冷阴极电子源的制造方法。本发明之冷阴极电子源之制造方法系在基板1上重叠阴极电极2、绝缘层4及闸极电极5,以溶剂溶解不会相溶之聚合物A、B并使其被覆在闸极电极之表面。使溶剂蒸发而将聚合物A以微粒子状析出在聚合物B中并予以固定化,再以显影液去除聚合物A而形成蚀刻孔洞9,并进行蚀刻而在闸极电极形成孔洞6。并且,从孔洞6进行蚀刻而在绝缘层亦形成孔洞,在孔洞内形成射极而作成冷阴极电子源10。

公开(公告)号：TWI431661B

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：TW099107945

申请日：2010-03-18

Applicant: 雙葉電子工業股份有限公司 ,  FUTABA CORPORATION

Inventor： 白神崇生 ,  SHIRAGA, TAKAO ,  北川和典 ,  KITAGAWA, KAZUNORI ,  兼重敏男 ,  KANESHIGE, TOSHIO ,  西村則雄 ,  NISHIMURA, NORIO

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/021 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2203/022 ,  H01J2329/4617