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公开(公告)号：CN102121095B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010260204.0
申请日：2010-08-20
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/345 , H01J37/347
Abstract: 公开了一种溅射系统，其包括第一和第二溅射单元、第一和第二气体供应管、第一和第二基底支撑单元。第一溅射单元包括：彼此面对的第一和第二沉积材料板；磁场产生器，位于第一和第二沉积材料板的后面。第二溅射单元包括：第三沉积材料板，靠近第一沉积材料板；第四沉积材料板，靠近第二沉积材料板，面对第三沉积材料板；磁场产生器，位于第三和第四沉积材料板的后面。第一气体供应管位于第一和第三沉积材料板之间，将气体排放到第二和第四沉积材料板。第二气体供应管位于第二和第四沉积材料板之间，将气体排放到第一和第三沉积材料板。第一基底支撑单元朝向第一和第二沉积材料板的外边缘。第二基底支撑单元朝向第三和第四沉积材料板的外边缘。
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公开(公告)号：CN102560395A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010613102.2
申请日：2010-12-29
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 本发明公开了磁控源，磁控溅射设备和磁控溅射方法。磁控源包括：靶材；位于靶材上方的磁控管；与磁控管相连以控制磁控管在靶材上方移动的扫描机构；扫描机构包括：桃形轨道，磁控管可移动地设置在桃形轨道上；与桃形轨道的极坐标原点相连，所述第一驱动轴用于驱动桃形轨道绕第一驱动轴的轴线转动的第一驱动轴；与第一驱动轴相连，所述第一驱动器用于驱动第一驱动轴转动的第一驱动器；和用于通过传动组件驱动所述磁控管沿桃形轨道移动的第二驱动器。本发明的磁控源，一方面由第一驱动器驱动桃形轨道转动，另一方面通过第二驱动器控制磁控管沿桃形轨道的运动速度，从而可以提高靶材的利用率并能达到较理想的靶材刻蚀效果，且具备高金属离化率。
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公开(公告)号：CN102187431A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141150.1
申请日：2009-09-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/32082 , H01J37/3408 , H01J37/347 , Y10T156/10
Abstract: 本发明一般包括可用于射频溅射处理的溅射靶组件。溅射靶组件可包括背板以及溅射靶。背板可成形成具有一个或多个从背板朝溅射靶延伸的鳍件。溅射靶可接合至背板的鳍件。溅射处理期间使用的射频电流将可施加至位于一个或多个鳍件位置的溅射靶。鳍件可于对应于配置在背板后的磁控管所制造的磁场的位置从背板延伸。藉由控制射频电流耦合至对准磁场的溅射靶的位置，可控制溅射靶的腐蚀。
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公开(公告)号：CN102113091A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130469.4
申请日：2009-08-05
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/542 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/34 , H01J37/347 , H01L21/02266
Abstract: 在等离子增强物理汽相沉积反应器中，横越工件的沉积速率径向分布的均匀性通过施加射频与直流功率到靶材且独立地调整射频与直流功率的功率水平来提升。进一步最佳化可通过下述方式来达到：调整磁铁在靶材上方的高度；调整磁铁在靶材上方的轨道运动的半径；以及提供靶材的呈角度的边缘表面。
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公开(公告)号：CN104884667B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380068235.8
申请日：2013-11-28
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3441 , C23C14/34 , H01J37/32477 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/3405 , H01J37/347
Abstract: 基板处理设备具有处理腔、用以在处理腔内保持基板的基板保持器、设置在基板保持器的外周部处的第一屏蔽件以及设置在处理腔的内侧的第二屏蔽件。处理腔的内部空间至少由第一屏蔽件、第二屏蔽件以及基板保持器划分为外部空间和用以对基板进行处理的处理空间。基板保持器能够沿着与保持基板的基板保持面相垂直的驱动方向被驱动。在由第一屏蔽件和第二屏蔽件所形成的间隙中，在与驱动方向相垂直的方向上尺寸为最小的最小间隙部分的在与驱动方向相平行的方向上的长度就算是基板保持器沿驱动方向被驱动也不会改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106133181A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580017459.5
申请日：2015-02-19
Applicant: 因特瓦克公司
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , C23C14/56 , G11B5/851 , H01F41/183 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3452 , H01J37/347
Abstract: 一种用于将材料从靶材沉积到衬底上的系统，包括：处理室；溅射靶材，其具有长度L并且具有设置在该溅射靶材的前表面上的高磁性溅射材料；磁体组件，其是可操作的以接近该靶材的背面越过该长度L往复地扫描；并且该磁体组件包括：由磁性材料制成的背板；第一组磁体，其被呈单行设置在背板的中央并且具有被设置成面对该靶材的背面的第一磁极；和第二组磁体，其被围绕该背板的外围设置，以便环绕住该第一组磁体，第二组磁体具有与第一磁极相反的第二磁极并且被设置成面对该靶材的背面。
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公开(公告)号：CN105026609A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480011904.2
申请日：2014-02-25
Applicant: 零件喷涂公司
CPC classification number: H01J37/3455 , H01J37/345 , H01J37/347 , H01J37/3476 , H01J37/3479
Abstract: 一种用于旋转靶材阴极的磁控管组件包括刚性支撑结构；磁棒结构，所述磁棒结构可移动地附接到所述刚性支撑结构；和至少一个致动机构，所述至少一个致动机构耦接到所述刚性支撑结构并被配置以改变所述磁棒结构与可旋转靶筒的表面的距离。所述磁控管组件也包括位置指示机构，所述位置指示机构可操作以测量所述磁棒结构相对于所述可旋转靶筒的所述表面的位置。通信设备被配置以从所述磁控管组件的外部接收命令信号并将信息信号传输到所述磁控管组件的外部。
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公开(公告)号：CN102906303B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180027118.8
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分伸出到溅射面（231）的外周的外侧的位置之间移动，一边在反应气体环境中对靶材（211）进行溅射。靶材（211）的溅射面（231）整体被溅射，所以不会在靶材（211）上堆积绝缘性的化合物，不会产生发弧。
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公开(公告)号：CN102906302B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180027011.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 本发明提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。
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公开(公告)号：CN103710673A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310463956.0
申请日：2013-10-08
Applicant: 冯·阿德纳设备有限公司
Inventor： 汉斯-于尔根·海因里希 , 斯文·黑内 , 罗尔夫·兰克
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 本发明涉及一种溅镀磁控管和动态影响磁场的方法。溅镀磁控管包括：靶和磁体系统，其中靶和磁体系统能够相对彼此移置，并且所述磁体系统形成穿透所述靶的磁场；其中所述磁体系统具有支撑设备、其上布置有磁体的支撑板和致动器，并且所述支撑设备通过所述致动器可连接至所述支撑板，以便能够至少分段设置所述磁体系统和所述靶之间的距离；冷却回路，用于借助冷却剂冷却所述磁体布置和所述靶；层测量工具，用于获得沉积在所述衬底上的至少一层的层特性的数据；和磁体系统控制器，用于评估所获得的数据并且用于产生操纵变量，其中所述操纵变量是所述致动器的输入变量。
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