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公开(公告)号：CN103730305A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210381738.8
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环；切断所述多个导电环、绝缘层以及碳纳米管线状结构，形成多个场发射电子源。
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公开(公告)号：CN101823688B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200910105873.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括至少一碳纳米管；形成一金属包覆层在所述碳纳米管结构中至少一个碳纳米管的外表面；给所述碳纳米管结构在真空中通电，使所述碳纳米管外表面的金属包覆层熔融并与该碳纳米管中的碳原子反应，在所述碳纳米管外表面形成多个金属碳化物颗粒。本发明所提供的碳纳米管复合材料的制备方法，加热方式简单，无需复杂的退火工艺，从而能够简化所述碳纳米管复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN1992141B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200710003710.X
申请日：2001-09-27
Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学
CPC classification number: H01J35/14 , A61B6/032 , A61B6/4021 , A61B6/4028 , A61B6/405 , A61B6/4488 , A61B6/482 , B82Y10/00 , H01J35/065 , H01J35/22 , H01J2201/30469 , H01J2235/064 , H01J2235/068 , H05G1/34 , Y10S977/939
Abstract: 一种X-射线发生装置包括场发射阴极，该阴极至少部分地由具有至少4A/cm2的发射电子电流密度的包含纳结构(1110)的材料形成。由于在阴极(1110)和栅或阳极(1130)之间易于聚焦冷阴极发射电子和以不同的阳极材料(1130)聚焦电子束，因此可以实现高的能量转换效率和紧凑的设计(1100)，并且从单个装置中可以产生具有不同能量的脉冲发送的X-射线辐射。
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公开(公告)号：CN103295853A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210042270.X
申请日：2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/14 , H01J1/16 , H01J29/04 , H01J31/123 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源，其包括一碳纳米管微尖结构，该碳纳米管微尖结构包括：一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有一边缘；一图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部相连以形成一尖端，该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置，该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN103288033A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210042273.3
申请日：2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B2201/12 , G01Q70/12 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J2201/30469 , Y10T156/1052 , Y10T156/1064 , Y10T156/1077 , Y10T156/1082
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管膜结构及一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有至少一带状凹部；将该碳纳米管膜结构覆盖于该绝缘基底的表面，并使部分该碳纳米管膜结构覆盖于所述带状凹部，并在该带状凹部处悬空设置；激光刻蚀该碳纳米管膜结构的悬空设置的部分，在该碳纳米管膜结构上形成一第一镂空图案，并形成与该第一镂空图案对应的图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部连接形成一尖端，该尖端在该带状凹部处悬空设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102082051B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010616298.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/3044 , H01J2201/3043 , H01J2201/30469 , H01J2209/0226
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管线尖端的制备方法，其包括：提供一碳纳米管线；以及仅采用扫描功率大于等于1瓦且小于10瓦，及扫描速度小于200毫米/秒的激光烧断所述碳纳米管线，形成一锥形碳纳米管线尖端。本发明还提供一种场发射结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN102714119A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180006212.5
申请日：2011-01-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , H01J2329/0444 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明为一种电子发射源用膏料，其是含有电子发射源用碳材料、磷酸系玻璃和平均粒径为0.1μm～1.0μm的导电性颗粒的电子发射源用膏料，其中，磷酸系玻璃含有25摩尔%～70摩尔%的P2O5成分，导电性颗粒为含有导电性氧化物的颗粒、或者为氧化物表面的一部分或全部涂布有导电性氧化物的颗粒。本发明提供一种电子发射源，其中，通过所述电子发射源用膏料而能够同时良好地保持电子发射源用碳材料与阴极电极基板的强粘接性和电子发射源的导电性，并且能够在低电压下发射电子。
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公开(公告)号：CN101189372B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200680013909.4
申请日：2006-04-25
Applicant: 斯莫特克有限公司
Inventor： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔
CPC classification number: C23C16/04 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C23C16/26 , D01F9/08 , D01F9/127 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2237/31786 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。
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公开(公告)号：CN102365703A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080013764.4
申请日：2010-03-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·K·迪尔
CPC classification number: H01J35/065 , A61B6/4028 , A61B6/4441 , G01N23/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明提出电子发射器(1)和包括这样的电子发射器(1)的X射线管(100)。电子发射器(1)包括阴极(3)和阳极(5)，其中，阴极(3)包括彼此间隔开的多个局部区域(11)的电子发射图案(9)，每个区域适于在将电场施加于阴极(3)和阳极(5)之间时经由场发射局部地发射电子。从局部区域(11)发射的电子束(15)可以生成特定的几何图案中的若干个X射线源强度最大值。能够通过使用X射线源(100)的特定的强度图案并通过将诸如编码源成像(CSI)的专用解码算法应用于所采集的图像而校正由于探测器上的重叠的图像而导致的空间分辨率的明显的损失。
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公开(公告)号：CN101442848B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710124674.2
申请日：2007-11-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/305 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2237/06341 , H01J2237/317 , H05B2214/04 , Y10S977/742
Abstract: 本发明涉及一种局域加热物体的方法，包括以下步骤：提供一待加热的物体和一电子发射源，该电子发射源具有一电子发射端，该待加热物体具有一待加热端；将该待加热物体和该电子发射源放入一真空环境中，并使该电子发射源的电子发射端正对待加热物体的待加热端设置；在所述待加热物体和电子发射源之间施加一电压，所述电子发射源发射的电子轰击所述待加热物体的待加热端，对该待加热物体进行局域加热。
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