公开(公告)号：CN1877775B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200510023037.7

申请日：2005-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李炫知 ,  金昌昱

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J1/14 ,  H01J9/42

CPC classification number: H01J63/02 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种包括纳米尺寸无机材料和载体的制备电子发射源的组合物、用该组合物制备电子发射源的方法、包括纳米尺寸无机材料和少量残余的碳的电子发射源，以及包括电子发射源的电子发射装置。

公开(公告)号：CN101388319B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710077111.2

申请日：2007-09-14

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 冯辰 ,  柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  F21V9/14

CPC classification number: H01J63/04 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种场发射偏振光源，其包括：一具有一平整表面的基板、一形成在该基板表面的阴极导电层、多个设置在该阴极导电层上的电子发射体、一与该阴极导电层相隔一定距离设置的一透明基板、一形成于该透明基板靠近电子发射体一侧的阳极层、一设置在该阳极层表面的荧光层，其中，该阳极层为碳纳米管薄膜结构且该碳纳米管薄膜结构中的碳纳米管择优取向排列。

公开(公告)号：CN1906724B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580001426.8

申请日：2005-06-03

Applicant: 韩国电子通信研究院

Inventor： 宋润镐 ,  李镇浩 ,  姜光镛

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J3/021 ,  B82Y10/00 ,  H01J29/467 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 提供了一种场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置。所述场致发射器件包括：阴极部分，所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体；形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分；以及场致发射诱发栅极部分，所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和形成在所述金属网的至少一部分上的介电层，其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射，并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。根据这种结构，能够显著改善场致发射器件的传统问题，包括栅极漏电流、由阳极电压引起的电子发射和电子束发散。

公开(公告)号：CN101039873B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200580029941.7

申请日：2005-11-10

Applicant: 尼康股份有限公司

Inventor： 泷优介 ,  筱原清晃

IPC: C01B31/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/36 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管集合体的制造方法，其含有：在基板上形成既定粒径的金属微粒的步骤；使该金属微粒于还原环境气氛中加热至300℃～400℃的既定温度使表面还原的步骤；使该金属微粒于反应炉内加热至既定的反应温度的步骤；将有机化合物蒸气导入至反应炉而在该金属微粒上成长碳纳米管的步骤，其从开始对该金属微粒进行加热后、至碳纳米管开始成长的期间，是使该金属微粒的温度超过450℃的时间为600秒以内。

公开(公告)号：CN101681751A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017294.1

申请日：2008-05-28

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明涉及在包括电子发射源和透镜的电子柱结构中使用附着有一个或多个碳纳米管(CNT)的电子发射源的电子柱。更具体地，本发明涉及容易地对准碳纳米管(CNT)针尖的方法以及能够使用该方法的电子柱。

公开(公告)号：CN100592451C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200510091394.7

申请日：2005-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李炫知 ,  金昌昱

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 电子发射源的形成方法，该方法包括：在基质上提供碳纳米管层；将碳纳米管层固定到基于有机硅氧烷的材料上；固化固定到碳纳米管层的基于有机硅氧烷的材料；从基质上分离碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜；将碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜层合到电子发射源形成基质上；并且热处理层合到电子发射源形成基质上的碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜。

公开(公告)号：CN100585785C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610139236.9

申请日：2006-09-20

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 藤枝正 ,  日高贵志夫 ,  林原光男

IPC: H01J37/073 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/073 ,  H01J37/28 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/30 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/745

Abstract: 本发明提供一种具有不会破坏纤维状碳物质前端部，可去除其前端部存在的非晶碳的机构的场致发射型电子枪及其运转方法。为解决本发明的课题的机构的场致发射型电子枪，其包括：由单一的纤维状碳物质和支撑其的导电性基体材料构成的场致发射型阴极；使电子场致发射的引出装置；以及使电子加速的加速装置；该场致发射型电子枪具备：加热该场致发射型阴极的机构以及对该场致发射型阴极施加不使电子进行场致发射电的极性的电压的机构。

公开(公告)号：CN100584751C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510004590.6

申请日：2005-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑守桓 ,  朴玩濬 ,  柳寅儆 ,  高朱惠

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  C23C14/06

CPC classification number: C30B29/602 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C23C26/00 ,  C30B25/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。

公开(公告)号：CN100573809C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610060043.4

申请日：2006-03-24

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 潜力 ,  刘亮 ,  柳鹏 ,  唐洁 ,  魏洋 ,  范守善

IPC: H01J63/00 ,  H01J61/04 ,  H01J61/26 ,  H01J61/36 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01J63/06 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J7/183 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射平面显示光源，其包括阳极、与阳极对应设置的阴极、设置在阳极和阴极之间使二者相互隔开的多个支撑条和固定阳极、阴极和支撑条并在其内部形成一密封空间的边封体。阳极包括一个阳极基板、设置在阳极基板上的阳极导电层和设置在阳极导电层上的荧光层。阴极包括一个阴极基板、设置在阴极基板上的阴极导电层和设置在阴极导电层上且与阳极的荧光层相对应的电子发射层。其中，电子发射层包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。本发明还涉及制造上述场发射平面显示光源的方法。

公开(公告)号：CN100568436C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200510113205.1

申请日：2005-10-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李亢雨 ,  陈勇完 ,  韩仁泽 ,  金夏辰 ,  裵民钟

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/481 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。