High-voltage bushing
    43.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2008507829A

    公开(公告)日:2008-03-13

    申请号:JP2007522892

    申请日:2005-07-05

    CPC classification number: H01B17/28

    Abstract: 導電体(2)及びこの導電体(2)を取り囲むコア(3)を有する高電圧ブッシング(1)であって、ここで、コア(3)は、シート状のスペーサ(4)を有し、このスペーサ(4)には、電気的に絶縁性のマトリクス材料(6)が含浸されている。 その特徴は、スペーサ(4)は、マトリクス材料(6)で充填可能な多数の孔(9)を有していることである。 好ましくは、スペーサ(4)は、ネット状またはメッシュ状である。 それは、繊維のネットであっても良い。 このブッシング(1)は、コアの内部にイコライジングプレート(5)を有するファイン・グレーディド・ブッシング(1)であっても良い。 マトリクス材料(6)として、粒子充填樹脂(6)を使用することが可能である。

    Fiber optic sensor coil and current or a magnetic field sensor

    公开(公告)号:JP2007537424A

    公开(公告)日:2007-12-20

    申请号:JP2007511821

    申请日:2005-04-21

    CPC classification number: G01R15/247 G01R35/005

    Abstract: 光電流または磁場センサー(1)のための光ファイバー・センサー・ヘッド(2)であって、少なくとも一つの偏光規定要素(4,5)に光学的に接続された磁気光学的にアクティブなセンサー・ファイバー(3)を含む光ファイバーを有している。 ここで、前記センサー・ファイバー(3)は、測定されるべき磁場の中に、または測定されるべき電流が流れる導体(L)の周りに、配置されることが可能であって、且つコイル(8)の形態である。 このコイル(8)は、表面の法線(NS)を有するコイル平面(A)を規定し、且つ、前記少なくとも一つの偏光規定要素(4,5)は、マークされた軸(f)を有している。 前記センサー・ヘッド(2)は、前記センサー・ファイバー(3)の領域内でフレキシブルであり、且つ、調整手段(10)が、前記マークされた軸(f)と前記表面の法線(NS)の間の、予め設定可能な角度βの調整のために、または、前記マークされた二つの軸(f)と前記表面の法線(NS)の間の、予め設定可能な角度β,β'の調整のために、設けられている。 前記角度または角度β,β'が、センサーのキャリブレイションに影響を与えることが、見出された。 前記調整手段(10)は、好ましくは、取付けボディ(11)を含んでいて、この取付けボディに、前記少なくとも一つの偏光規定要素(4,5)が固定される。 前記角度または角度β,β'は、この取付けボディ(11)により予め設定される。 前記マーキング(9a、9b)は、前記コイル(8)が整数の巻数を有することを確実にすることを可能にする。

    Rotating electrical machine and a method of forming the same

    公开(公告)号:JP2004505595A

    公开(公告)日:2004-02-19

    申请号:JP2002515690

    申请日:2001-07-05

    CPC classification number: H02K15/026

    Abstract: 【課題】
    【解決手段】本発明は、内側に配置されているロータ(2)と、外側に配置されているステータ(3)とを有する回転電気マシーン(1)に関する。 これら2つは、各々、1つのストリップ(5、6)を巻くことにより形成されている。 各ストリップ(5、6)は、複数の分割部分(51、61)に分けられており、これら分割部分は、前記ロータ(2)あるいはステータ(3)の内側及び外側の曲率半径に適合されている。 各分割部分(51、61)は、規定の個数のスロット(52、62)を有し、これらスロットは、巻くことにより前記ロータ(2)あるいはステータ(3)を形成したとき、一方が厳密に他方の後方にあるように配置されており、この結果、キャビティ(2H、3H)が、電気巻線を収容するように形成されている。

    POWER SEMICONDUCTOR MODULE
    48.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2003197864A

    公开(公告)日:2003-07-11

    申请号:JP2002353268

    申请日:2002-12-05

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor module having a unit with a large blocking voltage per physical height. SOLUTION: The power semiconductor module (1) comprises a housing (5), a covering panel (11) and at least two submodules (21, 22). The submodules (21, 22) each comprises at least one semiconductor chip, which has two main electrodes which are electrically conductively connected to main connections (3, 4) of the submodules. The submodules (21, 22) are arranged alongside one another, and one of their two main surfaces is pressed against the covering panel (11) of the module. The submodules are electrically connected in series. The maximum blocking voltage of the module is doubled by connecting the submodules, which are arranged alongside one another, in series. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

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