公开(公告)号：WO2007012327A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：PCT/DE2006/001323

申请日：2006-07-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AVRAMESCU, Adrian ,  HÄRLE, Volker ,  HÖPPEL, Lutz ,  PETER, Matthias ,  SABATHIL, Matthias ,  STRAUSS, Uwe

Inventor： AVRAMESCU, Adrian ,  HÄRLE, Volker ,  HÖPPEL, Lutz ,  PETER, Matthias ,  SABATHIL, Matthias ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3407 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Anmeldung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (20) mit folgender Abfolge von Bereichen in einer Wachstumsrichtung (c) des Halbleiterchips (20): eine p-dotierte Barriereschicht (1), für einen aktiven Bereich (2), der aktive Bereich (2), der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, wobei der aktive Bereich auf einem hexagonalen Verbindungshalbleiter basiert, und eine n-dotierte Barriereschicht (3) für den aktiven Bereich (2) . Ferner betrifft die Anmeldung ein Bauelement mit solch einem Halbleiterchip (20) und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips (20).

Abstract translation: 本申请涉及的光电子半导体芯片（20）在生长方向上的半导体芯片的字段的下列序列（c）中（20）包括：p型掺杂的势垒层（1），有源区（2），所述有源区（2）， 这是适合于产生电磁辐射，其中，所述有源区域是基于六方晶系化合物半导体，以及用于所述有源区（2）n型掺杂的阻挡层（3）。 此外，本申请涉及与这种半导体芯片（20）和用于制造这样的半导体芯片（20）的方法的装置。

公开(公告)号：WO2006018071A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：PCT/EP2005/007321

申请日：2005-07-07

Applicant: LINDE AG ,  SAUDI BASIC INDUSTRIES CORPORATION ,  BÖLT, Heinz ,  FRITZ, Peter, Matthias ,  HACKNER, Holger ,  ABURAQABAH, Atieh ,  ZAHOOR, Mohammed ,  MOSA, Fuad

Inventor： BÖLT, Heinz ,  FRITZ, Peter, Matthias ,  HACKNER, Holger ,  ABURAQABAH, Atieh ,  ZAHOOR, Mohammed ,  MOSA, Fuad

IPC: B01J31/04

CPC classification number: B01J31/04 ,  B01J31/143 ,  B01J31/2226 ,  B01J31/26 ,  B01J2231/20 ,  B01J2531/48 ,  C07C2/30 ,  C08F10/02 ,  C08F4/16 ,  C08F4/642

Abstract: The invention relates to a homogeneous catalyst for the production of linear alpha-olefins by oligomerisation of ethylene, consisting of a zirconium salt of organic acids and a cocatalyst which consists of alkylaluminiums and/or aluminium chloride. The activity of the catalyst, system may sometimes be raised substantially by adjusting the molar ratio of chlorine to aluminium in the cocatalyst within the range between 1.0 and 1.5. The economic viability of the production process and product purity are improved.

Abstract translation: 本发明涉及用于通过由有机酸的锆盐和由烷基铝和/或氯化铝组成的助催化剂组成的乙烯低聚制备线性α-烯烃的均相催化剂。 有时催化剂体系的活性可以通过调节助催化剂中氯与铝的摩尔比在1.0和1.5之间的范围来显着提高。 改善了生产工艺和产品纯度的经济可行性。

公开(公告)号：WO2012152552A3

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/EP2012057056

申请日：2012-04-18

Applicant: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH ,  RUSSE PETER MATTHIAS ,  SCHWARTE ANSELM ,  WIEHOFF HANS-JOERG

Inventor： RUSSE PETER MATTHIAS ,  SCHWARTE ANSELM ,  WIEHOFF HANS-JOERG

IPC: F02D41/20 ,  F02D41/24 ,  F02D43/02

CPC classification number: F02M51/0603 ,  F02D35/023 ,  F02D35/027 ,  F02D41/2096 ,  F02D41/2467 ,  F02D2041/1419 ,  F02D2041/2055 ,  F02D2041/2058 ,  F02D2200/0602 ,  F02D2200/063

Abstract: The invention relates to a control method for an injection valve for injecting fuel into an internal combustion engine, wherein at least one control signal for actuating a drive of the injection valve is generated in recurring injection cycles and as a function of a target stroke height of a closing element of the injection valve, wherein the drive is actuated by the control signal in order to lift the closing element to the target stroke height and the closing element is lifted to an actual stroke height by means of the drive, wherein at least one measured parameter correlated with the actual stroke height is captured and the actual stroke height is determined as a function of said at least one measured parameter, wherein the control signal is generated in at least one of the subsequent injection cycles as a function of a deviation of the actual stroke height from the target stroke height. The invention further relates to a corresponding injection system.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于喷射阀的控制方法，用于通过将燃料喷射到内燃发动机，其中，用于控制所述喷射阀的驱动器的至少一个控制信号在重复注射周期中产生的，并且依赖于喷射阀的在每种情况下的封闭元件的所希望的提升高度，所述驱动 控制信号被驱动以提升闭合构件向期望的提升高度和由驱动到实际行程高度的装置的封闭元件上升时，至少一个与实际提升高度检测测量的变量与实际提升高度，因为这至少一个测量的变量的函数相关 其中所述控制信号在随后的注射循环中的至少一个产生响应于所希望的提升高度的实际升程的偏差被确定。 本发明还涉及一种相应的喷射系统。

公开(公告)号：WO2009006870A3

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：PCT/DE2008001039

申请日：2008-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS ,  PETER MATTHIAS ,  STRAUSS UWE

Inventor： STRASSBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS ,  PETER MATTHIAS ,  STRAUSS UWE

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

Abstract: A radiation-emitting semiconductor body having a contact layer (3) and an active zone (7) is specified, wherein the semiconductor body has a tunnel junction (4) which is arranged between the contact layer and the active zone, and the active zone has a multiple quantum well structure containing at least two active layers (71) which emit electromagnetic radiation into the semiconductor body when an operating current is impressed.

Abstract translation: 本发明提供一种发射辐射的半导体体与接触层（3）和有源区（7），其中，所述半导体本体包括设置在所述接触层和所述有源区的隧道结（4）之间和所述有源区包括多量子阱结构，包括至少两个有源层 （71），其在半导体本体中留下深刻印象的操作电流发射电磁辐射。

公开(公告)号：WO2009067983A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：PCT/DE2008/001882

申请日：2008-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine LED, die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (7), einen n-Kontakt (10), einen p-Kontakt (9) und eine Stromaufweitungsschicht (4) aufweist, angegeben. Die Stromaufweitungsschicht (4) ist zwischen der aktiven Schicht (7) und dem n-Kontakt (10) angeordnet. Ferner weist die Stromaufweitungsschicht (4) eine sich mehrfach wiederholende Schichtfolge auf, die mindestens eine n-dotierte Schicht (44), eine undotierte Schicht (42) und eine Schicht aus Al x Ga 1-x N (43), mit 0 x Ga 1-x N (43) weist einen Konzentrationsgradienten des Al-Gehalts auf.

Abstract translation: 它包括一个发射辐射的有源层（7），n接触（10），p接触（9）和一个电流扩散层（4）表示的LED。 活性层之间的电流扩散层（4）（7）和设置成n接触（10）。 此外，电流扩散层（4）具有层的多次重复的序列，包括至少一个n型掺杂层（44），未掺杂层（42）和的AlxGa1-Xn中的一个层（43）中，用0 X嘎1-X N（43） 具有Al含量的浓度梯度。

公开(公告)号：WO2009033448A3

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：PCT/DE2008/001426

申请日：2008-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AVRAMESCU, Adrian, Stefan ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  PETER, Matthias ,  MILLER, Stephan

Inventor： AVRAMESCU, Adrian, Stefan ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  PETER, Matthias ,  MILLER, Stephan

IPC: H01L33/00

Abstract: Es wird eine lichtemittierende Struktur (7) angegeben mit einem p-dotierten Gebiet (1) zur Injektion von Löchern, einem n-dotierten Gebiet (2) zur Injektion von Elektronen, mindestens einem InGaN-Quantentopf (4) einer ersten Sorte und mindestens einem InGaN-Quantentopf (5) einer zweiten Sorte, die zwischen dem n-dotierten Gebiet (2) und dem p-dotierten Gebiet (1) angeordnet sind, wobei der InGaN-Quantentopf (5) der zweiten Sorte einen höheren Indiumgehalt aufweist als der InGaN-Quantentopf (4) der ersten Sorte.

公开(公告)号：WO2009006870A2

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：PCT/DE2008/001039

申请日：2008-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias ,  STRAUSS, Uwe

Inventor： STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/32 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit einer Kontaktschicht (3) und einer aktiven Zone (7) angegeben, wobei der Halbleiterkörper einen zwischen der Kontaktschicht und der aktiven Zone angeordneten Tunnelübergang (4) aufweist und die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die mindestens zwei aktive Schichten (71) enthält, die bei Einprägen eines Betriebsstroms in den Halbleiterkörper elektromagnetische Strahlung emittieren.

Abstract translation:

这是一个辐射Halbleiterk＆OUML;指定体与接触层（3）和有源区（7），其中，所述Halbleiterk＆OUML;主体上的设置在接触层和所述有源区的隧道导航用途过渡（4）之间 并且所述有源区包括多量子阱结构，所述多量子阱结构包括至少两个有源层（71），所述至少两个有源层在暴露于所述半导体本体

公开(公告)号：WO2007147505A3

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：PCT/EP2007005165

申请日：2007-06-12

Applicant: UNIV BERN ,  ETH ZUERICH ,  BOUILLON THOMAS ,  CARUSO ANTONELLO ,  LUGINBUEHL MARTIN ,  MORARI MANFRED ,  SCHUMACHER PETER MATTHIAS ,  ZANDERIGO ELEONORA

Inventor： BOUILLON THOMAS ,  CARUSO ANTONELLO ,  LUGINBUEHL MARTIN ,  MORARI MANFRED ,  SCHUMACHER PETER MATTHIAS ,  ZANDERIGO ELEONORA

IPC: A61M5/172 ,  A61B5/00 ,  A61K31/05 ,  A61K31/445 ,  A61K31/4468 ,  A61K31/4535 ,  A61M19/00

CPC classification number: A61M19/00 ,  A61B5/14542 ,  A61B5/1477 ,  A61B5/417 ,  A61B5/4821 ,  A61K31/05 ,  A61K31/445 ,  A61M5/1723 ,  A61M2202/048 ,  A61M2230/202 ,  A61M2230/208 ,  A61M2230/432 ,  A61K2300/00

Abstract: A system for controlling administration of a respiratory depressant drug or mixture of drugs to a spontaneously breathing patient comprises a drug delivery unit (3), being adapted for indexed or continuous and automatic titration of a respiratory depressant drug or mixture of such drugs to said patient (1), and a control apparatus (6), receiving measurement signals (20) relative to the respiratory state of said patient (1) and issuing control signals (27) to said drug delivery unit (3), wherein the control apparatus is adapted to keep said measurement signals relative to the respiratory state to a predetermined condition and thereby providing adequate sedation and/or analgesia to said patient.

Abstract translation: 用于控制呼吸抑制剂药物或药物混合物对自发呼吸的患者的给药的系统包括药物递送单元（3），适于将呼吸抑制药物或这种药物的混合物的指数化或连续和自动滴定给所述患者 （1）和控制装置（6），其接收相对于所述患者（1）的呼吸状态的测量信号（20），并向所述药物输送单元（3）发出控制信号（27），其中所述控制装置 适于将所述测量信号相对于呼吸状态保持在预定条件，从而为所述患者提供足够的镇静和/或止痛。

公开(公告)号：WO2006119927A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：PCT/EP2006/004233

申请日：2006-05-05

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG e. V. ,  SCHOLZ, Ferdinand ,  BRÜCKNER, Peter ,  HABEL, Frank ,  PETER, Matthias ,  KÖHLER, Klaus

Inventor： SCHOLZ, Ferdinand ,  BRÜCKNER, Peter ,  HABEL, Frank ,  PETER, Matthias ,  KÖHLER, Klaus

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  Y10S117/915 ,  Y10T428/24355

Abstract: An epitaxial growth process for producing a thick III-N layer, wherein III denotes at least one element of group III of the periodic table of elements, is disclosed, wherein a thick III-N layer is deposited above a foreign substrate. The epitaxial growth process preferably is carried out by HVPE. The substrate can also be a template comprising the foreign substrate and at least one thin III-N intermediate layer. The surface quality is improved by providing a slight intentional misorientation of the substrate, and/or a reduction of the N/III ratio and/or the reactor pressure towards the end of the epitaxial growth process. Substrates and semiconductor devices with such improved III-N layers are also disclosed.

Abstract translation: 公开了用于生产厚III-N层的外延生长方法，其中III表示元素周期表第III族中的至少一种元素，其中在异物底物上方沉积厚的III-N层。 外延生长工艺优选通过HVPE进行。 衬底也可以是包含异质衬底和至少一个薄III-N中间层的模板。 通过提供衬底的轻微故意取向，和/或在外延生长过程结束时降低N / III比和/或反应器压力来改善表面质量。 还公开了具有这种改进的III-N层的衬底和半导体器件。

公开(公告)号：WO2004108810A1

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/EP2004/006140

申请日：2004-06-07

Applicant: HUMANAUTOCELL GMBH ,  GÖRNE, Martin ,  KAUFMANN, Peter, Matthias

Inventor： GÖRNE, Martin ,  KAUFMANN, Peter, Matthias

IPC: C08J9/26

CPC classification number: A61L27/3886 ,  A61L27/26 ,  A61L27/3804 ,  A61L27/3895 ,  A61L27/56 ,  A61L27/58

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft poröse Matrices auf Basis eines biologisch verträglichen Polymers oder Polymergemisches, darauf aufbauende Zellimplantate, weitere Zellimplantate auf Basis von Zellgemischen aus Hepatozyten und Langerhans'schen Inselzellen, ein Verfahren zur Herstellung poröser Matrices sowie die nach diesem Verfahren erhältlichen Matrices, und ein spezielles Verfahren zur Gewinnung von Zellen für die Beimpfung einer implantierbaren Matrix.

Abstract translation: 本发明涉及基于生物相容的聚合物或聚合物混合物的多孔基质在其上的细胞的植入物，肝细胞和朗格汉斯细胞，用于生产多孔基质以及获得的矩阵的通过该方法的过程的胰岛的细胞混合物的基础上，其他细胞的植入物，和一种特殊的基于 用于获得细胞的可植入基质的接种方法。