公开(公告)号：CN100388469C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510074714.8

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 五十岚优助 ,  高草木贞道 ,  水原秀树 ,  臼井良辅

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L41/083

CPC classification number: H01L23/5383 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0266 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，具有多层配线结构，且散热性也优良。本发明的电路装置(10)中，具有第一导电图(18A)及第二导电图案(18B)的多层配线结构形成于电路衬底(16)的表面。在电路衬底表面的整个区域形成第一绝缘层(17A)。第一导电图案(18A)和第二导电图案(18B)通过第二绝缘层(17B)绝缘。第二绝缘层(17B)中含有的填充物的量比第一绝缘层(17A)中含有的填充物少，且其直径小。因此，容易贯通第二绝缘层(17B)连接两导电图案。

公开(公告)号：CN1812063A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510119326.7

申请日：2003-12-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  五十岚优助 ,  坂本则明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85913 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/284 ,  H05K3/381 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电路装置的制造方法，通过向在导电配线层上形成的外敷层树脂照射等离子体，提高外敷层树脂和密封树脂层的粘附。设置介由层间绝缘层(22)层积的第一导电膜(23A)及第二导电膜(23B)。通过选择地除去第一导电膜形成第一导电配线层(12A)，并由外敷层树脂(18)覆盖第一导电配线层。通过在外敷层树脂(18)上照射等离子体进行其表面的粗糙化。形成密封树脂(17)，以覆盖粗糙化的外敷层树脂(18)表面及电路元件(13)。

公开(公告)号：CN1744314A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510098020.8

申请日：2005-09-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  臼井良辅

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/00 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/183 ,  H05K1/185 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4644 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种具有层积结构的半导体装置及其制造方法。其提供一种使半导体装置小型化的方法。半导体装置(100)包括：基体部件(20)，半导体芯片(10a、10b)，片状部件(12a、12b)，绝缘基体部件(30)，配线图案(34)，通路塞(32)，外部引出电极(36)，凹部(40)，树脂(50)。绝缘基体部件(30)具有多层结构，是层积多个绝缘膜而形成的。半导体芯片(10a)及片状部件(12a)安装在基体部件(20)，埋入绝缘基体部件(30)中。半导体装置(100)的表面形成有凹部(40)，其深度直至某配线导体层，在凹部(40)安装有半导体芯片(10b)、片状部件(12b)。

公开(公告)号：CN1705105A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510074714.8

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 五十岚优助 ,  高草木贞道 ,  水原秀树 ,  臼井良辅

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L41/083

CPC classification number: H01L23/5383 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0266 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，具有多层配线结构，且散热性也优良。本发明的电路装置(10)中，具有第一导电图(18A)及第二导电图案(18B)的多层配线结构形成于电路衬底(16)的表面。在电路衬底表面的整个区域形成第一绝缘层(17A)。第一导电图案(18A)和第二导电图案18(B)通过第二绝缘层(17B)绝缘。第二绝缘层(17B)中含有的填充物的量比第一绝缘层(17A)中含有的填充物少，且其直径小。因此，容易贯通第二绝缘层(17B)连接两导电图案。

公开(公告)号：CN1677651A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510062815.3

申请日：2005-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  児岛则章 ,  渡辺裕之

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/03 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K3/4688 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/287 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4655 ,  H05K2201/068 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种搭载元件的元件搭载基板，其中，构成光致抗焊剂层(328)的材料使用作为母料的卡尔多型聚合物和规定的添加剂，可以抑制空穴和凹凸等发生的状态形成薄膜。因此，构成光致抗焊剂层(328)的材料可使用25μm程度厚度的薄膜，作为光致抗焊剂层(328)的材料与通常使用的树脂材料的厚度35μm程度比较，约为2/3的厚度。因此，可实现元件搭载基板(400)的小型化。

公开(公告)号：CN1604321A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410083360.9

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  中村岳史

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其多层层积由层间绝缘膜及铜配线构成的配线层，在最上层形成抗焊料剂层，构成多层配线结构。在其表面上设置第一元件及第二元件和电路元件。将第一元件及第二元件通过粘接层粘接。第一元件上面作为等离子处理面，在该面上搭载第二元件。

公开(公告)号：CN1604320A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410083359.6

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  中村岳史

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/244 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/095 ,  Y10S438/906 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜，再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。

公开(公告)号：CN1531071A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028381.0

申请日：2004-03-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/12 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置。其包括：层间绝缘膜(405)以及绝缘膜(409)；埋设在绝缘膜(409)内的配线(407、408a、408b)；载置在绝缘膜(409)上的电路元件(410a、410b)；覆盖电路元件(410a、410b)而形成的封闭膜(415)；覆盖封闭膜(415)而形成的导电性的遮蔽膜(416)。形成配线(408a、408b)与遮蔽膜(416)电连接的结构。

公开(公告)号：CN1396649A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02140933.1

申请日：2002-07-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 市桥由成 ,  池田典弘 ,  后藤隆 ,  臼井良辅 ,  藤岛达也

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，即使在高度集成地设计该半导体器件时也能以高电可靠性形成连接孔。该半导体器件包括下层布线和形成在下层布线上并具有于下层布线连接的连接孔的层间绝缘膜。该方法包括通过刻蚀层间绝缘膜形成连接孔。连接孔使通过以下步骤形成的：在第一刻蚀条件下通过至少在下层布线附近的物理反应，刻蚀部分下层布线，并在保证相对于下层布线的选择率的第二刻蚀条件下，刻蚀部分层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101286463B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810082319.8

申请日：2005-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  水原秀树

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76814 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，敷金属夹层孔通过如下工序形成：照射激光在绝缘树脂膜上形成开口的第一工序；通过干式蚀刻在绝缘树脂膜上形成开口的第二工序；在等离子气氛下进行反向溅射的第三工序。