公开(公告)号：CN1840748A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610071561.6

申请日：2006-03-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 目黑贵一 ,  谷崎圭祐 ,  难波晓彦 ,  山本喜之 ,  今井贵浩

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。

公开(公告)号：CN1813329A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480018499.3

申请日：2004-09-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 辰巳夏生 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/308

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J2237/06325 ,  H01J2237/3175

Abstract: 提供了一种比传统器件更小的、能够在更低电压下、更有效地进行操作的电子发射器件。该器件包括用于向阴极照射光线的光发射器件，其中至少阴极的电子发射面是由金刚石做成的。通过按照这种方式组成器件，可以使抽出电子的电压比传统器件降低很大余量，并因此获得能够以低电压进行操作的小器件。优选地，将光发射器件与阴极形成一个单元，同样优选地，光发射器件和电极是由金刚石做成的。此外，优选地，阴极的电子发射面是n－或p－型金刚石半导体。

公开(公告)号：CN1775696A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510120215.8

申请日：2005-11-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 关裕一郎 ,  泉健二 ,  今井贵浩

IPC: C02F1/28 ,  C02F1/461

CPC classification number: C04B41/009 ,  B01D39/2027 ,  B01D39/2068 ,  B01D2239/0241 ,  B01D2239/0478 ,  B01D2239/1216 ,  C02F1/001 ,  C02F1/4672 ,  C02F2001/46138 ,  C02F2001/46161 ,  C02F2101/30 ,  C02F2201/4613 ,  C04B41/5002 ,  C04B41/85 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/00853 ,  Y10T428/249967 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/30 ,  C04B41/4531 ,  C04B35/10 ,  C04B35/14 ,  C04B35/185 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/581 ,  C04B38/00

Abstract: 本发明的目的是提供具有优异耐久性的多孔复合基底以及有效使用这种多孔复合基底作为过滤器和用于水处理等的场电极，该基底可以是物理或化学稳定的，并且能够用于苛刻的环境中，它是通过在具有开孔和过滤功能的多孔基材上涂敷具有高耐腐蚀性和绝缘性或如果需要时的良好导电性的涂层形成的。本发明是包括复合构件的多孔复合基底，所述复合构件包括多孔基材和覆盖该多孔基材的金刚石层，其中所述多孔基材和复合构件具有起着过滤功能的开孔。所述多孔基材是绝缘体、半导体或金属。

公开(公告)号：CN1735716A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200480002092.1

申请日：2004-05-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 关裕一郎 ,  泉健二 ,  今井贵浩

IPC: C25B11/04

Abstract: 公开了一种具有足够低电阻的金刚石电极，它是通过增加加入到电极中的硼含量获得的。也公开了一种用于生产高性能、高耐用性电极的方法，它是通过充分提高在金刚石涂层与基材之间的粘附力和电解过程中的抗分离性而实现的。由基材和涂敷基材的金刚石层构成的电极的特征在于所述电极是由涂敷有金刚石的基材构成，而且金刚石含有至少为10,000ppm并且不超过100,000ppm的硼浓度。所述基材优选由绝缘材料制成。

公开(公告)号：CN1503381A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03158713.5

申请日：2003-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人精细陶瓷中心

Inventor： 西林良树 ,  安藤丰 ,  今井贵浩

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/24 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/34 ,  Y10T428/30

Abstract: 一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱(微型突起)，这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面(水平截面)为四边形形状，其长边边长为a[nm]，短边边长为ka[nm]，且在短边一侧的一个侧面上形成有一层二氧化硅(SiO2)薄膜。长边的边长a[nm]和短边的边长ka[nm]满足下列公式(1)和(2)的关系表达式：(2)。C1：每个四棱柱内部生成的光在该四棱柱侧面上反射时，环绕某一特定环路，一圈的距离为[nm]；n：一个任意正整数；以及λ：构成四棱柱的金钢石的发射峰值波长λ[nm]。