公开(公告)号：CN110710006A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880035315.6

申请日：2018-04-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 足立真宽 ,  木山诚 ,  山本喜之 ,  丰岛辽

IPC: H01L35/14 ,  B82Y30/00 ,  G01J1/02 ,  H01L29/06 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00

Abstract: 一种热电转换材料，其包含：由半导体构成的母相；和设置在所述母相中的纳米粒子，并且所述纳米粒子具有0.0055以上的晶格常数分布Δd/d。

公开(公告)号：CN109643749A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051235.5

申请日：2017-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 足立真宽 ,  木山诚 ,  山本喜之 ,  竹内恒博

IPC: H01L35/14 ,  C01B33/06

Abstract: 一种热电转换材料，其包含：基材，所述基材是半导体；和添加元素，所述添加元素不同于构成所述基材的元素。由所述添加元素形成的附加能带存在于所述基材的禁带内。相对于与所述基材的所述禁带相邻的价带的状态密度的最大值，所述附加能带的状态密度具有0.1以上的比率。

公开(公告)号：CN106536794A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039559.8

申请日：2015-04-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/06

Abstract: 一种氮化镓衬底，具有直径不小于100mm的表面，在边均具有2mm长度的各正方形区域处在微拉曼散射映射测量中的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不小于0.1cm-1且不大于2cm-1，正方形区域位于氮化镓衬底的表面上的包括中心位置和四个周边边缘位置的总共五个位置处，在这五个位置中的所有测量点处的对应于E2H光子模式的峰值的最大峰值处的波数的最大值和最小值之间的差异不大于2cm-1。

公开(公告)号：CN104835858A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510065112.X

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.25×V阻断2的关系。将反向阻断电压V阻断定义为产生与正向电流的电流密度(Jf)的10-5倍一样高的电流密度Jr时的二极管(1)的反向电压。响应电荷Q由用双脉冲方法实施测试的结果来获得。

公开(公告)号：CN104835857A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510064902.6

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.25×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流-电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q由用双脉冲方法实施测试的结果来获得。

公开(公告)号：CN103582938A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201180071382.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  冈田政也 ,  善积祐介 ,  木山诚 ,  上野昌纪 ,  片山浩二 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 提供一种具有能够避免沟道层的载流子浓度增大而降低泄漏的结构的、氮化物电子器件。半导体叠层（15）的斜面（15a）及主面（15c）分别相对于第一基准面及第二基准面（R1、R2）延伸。由于半导体叠层（15）的主面（15c）相对于表示六方晶类III族氮化物的c轴方向的基准轴（Cx）以5度以上40度以下的范围内的角度倾斜，且第一基准面（R1）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度小于第二基准面（R2）的法线与基准轴（Cx）所构成的角度，所以能够使沟道层（19）的氧浓度小于1×1017cm-3。因此，在沟道层（19）中，能够避免因氧添加而载流子浓度增加的情况，能够降低经由沟道层的晶体管的泄漏电流。

公开(公告)号：CN102119443B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980131020.X

申请日：2009-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  宫崎富仁 ,  木山诚

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/08 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143

Abstract: 一种制造肖特基势垒二极管(11)的方法包括以下步骤。首先，准备GaN衬底(2)。在GaN衬底(2)上形成GaN层(3)。形成肖特基电极(4)，该电极包括由Ni或Ni合金制成的且与GaN层(3)接触的第一层。形成肖特基电极(4)的步骤包括形成金属层以用作肖特基电极(4)的步骤以及热处理金属层的步骤。与肖特基电极(4)接触的GaN层(3)的区域具有1×108cm-2或更小的位错密度。

公开(公告)号：CN103201844A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180053705.4

申请日：2011-07-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八重樫诚司 ,  木山诚 ,  横山满德 ,  井上和孝 ,  冈田政也 ,  齐藤雄

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L27/095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其在开口部具有通道的纵向半导体装置中，可提高高频特性。其特征在于，具有n型GaN类漂移层（4）、p型GaN类势垒层（6）、n型GaN类接触层（7），开口部（28）从表层到n型GaN类漂移层内，其结构具有包含覆盖该开口部配置的电子移动层（22）和电子供给层（26）的再生长层（27）、源极（S）、漏极（D）和位于在生长成上栅极（G），可视为以源极为一方电极，以漏极为另一方的电极而构成电容，具有降低该电容的容量的容量降低结构。

公开(公告)号：CN102148244A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010621732.4

申请日：2010-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈田政也 ,  木山诚

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/085 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8252

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置能够得到沟道的高迁移率，并且，能够可靠地得到纵向耐压及栅电极端部的耐压这两方的耐压性能。该半导体装置的特征在于，在包含n型漂移层及位于该n型漂移层上的p型层的GaN基层叠体上设置有开口部，具备以覆盖开口部的方式设置的包含沟道的再生长层以及沿再生长层位于该再生长层上的栅电极，开口部到达n型漂移层，栅电极的端部以从平面上来看不具有从p型层超出的部分的方式设置。

公开(公告)号：CN101192520B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200710194088.5

申请日：2007-11-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  樱田隆 ,  木山诚 ,  善积祐介

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 提供一种半导体器件制造方法，从而以高成品率制造具有优异特性的半导体器件。该半导体器件制造方法包括：制备GaN衬底(10)的步骤，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长至少单层半导体层(20)以形成半导体器件(40)的步骤，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。