公开(公告)号：CN117712178A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311123409.8

申请日：2023-09-01

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 田丸尊也 ,  津吹将志 ,  渡壁创 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。半导体器件具备：基板；以铝为主成分的金属氧化物层，其设置在所述基板之上；氧化物半导体层，其设置在所述金属氧化物层之上；栅电极，其与所述氧化物半导体层对置；和所述氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层。所述金属氧化物层的厚度为1nm以上4nm以下。所述金属氧化物层的厚度也可以是1nm以上3nm以下。

公开(公告)号：CN117596978A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310951276.7

申请日：2023-07-31

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也

IPC: H10K59/65 ,  H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K59/131

Abstract: 本发明提供将氧化物半导体作为配线材料使用的显示装置。该显示装置包括：显示面板，其包括具有多个像素的显示部；和配置在所述显示部的背面侧的传感器元件，所述显示部具有在俯视时与所述传感器元件重叠的第一区域和所述第一区域以外的第二区域，所述多个像素各自具有半导体器件，其包括由具有多晶构造的氧化物半导体构成的沟道部和导电部，所述第一区域中的所述多个像素各自通过由与所述导电部同一层构成的第一信号线连接，所述第二区域中的所述多个像素各自通过由与所述导电部连接的金属层构成的第二信号线连接。

公开(公告)号：CN106328658B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201610425528.2

申请日：2016-06-15

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种形成了导通电流不同的多个构造的晶体管的半导体装置。半导体装置具有第1晶体管和第2晶体管，上述第1晶体管具有：第1电极、具有第1侧壁的第1绝缘层、第1侧壁上的与第1电极连接的第1氧化物半导体层、与第1氧化物半导体层对置的第1栅极电极、第1氧化物半导体层与第1栅极电极之间的第1栅极绝缘层、以及第1绝缘层的上方的与第1氧化物半导体层连接的第2电极，上述第2晶体管具有：第3电极、从第3电极离开的第4电极、第3电极与第4电极之间的与第1氧化物半导体层同一层的第2氧化物半导体层、与第2氧化物半导体层对置的第2栅极电极、以及第2氧化物半导体层与第2栅极电极之间的第2栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN105870125B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201610079368.0

申请日：2016-02-04

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的目的在于提供具有能够增加导通电流的晶体管的显示装置。显示装置包含：第1电极；第1绝缘层，具有第1上表面以及在到达第1电极的第1开口部中为闭合形状的第1侧壁；被配置在第1侧壁上且第1部与第1电极连接的氧化物半导体层；与氧化物半导体层对置的栅极电极；在氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；被配置在第1上表面的上方且与氧化物半导体层的第2部连接的第1透明导电层；以及与第1透明导电层连接且与第1透明导电层为同一层的第2透明导电层。

公开(公告)号：CN105702733A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510881025.1

申请日：2015-12-03

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置包含：栅极电极，在图案端部具有第一侧壁；栅极绝缘层，被配置在栅极电极的上表面以及第一侧壁；氧化物半导体层，与所述第一侧壁对置地配置；第一绝缘层，被配置在氧化物半导体层上；第一电极，与氧化物半导体层的第一部分连接；以及第二电极，与氧化物半导体层的第二部分连接；栅极绝缘层被配置在第一侧壁与氧化物半导体层之间，氧化物半导体层被配置在栅极绝缘层与第一绝缘层之间。

公开(公告)号：CN119767810A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411135598.5

申请日：2024-08-19

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  望月真里奈 ,  渡部将弘

IPC: H10F39/10 ,  H10D30/67 ,  H10F77/40 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明实现可靠性高的放射线检测装置。放射线检测装置具有：氧化物半导体层被用于沟道的晶体管；与所述晶体管连接的光电转换层；与所述光电转换层对置且基于吸收的放射线来放出可见光的波长转换层；和在所述晶体管与所述光电转换层之间与所述氧化物半导体层接触且具有50nm以下的膜厚的氧化物层。所述晶体管也可以包括与所述氧化物半导体层对置的栅电极层及位于所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间的栅极绝缘层，所述氧化物半导体层也可以比所述栅电极层更接近所述光电转换层。

公开(公告)号：CN119562596A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411158980.8

申请日：2024-08-22

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  花田明纮 ,  田丸尊也 ,  望月真里奈 ,  渡部将弘

IPC: H10D86/60 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35

Abstract: 本发明涉及显示装置。提高使用了包含氧化物半导体的晶体管的显示装置的可靠性。显示装置包含沿着第1方向及与第1方向交叉的第2方向呈矩阵状配置的多个像素，多个像素的各自分别具有：晶体管，其具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置并在第1方向上延伸存在的栅极布线、及氧化物半导体层与栅极布线之间的栅极绝缘层；第1导电层，其设置在晶体管之上的至少1层第1绝缘层之上，并与氧化物半导体层相接；第2绝缘层，其设置在第1导电层之上；第1无机层，其设置在第2绝缘层之上并具有开口部；和第2无机层，其设置在第1无机层之上，并在开口部中与第2绝缘层相接，第1无机层将第1绝缘层被覆的被覆率相对于像素的面积而言为85％以上。

公开(公告)号：CN119032417A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380033758.2

申请日：2023-03-20

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/477 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，其包括：在基板之上利用溅射法来形成氧化物半导体层，将形成有所述氧化物半导体层的基板设置在具有预先维持在设定温度的加热介质的加热炉中，对所述氧化物半导体层进行第一加热处理，在所述第一加热处理之后，在所述氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层之上形成栅电极。在将所述基板设置于所述加热炉中时，将所述加热介质的温度降低抑制在所述设定温度的15％以内。

公开(公告)号：CN118830088A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025428.9

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社日本显示器 ,  出光兴产株式会社

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  川嶋绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 薄膜晶体管包括：基板；设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体层；与氧化物半导体层重叠设置的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法来获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。

公开(公告)号：CN118805263A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202380025327.1

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社日本显示器 ,  出光兴产株式会社

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  川嶋绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L21/336

Abstract: 薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。