公开(公告)号：CN119522639A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380052657.X

申请日：2023-07-27

Applicant: 株式会社日本显示器 ,  出光兴产株式会社

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  川岛绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/20 ,  H10D30/01 ,  H01L21/363

Abstract: 薄膜晶体管，其包含：基板；设置在基板之上的金属氧化物层；与金属氧化物层相接地设置、并包含多个晶粒的氧化物半导体层；设置在氧化物半导体层之上的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层，多个晶粒包含通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的相邻的2个测定点的晶体取向差超过5°的晶界，通过EBSD法算出的KAM值的平均值为1.4°以上。

公开(公告)号：CN118738136A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410305656.8

申请日：2024-03-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡部将弘 ,  渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  望月真里奈 ,  田丸尊也 ,  小野寺凉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/44 ,  H01L21/34 ,  G09F9/33 ,  G09F9/35

Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体装置的电气特性。半导体装置包括：绝缘表面之上的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的氧化物半导体层；前述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；和前述栅极绝缘层之上的栅极布线，前述金属氧化物层具有与前述栅极布线及前述氧化物半导体层重叠的第一区域、与前述氧化物半导体层重叠且与前述栅极布线不重叠的第二区域、以及与前述栅极布线重叠且与前述氧化物半导体层不重叠的第三区域。

公开(公告)号：CN117855287A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311224445.3

申请日：2023-09-21

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  花田明纮 ,  田丸尊也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法。提供含有防止氢向沟道区域侵入的氢陷阱区域的半导体装置。半导体装置包含氧化物绝缘层、氧化物半导体层、栅电极、栅极绝缘层及第1绝缘层。在与栅电极重叠的第1区域中的栅极绝缘层的厚度为200nm以上。第1区域中，栅电极与第1绝缘层相接，在不与栅电极重叠而与氧化物半导体层重叠的第2区域中，氧化物半导体层与第1绝缘层相接。所述第2区域中的所述氧化物半导体层所包含的杂质的量多于所述第1区域中的所述氧化物半导体层所包含的所述杂质的量，与栅电极及氧化物半导体层不重叠的所述第3区域中的所述氧化物绝缘层所包含的所述杂质的量多于所述第2区域中的所述氧化物绝缘层所包含的所述杂质的量。

公开(公告)号：CN117410316A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310812010.4

申请日：2023-07-04

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/08 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其能够使用氧化物半导体来作为配线材料。该半导体器件具有：氧化物半导体层，其设置在绝缘表面之上，有沟道区域以及夹着沟道区域的源极区域和漏极区域；与沟道区域相对的栅极电极；和设置在氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层，栅极电极是具有与氧化物半导体层相同的成分的氧化物导电层，氧化物导电层包含与源极区域和漏极区域相同的杂质元素。

公开(公告)号：CN105576015B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510689690.0

申请日：2015-10-22

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够提高通态电流的半导体装置。半导体装置具有：具有第1侧壁的第1绝缘层；配置于第1侧壁的氧化物半导体层；配置于氧化物半导体层的与第1侧壁相反一侧的栅极绝缘层；隔着栅极绝缘层与配置于第1侧壁的氧化物半导体层对置的栅极电极；配置于氧化物半导体层的下方并与氧化物半导体层的一方连接的第1电极；和配置于氧化物半导体层的上方并与氧化物半导体层的另一方连接的第2电极。

公开(公告)号：CN107527954A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710324502.3

申请日：2017-05-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  盐川真里奈

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有：氧化物半导体层；氧化物半导体层的上方的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于第1绝缘层上，包含铝层，经由第1开口部电连接于氧化物半导体层；阻挡层，将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及阻挡层上的有机绝缘层。

公开(公告)号：CN105576015A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510689690.0

申请日：2015-10-22

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够提高通态电流的半导体装置。半导体装置具有：具有第1侧壁的第1绝缘层；配置于第1侧壁的氧化物半导体层；配置于氧化物半导体层的与第1侧壁相反一侧的栅极绝缘层；隔着栅极绝缘层与配置于第1侧壁的氧化物半导体层对置的栅极电极；配置于氧化物半导体层的下方并与氧化物半导体层的一方连接的第1电极；和配置于氧化物半导体层的上方并与氧化物半导体层的另一方连接的第2电极。

公开(公告)号：CN119789525A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411351120.6

申请日：2024-09-26

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  望月真里奈 ,  渡部将弘

IPC: H10D86/60 ,  H10D30/67 ,  H10D64/27 ,  H10D64/23

Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供抑制光劣化的半导体装置。半导体装置包含：遮光层；具有第1界面且与遮光层相接的第1硅氮化物绝缘层；具有第2界面且与第1硅氮化物绝缘层相接的第1硅氧化物绝缘层；第1硅氧化物绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的第2硅氧化物绝缘层；第2硅氧化物绝缘层上的栅电极；和栅电极上的第2硅氮化物绝缘层，在俯视观察下，氧化物半导体层的沟道区域的整体与遮光层重叠，第1硅氧化物绝缘层与第2硅氧化物绝缘层相接，第1硅氮化物绝缘层的膜厚t满足下述条件：波长450nm的光相对第2界面的法线方向以60度入射至第1硅氮化物绝缘层时，在第1界面被反射的光与在第2界面被反射的光相互减弱。

公开(公告)号：CN118943201A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410576294.6

申请日：2024-05-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  望月真里奈 ,  小野寺凉 ,  渡部将弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供氧化物半导体膜的形状的偏差小且具有稳定的电特性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和层间绝缘层，其覆盖源电极及漏电极并与氧化物半导体层接触，氧化物半导体层包含与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、和与层间绝缘层接触的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为1nm以下。

公开(公告)号：CN118872073A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380021604.1

申请日：2023-03-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H05B33/02 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 半导体装置，其包含：绝缘表面之上的氧化金属层；和氧化金属层之上的氧化物半导体层，氧化金属层的氟浓度为1×1018atoms/cm3以上。SIMS分析中，在氧化金属层中检测出的氟的二次离子强度可以是在氧化物半导体层中检测出的氟的二次离子强度的10倍以上。氧化物半导体层可以与氧化金属层接触。氧化金属层可以包含氧化铝。氧化物半导体层可以含有包括铟在内的2种以上的金属，2种以上的金属中的铟的比率为50％以上。