삼중블록공중합체를 이용한 태양전지 제조방법
    41.
    发明授权
    삼중블록공중합체를 이용한 태양전지 제조방법 失效
    使用三嵌段共聚物纳米多孔制备太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR100941021B1

    公开(公告)日:2010-02-05

    申请号:KR1020080005967

    申请日:2008-01-21

    Inventor: 김지현 방준하

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 삼중블록공중합체를 이용한 태양전지 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 삼중블록공중합체를 이용한 태양전지 제조방법은 태양전지 기판 표면에 폴리에틸렌옥사이드-폴리메틸메틸메타크릴레이트-폴리스티렌 삼중블록공중합체(Poly(ethylene oxide-b-methyl methacrylate-b-styrene ; PEO-b-PMMA-PS)를 이용하여 삼중블록공중합체막을 형성한다. 그리고 삼중블록공중합체막이 폴리스티렌 기지(matrix) 영역 내에 태양전지 기판 표면에 수직한 폴리에틸렌옥사이드 영역과 폴리메틸메타크릴레이트 영역으로 이루어진 실린더 형상의 미세구조를 갖는 형태가 되도록, 삼중블록공중합체막을 어닐링한다. 그리고 어닐링된 삼중블록공중합체막 중 폴리에틸렌옥사이드 영역 및 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거하여 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하고, 나노템플레이트를 이용하여 태양전지 기판 표면을 식각한다. 본 발명에 따르면, 삼중블록공중합체를 이용하여 저온에서 두꺼운 나노템플레이트를 형성시킴으로서, 태양전지 기판 표면에 복수 개의 종장형 나노 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어 우수한 광전변환 효율을 갖는 태양전지를 제조할 수 있다.

    폴리디아세틸렌 초분자체를 이용한 마이크로/나노 소자의발열 특성 계측 방법
    42.
    发明公开
    폴리디아세틸렌 초분자체를 이용한 마이크로/나노 소자의발열 특성 계측 방법 失效
    使用聚异戊烯超分子的MEMS / NEMS的热表征方法

    公开(公告)号:KR1020090101649A

    公开(公告)日:2009-09-29

    申请号:KR1020080026922

    申请日:2008-03-24

    CPC classification number: G01N25/20 B82Y35/00 G01N1/28 G01N21/6402

    Abstract: PURPOSE: A method for measuring the thermal characteristic of a micro/nano element by using polydiacetylene supermolecules is provided to remove the necessity of correcting the emissivity coefficient of an inspected object and an infrared camera. CONSTITUTION: A method for measuring the thermal characteristic of a micro/nano element by using polydiacetylene supermolecules comprises the following steps of: making a dispersion solution by mixing the polydiacetylene supermolecules with high molecular solution(S2); coating the dispersion solution on an inspected object(S3); exposing the coated dispersion solution to make the supermolecules into macromolecules(S4); and analyzing the temperature change according to the time by using the phenomenon that the supermolecules self-fluoresces due to the increase of temperature which is generated as a voltage is applied to the inspected object(S5).

    Abstract translation: 目的:提供一种通过使用聚二乙炔超分子测量微/纳元件的热特性的方法,以消除校正被检物和红外摄像机的辐射系数的必要性。 构成:使用聚二乙炔超分子测量微/纳元件的热特性的方法包括以下步骤:通过将聚二乙炔超分子与高分子溶液(S2)混合来制备分散溶液; 将分散溶液涂布在检查对象上(S3); 暴露涂覆的分散液使超分子成为大分子(S4); 并且通过使用超分子由于随着电压被施加到检查对象而产生的温度的升高而自发荧光的现象来分析温度变化(S5)。

    산화갈륨 식각방법
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102227003B1

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:KR1020170054192

    申请日:2017-04-27

    Abstract: 본발명은산화갈륨의식각방법에관한것으로, 본발명에따른산화갈륨식각방법은 (a) 식각액(20)이채워진반응기(10)를준비하는단계(S100), (b) 식각액(20) 내에산화갈륨(1)을담지하는단계(S200), (c) 산화갈륨(1)에자외선을조사하여산화갈륨(1)의표면을식각하는단계(S300)를포함한다.

    흑린 두께 조절 방법
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101879956B1

    公开(公告)日:2018-07-18

    申请号:KR1020160167682

    申请日:2016-12-09

    Abstract: 본발명은흑린두께조절방법에관한것으로서, 본발명의실시예에따른흑린두께조절방법은 (a) 반응챔버(10) 내의지지대(20) 상에흑린단편(1)을배치하는단계(S100), 및 (b) 자외선램프(30)를이용하여흑린단편(1)에자외선을조사하는단계(S200)를포함하여, 자외선이대기중에서오존을발생시키고, 오존이수산화라디칼을생성하여, 흑린단편(1)을식각한다.

    흑린 식각장치
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101877646B1

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:KR1020160170269

    申请日:2016-12-14

    Inventor: 김지현 이건엽

    Abstract: 본발명은흑린식각장치에관한것으로, 본발명의제1 실시예에따른흑린식각장치는하면에흑린단편(1)이고정되는기판(10), 내부에기판(10)을수용하는반응챔버(20), 반응챔버(20)의바닥면으로부터흑린단편(1)이이격되도록, 기판(10)을지지하는지지대(30), 휘발성부산물을생성하는공정가스(40); 및공정가스(40)를공급받아플라즈마를유도하고, 플라즈마를기판(10)의상면으로분사하여, 플라즈마이온확산에의해흑린단편(1)을식각하는플라즈마발생기(50)를포함한다.

    그래핀 박막의 제조 방법
    48.
    发明授权
    그래핀 박막의 제조 방법 有权
    石墨烯薄膜的制造方法

    公开(公告)号:KR101723728B1

    公开(公告)日:2017-04-07

    申请号:KR1020150045155

    申请日:2015-03-31

    Inventor: 김지현 김장혁

    Abstract: 그래핀박막의제조방법에있어서, 기판상에금속촉매막을형성하고, 금속촉매막의표면부에이온주입공정을통하여탄소원자들을주입시킨다. 탄소원자들이주입된금속촉매막에대하여열처리공정을수행하여탄소원자들을금속촉매막의하부및 상부로분산시키고, 금속촉매막의하부및 상부로분산된탄소원자들에대하여냉각공정을수행하여금속촉매막의상부및 하부에각각제1 그래핀박막및 제2 그래핀박막을형성한다. 이후, 금속촉매막을기판으로부터제거함으로써기판상에그래핀박막이형성된다.

    Abstract translation: 在用于制造石墨烯薄膜的方法中,在基板上形成金属催化剂膜,并且通过离子注入工艺将碳原子注入到金属催化剂膜的表面部分中。 和的碳原子相对于注入的金属催化膜和金属催化膜的底部和顶部,金属催化膜是低的碳原子分散并通过在上金属催化膜相对于执行冷却过程中对碳原子分布进行热处理过程 第一石墨烯薄膜和第二石墨烯薄膜分别形成在上侧和下侧。 之后,通过从基板上除去金属催化剂膜而在基板上形成石墨烯薄膜。

    광반사 억제 구조물 및 이의 제조 방법
    49.
    发明公开
    광반사 억제 구조물 및 이의 제조 방법 无效
    用于抑制光电转换的结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160059083A

    公开(公告)日:2016-05-26

    申请号:KR1020140160279

    申请日:2014-11-17

    CPC classification number: Y02E10/50 G02B5/0278 G02B1/11 G02B5/0268 H01L31/054

    Abstract: 광반사억제구조물은베이스, 상기베이스상에형성되고, 상기베이스의표면에대하여제1 각도로이루어진측면을갖는제1 광반사억제패턴들및 상기제1 광반사방지패턴들상에각각형성되고, 상기베이스의표면에대하여상기제1 각도보다작은제2 각도로기울어진측면을갖는제2 광반사억제패턴들을포함한다.

    Abstract translation: 抑制光反射的结构包括:碱; 第一光反射抑制图案形成在基底上,并且每个具有形成为相对于基底的表面具有第一角度的侧表面; 以及形成在第一光反射抑制图案上的第二光反射抑制图案,并且每个具有形成为相对于基底的表面具有小于第一角度的第二角度的侧表面。 因此,用于抑制光反射的结构可以在相对较宽的波长范围内具有改善的光选择抑制效率。

    발광소자 및 조명시스템
    50.
    发明公开
    발광소자 및 조명시스템 审中-实审
    发光装置和照明系统

    公开(公告)号:KR1020160038127A

    公开(公告)日:2016-04-07

    申请号:KR1020140129973

    申请日:2014-09-29

    CPC classification number: H01L33/22 F21Y2115/10

    Abstract: 실시예에따른발광소자는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은무극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각기둥, 사각기둥또는다각기둥중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다. 다른측면에서실시예는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은반극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각뿔, 사각뿔, 다각뿔또는원뿔중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明涉及发光装置和照明系统。 根据实施例,发光器件包括发光结构,其包括第一导电半导体层,设置在第一导电半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层; 以及设置在发光结构的光提取区域中的光提取结构。 发光结构包括非极性氮化物半导体。 光提取结构包括多个突出部分,并且突出部分具有三角棱柱形状,矩形棱镜形状和多边形棱柱形状中的至少一种。 根据本实施例的另一方面,发光器件包括发光结构,其包括第一导电半导体层,设置在第一导电半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层; 以及提供在发光结构的光提取区域中的光提取结构。 发光结构包括半极性氮化物半导体。 光提取结构具有包括多个突起部的凹凸结构,并且突出部具有三角锥形,四角锥形,多角锥形和圆锥形中的至少一个。

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