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公开(公告)号：KR101761948B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020120157889
申请日：2012-12-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H04B1/48
Abstract: 본발명은트랜지스터스위치및 RF 스위치에관한것이다. 본발명의하나의실시예에따라, SOI 트랜지스터; 및 SOI 트랜지스터의게이트에일단이연결되고 SOI 트랜지스터의바디에타단이연결되어 SOI 트랜지스터와상보적으로동작하는보조트랜지스터;를포함하는트랜지스터스위치가제안된다. 또한, RF 스위치가제안된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种晶体管开关和一种RF开关。 根据本发明的一个实施例，一种SOI晶体管; 并且辅助晶体管的一端连接到SOI晶体管的栅极，另一端连接到SOI晶体管的本体以与SOI晶体管互补地操作。 还提出了一种RF开关。
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公开(公告)号：KR101730198B1
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020120153374
申请日：2012-12-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H04B1/48
CPC classification number: H03K17/693 , Y10T307/747
Abstract: 본발명은 SPDT 회로에관한것이다. 본발명의하나의실시예에따라, 온-오프동작에따라신호를전달하거나차단시키는 MOS 트랜지스터; MOS 트랜지스터의게이트에연결된게이트저항; 및 MOS 트랜지스터의오프에서온 동작시 게이트저항값을증대시키는가변게이트저항회로;를포함하는 SPDT 회로가제안된다.
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公开(公告)号：KR1020140083513A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153374
申请日：2012-12-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H04B1/48
CPC classification number: H03K17/693 , Y10T307/747 , H03K17/00 , H03K17/51 , H03K17/56 , H03K17/687 , H04B1/00 , H04B1/48
Abstract: The present invention relates to a switch circuit and an SPDT circuit. According to an embodiment of the present invention, provided is the switch circuit including an MOS transistor which transmits or blocks a signal according to on-off operation; a gate resistor which is connected to a gate of the MOS transistor; and a variable gate resistor circuit which increases a gate resistor value when the MOS transistor is switched from off to on state. Also, the SPDT circuit is provided.
Abstract translation: 本发明涉及开关电路和SPDT电路。 根据本发明的实施例，提供了包括根据开关操作来发送或阻止信号的MOS晶体管的开关电路; 连接到MOS晶体管的栅极的栅极电阻; 以及可变栅极电阻电路，其在MOS晶体管从截止状态切换到导通状态时增大栅极电阻值。 此外，还提供了SPDT电路。
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公开(公告)号：KR101396630B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120084473
申请日：2012-08-01
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H03H7/38 , H01G7/00
CPC classification number: H03K3/012 , H03J3/20 , H03J2200/10
Abstract: 본 발명은 가변 커패시턴스 제어회로 및 가변 커패시턴스 제어방법에 관한 것이다. 본 발명의 가변 커패시턴스 제어방법은 MIM 커패시터, 복수의 FET 스위치 및 제어부를 포함하는 가변 커패시턴스 제어회로에 의한 가변 커패시턴스 제어방법으로서, 제어부에 의해 상기 복수의(n개의) FET 스위치 중 한 개의 FET만 온 시키고 나머지(n-1) FET 스위치는 오프(OFF)시키도록 하는 제어신호를 복수의 FET 스위치로 출력하여 원하는 가변 커패시턴스 값을 얻는다.
이와 같은 본 발명에 의하면, N개의 FET 스위치 중 한 개의 FET 스위치만 온(ON) 시키고 나머지 FET 스위치는 오프(OFF)시키는 제어방식을 취함으로써, 전체 FET 온 저항값을 감소시켜 Q값(Q=1/RC)을 증대시킬 수 있고, 그 결과 PA(Power Amplifier)에서의 소모 전력 및 LNA(저잡음 증폭기)에서의 수신율을 최적화할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020130127782A
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120051553
申请日：2012-05-15
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H04B1/48
Abstract: The present invention relates to a switching circuit and a wireless communication system including the same. When a control signal applied to the control terminal of a main switch is a first control signal, a first gate resistance is connected to the control terminal and the first control signal is applied to the control terminal of the main switch through the first gate resistance. When a control signal applied to the control terminal of a main switch is a second control signal, a second gate resistance is connected to the control terminal and the second control signal is applied to the control terminal of the main switch through the first gate resistance. To change the first gate resistance and the second gate resistance into different resistance values, a switching circuit which a multiband high frequency signal passes though is provided.
Abstract translation: 本发明涉及一种开关电路及包括该开关电路的无线通信系统。 当施加到主开关的控制端子的控制信号是第一控制信号时，第一栅极电阻连接到控制端子，并且第一控制信号通过第一栅极电阻施加到主开关的控制端子。 当施加到主开关的控制端子的控制信号是第二控制信号时，第二栅极电阻连接到控制端子，并且第二控制信号通过第一栅极电阻施加到主开关的控制端子。 为了将第一栅极电阻和第二栅极电阻改变成不同的电阻值，提供多频带高频信号通过的开关电路。
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公开(公告)号：KR101332109B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020120120340
申请日：2012-10-29
IPC: H03K17/687
Abstract: 본 발명은 전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로에 관한 것으로, 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 제1제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제1트랜지스터; 상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제2트랜지스터; 상기 제어신호 중 어느 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 접지되는 제3트랜지스터; 및 상기 제어신호 중 다른 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 상기 제3모스트랜지스터의 타단과 연결되며, 타단은 출력단자와 연결되는 제4모스트랜지스터;를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101309445B1
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020110087273
申请日：2011-08-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/693 , H04B1/44
Abstract: 본 발명은 삽입 손실 특성 및 고조파 특성이 모두 양호한 고주파 스위치를 실현하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 고주파 스위치는, 안테나로 송신 신호가 출력되는 공통 포트와, 송신 신호가 입력되는 송신 포트와, 복수의 상기 송신 포트와 상기 공통 포트 사이에 각각 연결되어, 각 송신 포트와 상기 공통 포트를 도통 또는 차단하는 복수의 스위치부를 갖고, 상기 스위치부는, 실리콘 기판에 형성되어 직렬로 연결된 복수의 MOSFET를 가지며, 상기 복수의 MOSFET는 바디 콘택트형 FET 및 플로팅 바디형 FET 중 어느 하나로서, 각 스위치부는 바디 콘택트형 FET 및 플로팅 바디형 FET를 모두 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130008872A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110069529
申请日：2011-07-13
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H04B1/48
CPC classification number: H03K17/693 , H03K2217/0018
Abstract: PURPOSE: A resistor sharing switching circuit is provided to reduce the chip size by decreasing the number of installed resistors in a chip by half while maintaining the similar performance and operation compared to the existing switching circuit. CONSTITUTION: A resistor sharing switching circuit includes a first in and output part(1), a second in and output part(2), a third in and output part(3), a signal transmission part(30), a resistor(40) and a control signal input part. The first in and output part and the second in and output part are connected each other using a first switching device(10). The first in and output part and the third in and output part are connected each other using a second switching device(20). One side of the signal transmission part is connected to control terminals of the first switching device and the second switching device, respectively. The other side of the signal transmission side is connected to the resistor.
Abstract translation: 目的：提供电阻共享切换电路，通过将芯片中安装的电阻数减少一半，同时保持与现有开关电路相似的性能和运行，从而减小芯片尺寸。 构成：电阻器共享切换电路包括第一输入和输出部分（1），第二输入部分和输出部分（2），第三输入部分和输出部分（3），信号传输部分（30），电阻器（40） ）和控制信号输入部分。 第一输入部分和输出部分以及第二输入部分和输出部分使用第一开关装置（10）彼此连接。 第一输入部分和输出部分以及第三输入部分和输出部分使用第二开关装置（20）彼此连接。 信号传输部分的一侧分别连接到第一开关装置和第二开关装置的控制端子。 信号发送侧的另一侧连接到电阻器。
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公开(公告)号：KR101218993B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020110087272
申请日：2011-08-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/693 , H04B1/44 , H01L27/04
CPC classification number: H03K17/693
Abstract: 본 발명은 왜곡 특성의 열화를 억제할 수 있는 고주파 스위치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고주파 스위치는, 안테나(110)로 송신 신호가 출력되는 공통 포트(CX)와, 송신 신호가 입력되는 송신 포트(TX1,TX2)와, 복수의 송신 포트와 공통 포트 사이에 각각 연결되어, 각 송신 포트로부터 공통 포트로의 송신 신호를 도통 또는 차단하는 복수의 스위치부(100A,100B)를 갖고, 스위치부는 실리콘 기판에 형성된 하나 이상의 MOSFET(T
SW )를 가지며, MOSFET 중 공통 포트에 연결된 것의 바디 단자와 공통 포트에 연결된 단자 사이에 커패시터가 연결된다.Abstract translation: 本发明涉及一种能够抑制畸变特性恶化的高频开关。 根据本发明的高频开关包括通过其向天线110输出发送信号的公共端口CX，通过其输入发送信号的发送端口TX1和TX2， 并且具有用于传导或屏蔽从每个传输端口到公共端口的传输信号的多个开关部件（100A，100B），并且开关部件包括至少一个MOSFET（T
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公开(公告)号：KR1020000041046A
公开(公告)日：2000-07-15
申请号：KR1019980056815
申请日：1998-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01P1/2056
Abstract: PURPOSE: An incorporated dielectric filter is provided to obtain desired attenuation characteristics while minimizing an insertion loss by enabling electrical coupling adjustment through the control of the size of a metal coupling region. CONSTITUTION: A conductive electrode is formed on the entire surface of a dielectric block having through holes(101, 102). A partial electrode of a third side(300) paralleled with the through holes(101, 102) is removed to form input and output electrodes(301, 302). The remaining electrode except for the partial electrode between the through holes(301, 302) is removed from a first side(100). The partial electrode of the third side(30) is removed to form an electrode region. A metal coupling region(303) connected from the first side(100) to the third side(300) is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种并入的介质滤波器，以通过通过控制金属耦合区域的尺寸实现电耦合调节，从而最小化插入损耗，从而获得所需的衰减特性。 构成：在具有通孔（101,102）的介质块的整个表面上形成导电电极。 去除与通孔（101,102）平行的第三侧（300）的部分电极以形成输入和输出电极（301,302）。 除了通孔301,302之间的部分电极之外的剩余电极从第一侧（100）去除。 去除第三侧（30）的部分电极以形成电极区域。 形成从第一侧（100）连接到第三侧（300）的金属联接区域（303）。
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