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公开(公告)号：KR101761948B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020120157889
申请日：2012-12-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H04B1/48
Abstract: 본발명은트랜지스터스위치및 RF 스위치에관한것이다. 본발명의하나의실시예에따라, SOI 트랜지스터; 및 SOI 트랜지스터의게이트에일단이연결되고 SOI 트랜지스터의바디에타단이연결되어 SOI 트랜지스터와상보적으로동작하는보조트랜지스터;를포함하는트랜지스터스위치가제안된다. 또한, RF 스위치가제안된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种晶体管开关和一种RF开关。 根据本发明的一个实施例，一种SOI晶体管; 并且辅助晶体管的一端连接到SOI晶体管的栅极，另一端连接到SOI晶体管的本体以与SOI晶体管互补地操作。 还提出了一种RF开关。
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公开(公告)号：KR1020160109930A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150035215
申请日：2015-03-13
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 박상욱
IPC: H03K17/687 , H03K17/693 , H04B1/44
CPC classification number: H03K17/08122 , H02H9/046 , H03K17/693 , H03K17/6871 , H04B1/44
Abstract: 본발명의일 실시예에따른고주파스위치는제1 포트에서출력되는고주파신호를공통포트로전달하는제1 신호전달부; 상기공통포트로입력되는고주파신호를제2 포트로전달하는제2 신호전달부; 및상기공통포트와접지사이에스택되어배치되는적어도하나의보호트랜지스터및 상기적어도하나의보호트랜지스터각각의제어단과상기제1 포트사이에배치되는적어도하나의다이오드소자를포함하는 ESD (Electrostatic Discharge) 보호부; 를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，高频开关可以包括：第一信号发送单元，用于将从第一端口输出的高频信号发送到公共端口; 第二信号发送单元，用于将输入到所述公共端口的高频信号发送到第二端口; 以及静电放电保护单元，其包括至少一个保护晶体管，其设置在堆叠在公共端口和地之间，以及至少一个二极管，设置在至少一个保护晶体管的控制端和第一端口之间。 根据本发明的实施例，本发明能够阻止可能包括在高频信号中的诸如静电放电（ESD）分量的异常峰值电压分量。
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公开(公告)号：KR101396630B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120084473
申请日：2012-08-01
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H03H7/38 , H01G7/00
CPC classification number: H03K3/012 , H03J3/20 , H03J2200/10
Abstract: 본 발명은 가변 커패시턴스 제어회로 및 가변 커패시턴스 제어방법에 관한 것이다. 본 발명의 가변 커패시턴스 제어방법은 MIM 커패시터, 복수의 FET 스위치 및 제어부를 포함하는 가변 커패시턴스 제어회로에 의한 가변 커패시턴스 제어방법으로서, 제어부에 의해 상기 복수의(n개의) FET 스위치 중 한 개의 FET만 온 시키고 나머지(n-1) FET 스위치는 오프(OFF)시키도록 하는 제어신호를 복수의 FET 스위치로 출력하여 원하는 가변 커패시턴스 값을 얻는다.
이와 같은 본 발명에 의하면, N개의 FET 스위치 중 한 개의 FET 스위치만 온(ON) 시키고 나머지 FET 스위치는 오프(OFF)시키는 제어방식을 취함으로써, 전체 FET 온 저항값을 감소시켜 Q값(Q=1/RC)을 증대시킬 수 있고, 그 결과 PA(Power Amplifier)에서의 소모 전력 및 LNA(저잡음 증폭기)에서의 수신율을 최적화할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020130121509A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020120044769
申请日：2012-04-27
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 박상욱
IPC: H03K17/687 , H03H7/38 , H01G7/00
CPC classification number: H03H7/38
Abstract: The present invention includes a first capacitor unit, a second capacitor unit which is connected in parallel to the first capacitor unit, first and second switch units which are connected between the first and second capacitor units, and a variable capacitor circuit unit which selects at least one capacitor unit according to the operations of the first and second switch units. A variable capacitor module includes a plurality of variable capacitor circuit units which are connected in parallel and removes an asymmetrical phenomenon to have directivity in an RF terminal.
Abstract translation: 本发明包括第一电容器单元，与第一电容器单元并联连接的第二电容器单元，连接在第一和第二电容器单元之间的第一和第二开关单元，以及至少选择 根据第一和第二开关单元的操作，一个电容器单元。 可变电容器模块包括并联连接的多个可变电容器电路单元，并且去除了在RF端子中具有方向性的非对称现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120112982A
公开(公告)日：2012-10-12
申请号：KR1020110030619
申请日：2011-04-04
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H03H7/42 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2924/19107 , H03F3/211 , H03F3/602 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03H7/48 , H05K1/165 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A power combiner, power amplifying module including the same, and a signal transceiver module are provided to prevent low efficiency and harmonic deterioration of an amplifier device produced in a CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) process by implementing the power combiner without adopting an IPD(Integrated Passive Device) power combiner. CONSTITUTION: A primary conductor part(110) is formed on an upper side of a first printed circuit board. A second conductor part(120) is located on a lower part of the primary conductor part. The first conductor part and the second conductor part are separated at a proper distance for electromagnetic coupling between second conducting and primary conducting. A ground substrate(130) is located on a lower part of the second conductor part. The ground substrate is separated from the outside at about 40um.
Abstract translation: 目的：提供功率合成器，功率放大模块和信号收发器模块，以防止在CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺中产生的放大器器件的低效率和谐波劣化，通过实现功率组合器而没有 采用IPD（集成无源器件）电源组合器。 构成：主导体部分（110）形成在第一印刷电路板的上侧。 第二导体部分（120）位于主导体部分的下部。 第一导体部分和第二导体部分在适当的距离处分开，用于第二导电和一次导电之间的电磁耦合。 接地衬底（130）位于第二导体部分的下部。 接地衬底在约40um处与外部分离。
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公开(公告)号：KR1020110100001A
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：KR1020100019050
申请日：2010-03-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H01Q1/50
Abstract: 본 발명은 고주파 송신 모듈에 관한 것으로, 기설정된 고역 주파수 신호의 전력을 증폭하는 고역 전력증폭부(110); 기설정된 저역 주파수의 신호의 전력을 증폭하는 저역 전력증폭부(120); 상기 저역 전력증폭부(120)의 출력 임피던스를 정합시키는 LC 정합회로부(200); 상기 고역 전력증폭부(110)의 출력단에 연결된 제1 단자(T1)와 상기 LC 정합회로부(200)에 연결된 제2 단자(T2)중 하나를 공통단자(TC)에 연결시키는 안테나 스위치 회로(300); 및 상기 안테나 스위치 회로(300)와 안테나(ANT)간의 임피던스를 정합시키고, 상기 안테나(ANT)로부터 유입되는 정전기를 차단하는 정합/ESD 보호부(400)를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110059054A
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：KR1020090115664
申请日：2009-11-27
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L24/48 , H01L24/28 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/484 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/078 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: PURPOSE: An integrated passive device assembly is provided to have a recess part with a fixed depth between a connecting unit and a mounting unit, thereby preventing an adhesive used in the mounting unit from being inserted into the connecting unit. CONSTITUTION: A wire pattern(12) is formed in a substrate(10). A mounting unit(20) is made of an insulating material on the substrate. A conductive pattern(22) is formed in the mounting unit. A connecting unit(30) is formed on the substrate and electrically connected to an integrated passive device. The connecting unit and the conductive pattern are electrically connected to the wire pattern.
Abstract translation: 目的：提供集成的无源器件组件以在连接单元和安装单元之间具有固定深度的凹部，从而防止在安装单元中使用的粘合剂插入连接单元中。 构成：在衬底（10）中形成线图案（12）。 安装单元（20）由衬底上的绝缘材料制成。 导电图案（22）形成在安装单元中。 连接单元（30）形成在基板上并电连接到集成的无源器件。 连接单元和导电图案电连接到导线图案。
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公开(公告)号：KR1020110051049A
公开(公告)日：2011-05-17
申请号：KR1020090107698
申请日：2009-11-09
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: Y02D70/40 , H04B1/44 , H04B1/401 , H04W52/0209
Abstract: PURPOSE: A switching device of a mobile communication terminal is provided to increase a using time of a battery of a mobile communication terminal. CONSTITUTION: A second level shifter controls a connection of an antenna and a receiving circuit. A charge pump core(10) is drives by a reference voltage. The charge pump cores provide a first voltage to a first level shifter to enable the first level shifter to control a connection to an antenna and a transmitting circuit. A decoder(16) is driven by a battery voltage. A logic signal for driving the first level shifter and the second level shifter according to an inputted control signal is provided to the first level shifter and the second level shifter.
Abstract translation: 目的：提供移动通信终端的切换装置，以增加移动通信终端的电池的使用时间。 构成：第二电平移位器控制天线和接收电路的连接。 电荷泵芯（10）由参考电压驱动。 电荷泵芯为第一电平移位器提供第一电压，以使第一电平移位器能够控制到天线和发射电路的连接。 解码器（16）由电池电压驱动。 根据输入的控制信号驱动第一电平移位器和第二电平移位器的逻辑信号被提供给第一电平移位器和第二电平移位器。
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公开(公告)号：KR1020060115531A
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：KR1020050038024
申请日：2005-05-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03H3/08
CPC classification number: H03H9/02874 , H03H3/08 , H03H9/0585 , H03H9/059
Abstract: A surface acoustic wave device package with a high airtight property and a method for manufacturing the same are provided to maintain a bonding structure of encircling bumps stably by a bonding reinforcement member of an embossing unit and a rough unit formed at a metal coating layer of a wiring substrate. In a surface acoustic wave device package(1) with a high airtight property, a wiring substrate(10) consists of a package base including a connection wiring(12). An element chip(50) bonded to a surface of the wiring substrate(10) by a flip type includes an airtight unit(30) for an active area for maintaining an airtight state of the active area. And, a resin molding unit(70) covers the wiring substrate(10) and the element chip(50) and is sealed.
Abstract translation: 提供了一种具有高气密性的表面声波器件封装及其制造方法，用于通过压印单元的接合加强件和形成在金属涂层上的粗糙单元来稳定地保持环绕凸块的接合结构 布线基板。 在具有高气密性的弹性表面波器件封装（1）中，布线基板（10）由包括连接布线（12）的封装基座构成。 通过翻转式结合到布线基板（10）的表面的元件芯片（50）包括用于有源区域的气密单元（30），用于保持有源区域的气密状态。 并且，树脂成型单元（70）覆盖布线基板（10）和元件芯片（50）并被密封。
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