Abstract:
PURPOSE: A glass frit, dielectric composition, and a low temperature co-fired ceramic(LTCC) including embedded capacitor layer using thereof are provided to embed more than 10nF capacitor inside the LTCC. CONSTITUTION: A glass frit comprises a(trivalent and tetravalent network structure forming element)-bBi2O3-c(monovalent metal element)-dZnO-eSnO2-fAl2O3-gBaO-hTiO2. The glass frit satisfies the following relationships based on mol%: 0.1
Abstract translation:目的:提供玻璃料,电介质组合物和使用其的嵌入式电容器层的低温共烧陶瓷(LTCC),以在LTCC内部嵌入超过10nF的电容器。 构成:玻璃料包含(三价和四价网络结构形成元素)-bBi 2 O 3 -c(一价金属元素)-dZnO-eSnO2-fAl2O3-gBaO-hTiO2。 玻璃料满足基于摩尔%的以下关系:0.1 <= a <= 40,18 <= b <= 40,0.1 <= c = 44,0.1 <= d <= 12,0.1 <= e < 3,0.1 <= f <= 0.5,0.1 <= g <= 11,0.1 <= h <= 10。 三价和四价网络结构形成元素是选自B和Si中的一种以上。 一价金属是选自Li,Na和K中的一种以上。电介质的组成包括包含BaTiO 3粉末和玻璃料的电介质。 基于整个电介质组成包括5-30重量%的玻璃料。 LTCC包括由电介质组合物制造的嵌入式电容器层。 内置电容层用于去耦。
Abstract:
PURPOSE: A stack power inductor and a manufacturing method thereof are provided to improve the change of an L value due to a current by forming a via hole in a gap layer and distributing a magnetic flux path to suppress magnetization. CONSTITUTION: A plurality of ferrite sheets are laminated. A coil unit comprises a plurality of inner electrode patterns(150). A gap layer(110) is made of non-magnetic ferrite. A via hole(130) is formed in the gap layer and is filled with paste.
Abstract:
본 발명은 aLi 2 O-bK 2 O-cBaO-dB 2 O 3 -eSiO 2 (상기 식에서, a+b+c+d+e=1이고, mol%를 기준으로, 0.01≤a≤0.1, 0.01≤b≤0.1, 0.01≤c≤0.1, 0.05≤d≤0.3, 0.4≤e≤0.7을 만족한다)로 표시되는 글라스 분말, 이의 제조방법 및 이를 이용한 적층형 세라믹 재료에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 액상법을 이용하여 평균 입자크기가 100nm 이하이고, 입도 분포가 균일한 나노 글라스 분말을 제조할 수 있으며, 이를 세라믹 부품의 제조시 소결제로 이용하여, 소성온도를 기존 글라스에 비해 100℃ 정도 낮출 수 있으며, 상기 부품의 유전용량 및 인덕턴스 용량 향상에 기여할 수 있고, 품질계수를 증가시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은 인덕터에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 인덕터는 페라이트 소체, 페라이트 소체에 페라이트 소체의 두께 방향을 따라 적층되어 다층 구조를 갖는 내부 전극, 페라이트 소체를 덮어 페라이트 소체와 함께 소자 몸체를 구성하는 금속-유기물 소체, 그리고 내부 전극과 전기적으로 연결되도록 소자 몸체를 덮는 외부 전극을 포함한다.