Abstract:
A molecular resin for photoresist, a photoresist composition containing the molecular resin, and a method for forming a pattern by using the composition are provided to enhance etching resistance and profile quality of a photoresist pattern and to minimize the loss of pattern. A molecular resin comprises a host-guest inclusion complex which comprises a beta-cyclodextrin derivative as a host molecule and an adamantyl group as a guest molecule. Preferably the host-guest inclusion complex is represented by the formula 1, wherein X is a carboxyl group, or a C1-C4 alkyl group. The photoresist composition comprises 7-14 wt% of the molecular resin; 0.1-0.5 wt% of a photoacid generator; and the balance of an organic solvent.
Abstract:
Provided are a photoresist composition, which prevents generation of undissolved residues during the development and cleaning processes for forming a photoresist pattern, and a method for forming a pattern using the same. The photoresist composition comprises 4-10wt% of a photosensitive polymer resin, 0.15-0.4wt% of a photoacid generator which reacts with a light to produce acids, and the balance of solvent, wherein the photoacid generator includes aromatic groups having a hydrophilic group at the end thereof. The method for forming a pattern includes the steps of: coating an object(110) with the photoresist composition; baking the photoresist-coated object(110) to form a photoresist layer; selectively exposing the photoresist layer to a light transmitted through an exposure mask; and developing the exposed photoresist layer to form a photoresist pattern(130).
Abstract:
감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 폴리머는 하기 일반식 (1)의 반복 단위로 이루어지며 1000 내지 100000의 분자량을 갖는다. 노광된 부위 및 노광되지 않은 부위의 포토레지스트막의 현상액에 대한 용해도 차이를 극대화할 수 있으며, 이에 따라, 보다 미세한 패턴을 정확하게 형성함과 동시에, 라인 에지 러프니스를 최소화할 수 있다. ......(1) (상기 일반식 (1)에 있어서, R은 1 내지 20의 탄소수를 갖는 산 분해성 탄화수소기이다.)
Abstract:
고해상도를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법에서, 포토레지스트 조성물은 산(H + )을 분산시키기 위한 유기분산제를 포함한다. 포토레지스트 조성물에 포함된 감광성 폴리머 사이의 공간을 확보하여 노광 시 산(H + )의 확산이 용이해진다. 이에 따라 디포커스 영역에서의 패턴 구현을 용이하게 함으로써 사진 식각 공정 마진을 확보할 수 있다.
Abstract:
포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 조성물은 70 내지 130의 분자량을 갖는 차단 그룹을 포함하는 감광성 수지 2 내지 10중량%, 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 수직 프로파일을 갖고, 베이킹 공정시 온도에 민감하지 않으며, 저면에 푸팅이 발생하지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a fine pattern of a semiconductor device is provided to obtain a stable photoresist layer composition, to embody a uniform CD(Critical Dimension) of contact holes and to reduce manufacturing processes by performing an exposure at a low temperature and a hard bake under glass transition temperature. CONSTITUTION: A photoresist layer is coated on a semiconductor substrate(300) with a layer to be etched(310). An exposure is performed on the photoresist layer at a temperature of 0 to -73°C. A photoresist pattern(370) is formed by developing the exposed photoresist layer at room temperature. A hard bake is performed on the photoresist pattern at a temperature of 100 to 110°C.