분자 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성 방법
    41.
    发明授权
    분자 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성 방법 失效
    分子树脂,包含分子树脂的光电组合物和使用光刻胶组合物形成图案的方法

    公开(公告)号:KR100761761B1

    公开(公告)日:2007-10-04

    申请号:KR1020060088826

    申请日:2006-09-14

    Abstract: A molecular resin for photoresist, a photoresist composition containing the molecular resin, and a method for forming a pattern by using the composition are provided to enhance etching resistance and profile quality of a photoresist pattern and to minimize the loss of pattern. A molecular resin comprises a host-guest inclusion complex which comprises a beta-cyclodextrin derivative as a host molecule and an adamantyl group as a guest molecule. Preferably the host-guest inclusion complex is represented by the formula 1, wherein X is a carboxyl group, or a C1-C4 alkyl group. The photoresist composition comprises 7-14 wt% of the molecular resin; 0.1-0.5 wt% of a photoacid generator; and the balance of an organic solvent.

    Abstract translation: 提供用于光致抗蚀剂的分子树脂,含有分子树脂的光致抗蚀剂组合物,以及通过使用该组合物形成图案的方法,以提高光致抗蚀剂图案的耐蚀刻性和轮廓质量,并使图案的损失最小化。 分子树脂包括主体 - 客体包合络合物,其包含作为宿主分子的β-环糊精衍生物和作为客体分子的金刚烷基。 优选主体 - 客体包合络合物由式1表示,其中X是羧基或C 1 -C 4烷基。 光致抗蚀剂组合物包含7-14重量%的分子树脂; 0.1-0.5重量%的光酸产生剂; 和有机溶剂的平衡。

    포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
    42.
    发明公开
    포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 无效
    光刻胶组合物和使用其形成图案的方法

    公开(公告)号:KR1020070060578A

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:KR1020050120292

    申请日:2005-12-09

    Abstract: Provided are a photoresist composition, which prevents generation of undissolved residues during the development and cleaning processes for forming a photoresist pattern, and a method for forming a pattern using the same. The photoresist composition comprises 4-10wt% of a photosensitive polymer resin, 0.15-0.4wt% of a photoacid generator which reacts with a light to produce acids, and the balance of solvent, wherein the photoacid generator includes aromatic groups having a hydrophilic group at the end thereof. The method for forming a pattern includes the steps of: coating an object(110) with the photoresist composition; baking the photoresist-coated object(110) to form a photoresist layer; selectively exposing the photoresist layer to a light transmitted through an exposure mask; and developing the exposed photoresist layer to form a photoresist pattern(130).

    Abstract translation: 提供了防止在用于形成光致抗蚀剂图案的显影和清洁工艺期间产生未溶解残余物的光致抗蚀剂组合物,以及用于形成使用其的图案的方法。 光致抗蚀剂组合物包含4-10重量%的光敏聚合物树脂,0.15-0.4重量%的与光反应产生酸的光酸产生剂,余量为溶剂,其中光酸产生剂包括具有亲水基团的芳族基团 其结尾。 形成图案的方法包括以下步骤:用光致抗蚀剂组合物涂覆物体(110); 烘烤光致抗蚀剂涂覆物体(110)以形成光致抗蚀剂层; 将光致抗蚀剂层选择性地暴露于透过曝光掩模的光; 以及显影曝光的光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案(130)。

    감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법
    43.
    发明授权
    감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 失效
    具有光敏聚合物的光敏聚合物,具有光敏聚合物的光电组合物和使用光电组合物形成光电子图案的方法

    公开(公告)号:KR100620439B1

    公开(公告)日:2006-09-11

    申请号:KR1020050004099

    申请日:2005-01-17

    CPC classification number: G03F7/0392

    Abstract: 감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 폴리머는 하기 일반식 (1)의 반복 단위로 이루어지며 1000 내지 100000의 분자량을 갖는다. 노광된 부위 및 노광되지 않은 부위의 포토레지스트막의 현상액에 대한 용해도 차이를 극대화할 수 있으며, 이에 따라, 보다 미세한 패턴을 정확하게 형성함과 동시에, 라인 에지 러프니스를 최소화할 수 있다.
    ......(1)
    (상기 일반식 (1)에 있어서, R은 1 내지 20의 탄소수를 갖는 산 분해성 탄화수소기이다.)

    포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴형성 방법
    44.
    发明公开
    포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴형성 방법 失效
    光致抗蚀剂组合物及使用其的光致抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:KR1020060083615A

    公开(公告)日:2006-07-21

    申请号:KR1020050004494

    申请日:2005-01-18

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0045 Y10S430/114 Y10S430/118

    Abstract: 고해상도를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법에서, 포토레지스트 조성물은 산(H
    + )을 분산시키기 위한 유기분산제를 포함한다. 포토레지스트 조성물에 포함된 감광성 폴리머 사이의 공간을 확보하여 노광 시 산(H
    + )의 확산이 용이해진다. 이에 따라 디포커스 영역에서의 패턴 구현을 용이하게 함으로써 사진 식각 공정 마진을 확보할 수 있다.

    Abstract translation: 在用于形成具有高分辨率的光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂组合物中以及使用其形成光致抗蚀剂图案的方法中,

    포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
    45.
    发明公开
    포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 无效
    光刻胶组合物和使用其形成图案的方法

    公开(公告)号:KR1020050113792A

    公开(公告)日:2005-12-05

    申请号:KR1020040038900

    申请日:2004-05-31

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0395

    Abstract: 포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 조성물은 70 내지 130의 분자량을 갖는 차단 그룹을 포함하는 감광성 수지 2 내지 10중량%, 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 수직 프로파일을 갖고, 베이킹 공정시 온도에 민감하지 않으며, 저면에 푸팅이 발생하지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

    반도체소자의 미세 패턴 형성 방법
    46.
    发明公开
    반도체소자의 미세 패턴 형성 방법 无效
    使用低温下暴露的玻璃过渡温度下的半导体器件的精细图案的形成方法

    公开(公告)号:KR1020040102984A

    公开(公告)日:2004-12-08

    申请号:KR1020030034847

    申请日:2003-05-30

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a fine pattern of a semiconductor device is provided to obtain a stable photoresist layer composition, to embody a uniform CD(Critical Dimension) of contact holes and to reduce manufacturing processes by performing an exposure at a low temperature and a hard bake under glass transition temperature. CONSTITUTION: A photoresist layer is coated on a semiconductor substrate(300) with a layer to be etched(310). An exposure is performed on the photoresist layer at a temperature of 0 to -73°C. A photoresist pattern(370) is formed by developing the exposed photoresist layer at room temperature. A hard bake is performed on the photoresist pattern at a temperature of 100 to 110°C.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于形成半导体器件的精细图案的方法以获得稳定的光致抗蚀剂层组合物,以体现接触孔的均匀的CD(临界尺寸)并通过在低温下进行曝光来减少制造工艺 在玻璃化转变温度下硬烘烤。 构成:将光致抗蚀剂层涂覆在具有待蚀刻层(310)的半导体衬底(300)上。 在0〜-73℃的温度下对光致抗蚀剂层进行曝光。 通过在室温下曝光的光致抗蚀剂层显影形成光致抗蚀剂图案(370)。 在光致抗蚀剂图案上,在100〜110℃的温度下进行硬烘烤。

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