公开(公告)号：KR102235041B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020140016081A

申请日：2014-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김경미 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 소자의 제조하는 방법을 제공한다. 반사 방지막 상에 감광성 및 리플로우 특성을 갖는 중성막을 형성하고, 중성막을 노광 및 현상하여, 반사 방지막을 부분적으로 노출시키는 예비 중성 패턴을 형성하고, 예비 중성 패턴을 가열하여 중성 패턴을 형성하며, 중성 패턴 상에 블록 코폴리머막을 형성한 후 블록 코폴리머막을 가열하여, 노출된 반사 방지막 상에 제1 패턴과, 중성 패턴 상에 제1 패턴에 공유 결합된 제2 패턴을 포함하는 블록 코폴리머 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR102210467B1

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：KR1020130081629

申请日：2013-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  양주형 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

Abstract: 본발명은패턴형성방법을제공한다. 이방법에서는네거티브타입의포토레지스트막에대하여연속적으로두번이상의노광공정을진행하여, 노광공정의한계치수보다작은크기의패턴형성이가능하다.

公开(公告)号：KR1020150007548A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：KR1020130081629

申请日：2013-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  양주형 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  G03F7/20 ,  G03F7/203 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/80

Abstract: 본 발명은 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법에서는 네거티브 타입의 포토레지스트막에 대하여 연속적으로 두번 이상의 노광 공정을 진행하여, 노광 공정의 한계 치수보다 작은 크기의 패턴 형성이 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及通过克服曝光过程的限制来形成可以形成微图案的图案的方法。 根据本发明的形成图案的方法包括以下步骤：在基板上形成待蚀刻的层; 在待蚀刻的层上形成光致抗蚀剂层; 形成彼此间隔开的第一光致抗蚀剂图案; 形成彼此间隔开的第二光致抗蚀剂图案; 并暴露待蚀刻层的上部。

公开(公告)号：KR1020120061209A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：KR1020100122407

申请日：2010-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  정진하

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using a DPT(Double Pattern Technology) process and the semiconductor device manufactured by the same are provided to improve productivity by efficiently controlling a critical dimension of a line width of a pattern by minimizing intermixing between a photoresist pattern and an oxide film. CONSTITUTION: A silicon oxide layer(20) is formed on a semiconductor substrate(10). A polysilicon layer(30) is formed on the silicon oxide layer. An ARC(Anti-Reflective Coating) layer(40) is formed on the polysilicon layer. A photoresist pattern(50) is formed on the ARC layer. An oxide coating layer(60) is formed on the ARC layer to cover the photoresist pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种使用DPT（双图案技术）工艺制造半导体器件的方法及其制造的半导体器件，以通过使光刻胶之间的混合最小化来有效地控制图案的线宽的临界尺寸来提高生产率 图案和氧化膜。 构成：在半导体衬底（10）上形成氧化硅层（20）。 在氧化硅层上形成多晶硅层（30）。 在多晶硅层上形成有ARC（防反射涂层）层（40）。 在ARC层上形成光致抗蚀剂图案（50）。 在ARC层上形成氧化物覆盖层（60）以覆盖光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR1020110130257A

公开(公告)日：2011-12-05

申请号：KR1020100049813

申请日：2010-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박미라 ,  김경미 ,  박정주 ,  이보희 ,  김재호 ,  김영호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2008 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A method of forming a semiconductor device using a photolithography is provided to improve throughput by forming a much finer pattern using the same mask without an additional mask and reducing a setting time. CONSTITUTION: In a method of forming a semiconductor device using a photolithography, a reflection barrier layer and a first photoresist film are formed in the top of a substrate(S10). The first photoresist film is exposed to outside(S20). The first pattern including the first opening is formed by developing the first photoresist film(S30). The first pattern is plasma-processed(S40). A second photoresist film is formed in the first pattern(S50). The second photoresist film is exposed to outside(S60). A second pattern including the second opening is formed by developing the second photoresist film(S70).

Abstract translation: 目的：提供使用光刻法形成半导体器件的方法，以通过使用相同的掩模在不附加掩模的情况下形成更精细的图案来提高生产率，并减少凝固时间。 构成：在使用光刻法形成半导体器件的方法中，在衬底的顶部形成反射阻挡层和第一光致抗蚀剂膜（S10）。 第一光致抗蚀剂膜暴露于外部（S20）。 通过显影第一光致抗蚀剂膜形成包括第一开口的第一图案（S30）。 第一图案是等离子体处理的（S40）。 以第一图案形成第二光致抗蚀剂膜（S50）。 第二光致抗蚀剂膜暴露于外部（S60）。 通过显影第二光致抗蚀剂膜（S70）形成包括第二开口的第二图案。

公开(公告)号：KR100872348B1

公开(公告)日：2008-12-05

申请号：KR1020070003118

申请日：2007-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김훈 ,  황성택 ,  서창진 ,  조재헌 ,  신지수 ,  김경미

IPC: H04L12/28

CPC classification number: H04W40/32 ,  H04L45/48 ,  H04W40/10

Abstract: 본 발명은 스패닝 트리를 이용하는 센서 네트워크 환경에서의 에너지 관리 방법 및 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 스패닝 트리를 이용하는 센서 네트워크 환경에서의 에너지 관리 방법은, 다수개의 노드가 스패닝 트리를 형성하는 다수의 클러스터를 포함하는 일정 영역내에서, 일정 주기에 따라 기지국이 상기 노드들의 에너지 잔량을 수집하는 단계; 상기 클러스터 별로 상기 노드들을 연결할 수 있는 링크 수를 배정하는 단계; 상기 노드들의 최대 허용 링크 차수를 결정하는 단계; 및 상기 최대 허용 링크 차수를 기반으로 상기 스패닝 트리를 갱신하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
SPANNING TREE, PEGASIS, PEDAP, PEDAP-PA, LEACH

公开(公告)号：KR100870746B1

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：KR1020060117827

申请日：2006-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  김재호 ,  김영호 ,  김부득 ,  한석

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 실린더 형상의 패턴 형성방법 및 이를 이용한 커패시터의 제조방법이 개시되어 있다. 상기 방법에 따르면, 개구를 갖는 몰드막이 형성된 기판을 마련한 후 상기 구의 내벽 및 상기 몰드막 상에 균일한 두께를 갖는 도전막을 형성한다. 도전막이 형성된 개구에 매몰되고, 알콕시-비닐벤젠 반복단위 및 안트라센-메틸 메타아크릴레이트 반복단위를 포함하는 중합체가 가교 결합되어 경화된 불용성의 버퍼막 패턴을 형성한다. 상기 버퍼막 패턴에 노출된 상기 도전막을 식각한다. 그 결과 반도체 소자의 도전막 패턴이 형성된다. 상술한 패턴 형성방법은 반도체 소자의 패턴 및 커패시터를 형성하는 공정의 축소 및 공정 효율을 극대화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100840782B1

公开(公告)日：2008-06-23

申请号：KR1020070004574

申请日：2007-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  김명선 ,  김영호

IPC: C08L83/06

CPC classification number: C08G77/20 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/91

Abstract: A polysiloxane composition, and a method for preparing a capacitor for a semiconductor device by using the composition are provided to simplify the manufacturing process of semiconductor device pattern and capacitor and to maximize the process efficiency. A polysiloxane composition represented by the formula 1 comprises 2-7 wt% of a polysiloxane which is formed by the crosslinking of a silicon compound represented by the formula 2; and 93-98 wt% of an alcohol-based solvent which can dissolve the polysiloxane, wherein R is a C1-C5 alkyl group; and n is a positive integer to make the number average molecular weight of the polysiloxane be 5,000-8.000. Preferably the alcohol-based solvent comprises at least one selected from the group consisting of methanol, ethanol, n-butanol, propanol, isopropyl alcohol, 1-methoxy-2-propanol, propylene glycol monomethyl ether, isobutyl alcohol, and t-butyl alcohol.

Abstract translation: 提供聚硅氧烷组合物和通过使用该组合物来制备用于半导体器件的电容器的方法，以简化半导体器件图案和电容器的制造工艺并且最大化工艺效率。 由式1表示的聚硅氧烷组合物包含2-7重量％的通过交联式2的硅化合物形成的聚硅氧烷; 和93-98重量％的可溶解聚硅氧烷的醇系溶剂，其中R为C1-C5烷基; n为正整数，使聚硅氧烷的数均分子量为5,000-8.000。 优选地，醇类溶剂包括选自甲醇，乙醇，正丁醇，丙醇，异丙醇，1-甲氧基-2-丙醇，丙二醇单甲醚，异丁醇和叔丁醇中的至少一种 。

公开(公告)号：KR100655801B1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：KR1020050004494

申请日：2005-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김부득 ,  류진아 ,  김재호 ,  김영호 ,  김경미

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/118

Abstract: 고해상도를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법에서, 포토레지스트 조성물은 산(H
+ )을 분산시키기 위한 유기분산제를 포함한다. 포토레지스트 조성물에 포함된 감광성 폴리머 사이의 공간을 확보하여 노광 시 산(H
+ )의 확산이 용이해진다. 이에 따라 디포커스 영역에서의 패턴 구현을 용이하게 함으로써 사진 식각 공정 마진을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060083479A

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：KR1020050004194

申请日：2005-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 왕윤경 ,  김경미 ,  김영호 ,  김재현

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 수지는, 산에 의해 반응하기 쉬운 불안정성 단위인 블록킹 그룹을 포함하고, 6000 내지 8000의 중량 평균 분자량을 가지며, 블록킹 비율이 5 내지 40%이다. 상기 감광성 수지를 사용함으로서, 반응성 결함이 감소된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 在感光性树脂，在制造光致抗蚀剂组合物和使用相同的包含相同，光敏树脂的光致抗蚀剂图案，的方法包括那些阻断基团容易不稳定单元与酸反应，并且具有6000的重均分子量为8000，阻挡 比例是5至40％。 通过使用该光敏树脂，可以形成具有降低的反应性缺陷的光刻胶图案。