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公开(公告)号：KR100519795B1
公开(公告)日：2005-10-10
申请号：KR1020030007940
申请日：2003-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 다층배선을 형성하기 위한 포토마스크 세트들 및 이를 사용하여 제조된 반도체장치들을 제공한다. 상기 포토마스크 세트들은 하부배선 형성을 위한 제1 포토마스크 및 상부배선 형성을 위한 제2 포토마스크를 구비한다. 상기 제1 포토마스크 및 상기 제2 포토마스크는 각각 투명기판 상에 서로 평행하도록 형성된 하부 차광막 패턴들 및 상기 하부 차광막 패턴들과 중첩되는 상부 차광막 패턴들을 갖는다. 이 경우, 상기 하부 차광막 패턴들의 단부는 이 패턴들을 가로지르는 일직선 상에 위치한다. 따라서, 제2 포토마스크를 사용하여 상부배선을 형성할 경우, 반사된 빛의 집중에 의한 포토레지스트막의 패턴불량을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020030000601A
公开(公告)日：2003-01-06
申请号：KR1020010036638
申请日：2001-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: Furnace equipment for detecting the temperature difference of a wafer is provided to make the thickness of a layer deposited on a wafer uniform and to improve a process margin, by installing a thermocouple in the inner wall of a boat such that the thermocouple detects the temperature of respective positions on the wafer. CONSTITUTION: The wafer(16) is mounted on the boat(12). The thermocouple(20) is attached to the inner wall of the boat. The thermocouple has a structure of a knot. The furnace equipment includes a plurality of thermocouples on the inner wall of the boat.
Abstract translation: 目的：提供用于检测晶片温度差异的炉子设备，通过将热电偶安装在船的内壁中，使得热电偶能够检测到晶片的温度，使沉积在晶片上的层的厚度均匀并提高工艺余量 晶片上各个位置的温度。 构成：晶片（16）安装在船（12）上。 热电偶（20）连接到船的内壁。 热电偶具有结结构。 炉设备在船的内壁上包括多个热电偶。
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43.发明授权
公开(公告)号：KR100360401B1
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：KR1020000013608
申请日：2000-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 박막이 형성되는 속도를 증대시킬 수 있는 반도체소자 제조장치에 관해 개시한다. 본 발명은 반도체소자 제조장치의 공정튜브에 슬릿형태로 된 공정가스 인입부를 구성하고, 복수개의 홀을 갖는 폐가스 배출부를 구성하며, 이러한 공정가스 인입부와 폐가스 배출부를 공정튜브 본체 내부에 일체형으로 구성한다.
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44.发明公开
公开(公告)号：KR1020010091670A
公开(公告)日：2001-10-23
申请号：KR1020000013608
申请日：2000-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C30B25/14
Abstract: PURPOSE: A process tube and a semiconductor manufacturing apparatus including a slit type process gas inlet part and a waste gas outlet part of a porous structure are provided to improve a deposition speed and uniformity of a film and prevent particles by using a wafer of a large-scaled diameter. CONSTITUTION: A gas pipe(130) for buffer is formed at the first side of a tube body of a process tube(100). The gas pipe(130) for buffer is connected with a slit-shaped process gas inlet part(150) and a gas inlet pipe(120). The gas inlet pipe(120) is connected with a gas control system pipe(400). A gas exhaust pipe(170) is formed at the second side of the process tube(100). The gas exhaust pipe(170) is connected with an exhaust gas outlet part(180) and a vacuum pump pipe(500).
Abstract translation: 目的：提供包括狭缝型工艺气体入口部分和多孔结构的废气出口部分的处理管和半导体制造装置，以提高膜的沉积速度和均匀性，并通过使用大的晶片来防止颗粒 标尺直径。 构成：在处理管（100）的管体的第一侧形成用于缓冲器的气体管道（130）。 用于缓冲器的气体管道（130）与狭缝状工艺气体入口部分（150）和进气管道（120）连接。 气体入口管（120）与气体控制系统管道（400）连接。 在处理管（100）的第二侧形成排气管（170）。 排气管170与排气出口部180和真空泵管500连接。
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公开(公告)号：KR100274934B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019970076787
申请日：1997-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A semiconductor wafer boat is provided to prevent the generation of particles by forming an upper portion and a lower portion of a semiconductor wafer boat with one body. CONSTITUTION: An upper plate(41) is installed on an upper portion(40) of a semiconductor wafer boat. A multitude of wafer is loaded on a plurality of rod(42) formed with slots(43). A lower plate(66) is installed on a lower portion(60) of the semiconductor wafer boat. A multitude of thermal shielding plate(64) is installed on the plural rods(42) formed with the slots(43) in order to prevent a loss of thermal energy transmitted to the wafer. An upper rod and a lower rod are formed with one body. Three or more rods of one body type are parallel installed to each other. The wafer is inserted vertically into the rod(42) of the one body type and fixed to the slots(43).
Abstract translation: 目的：提供半导体晶片舟，以通过用一体形成半导体晶片舟皿的上部和下部来防止产生颗粒。 构成：上板（41）安装在半导体晶片舟皿的上部（40）上。 多个晶片装载在形成有槽（43）的多个杆（42）上。 下半板（66）安装在半导体晶片舟皿的下部（60）上。 为了防止传输到晶片的热能的损失，多个热屏蔽板（64）被安装在形成有槽（43）的多个杆（42）上。 上杆和下杆形成一体。 一个体型的三个或更多个杆彼此并联安装。 晶片垂直插入一体式的杆（42）中并固定到槽（43）上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010001419A
公开(公告)日：2001-01-05
申请号：KR1019990020629
申请日：1999-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A process tube having a boat for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent a process byproduct from being deposited on a nozzle and to prevent the nozzle from being broken by colliding with the boat, by uniformly forming a specific layer of more than a specific thickness on a wafer by using a small quantity of reaction gas. CONSTITUTION: An upper ring(32) and a lower support(34) are connected by a plurality of bar-type rods which have a plurality of slots on an inner surface, while a wafer is mounted in the slots. A reaction gas supply pipe is installed inside the respective rods. A boat(30) has a gas exhaust connected to the reaction gas supply pipe, the gas exhaust being established in the rod between the slots, so as to supply reaction gas to each wafer settled in the plurality of slots.
Abstract translation: 目的：提供一种具有用于制造半导体器件的船的处理管，以防止加工副产物沉积在喷嘴上，并且通过均匀地形成特定的多于一层的特定层，防止喷嘴与船碰撞而破裂 通过使用少量的反应气体在晶片上的特定厚度。 构成：上部环（32）和下部支撑（34）通过多个在内表面上具有多个槽的杆状杆连接，而晶片安装在槽中。 反应气体供给管安装在各个杆的内部。 船（30）具有连接到反应气体供应管的排气口，在槽之间的杆中建立排气，以将反应气体供应到沉积在多个槽中的每个晶片。
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公开(公告)号：KR1019990074153A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007558
申请日：1998-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명은 히팅챔버 몸체의 웨이퍼 입구 부분까지 히팅코일을 확장하여 웨이퍼의 출입시 웨이퍼 입구 부분에서의 온도저하를 방지하게 하는 반도체 확산설비의 히팅챔버에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 확산설비의 히팅챔버는, 반도체 확산공정에서 웨이퍼의 불순물 확산에 필요한 고온의 환경을 만들어 주기 위하여 내부에 중공부를 형성하고, 일측에 웨이퍼입구가 형성된 히팅챔버 몸체 및 전원으로부터 전기를 공급받아 발열하고, 상기 히팅챔버 몸체에 설치된 히팅코일을 구비하여 이루어지는 반도체 확산설비의 히팅챔버에 있어서, 상기 히팅챔버 몸체의 웨이퍼입구에 상기 웨이퍼입구를 감싸는 형태의 히팅코일을 설치하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빠른 온도보상이 가능하고, 웨이퍼의 가공불량을 방지하게 하는 효과를 갖는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019990048104A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066717
申请日：1997-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 반도체 커패시터 제조설비 및 이를 이용한 반도체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 커패시터 제조설비는 웨이퍼의 커패시터 하부전극상에 HSG 공정이 진행되는 제 1 공정챔버, 상기 HSG이 형성된 하부전극상에 커패시터 형성을 위한 후속공정들이 수행되는 제 2 공정챔버 및 상기 제 1 공정챔버와 제 2 공정챔버 사이의 로드락챔버를 구비하여 이루어지며, 본 발명에 따른 반도체 커패시터 제조방법은 상기 제 1 공정챔버 내에서 상기 하부전극 표면상에 HSG을 형성하는 단계, 상기 HSG이 형성된 웨이퍼를 상기 로드락챔버를 경유하여 상기 제 2 공정챔버로 이송하는 단계, 상기 제 2 공정챔버 내에서 상기 웨이퍼에 대하여 어닐링 공정을 수행하는 단계 및 상기 어닐링공정이 수행된 웨이퍼에 대하여 제 2 공정챔버의 공정조건을 변경한 후 인-시튜로 상기 하부전극상에 유전막을 형성시키는 단계를 구비하여 이루어지는 � ��을 특징으로 한다.
따라서, 커패시터 제조공정에 소요되는 시간을 줄여 수율을 향상시킬 수 있고, 하부전극 상에 양질의 산화막을 형성할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100203782B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960038477
申请日：1996-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67781
Abstract: 반도체 제조공정에서 도프드 폴리(Doped-Poly) 단위공정 적용후 저항을 측정하기 전에 웨이퍼를 열처리하기 위한 반도체 웨이퍼 열처리(Anneal)장치에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 배치타입으로 단위공정이 수행된 웨이퍼를 저항 측정전에 열처리하기 위한 반도체 웨이퍼 열처리장치에 있어서, 상부에 히팅챔버(22), 대기실(23) 및 카세트 스테이지(24)가 나란하게 구비된 테이블(21)과, 열처리하기 위한 웨이퍼를 탑재하여 히팅챔버내에 넣기 위한 보트(25)와, 상기 보트를 대기실에서 히팅챔버 내부로 왕복 이동시키는 보트이송부(40)와, 카세트(26)에 탑재된 웨이퍼를 보트로 이송시켜 탑재시키는 웨이퍼이송부(30)와, 보트에 탑재된 웨이퍼를 카세트로 이송시켜 탑재시키는 웨이퍼반송부(50)로 이루어진 것이다.
따라서 모니터 웨이퍼에 대한 열처리가 효율적으로 이루어지고 구성이 매우 간단하게 이루어져 운용비가 절감되는 것이고, 열처리 시간이 단축되어 생산 웨이퍼에 대한 다음 공정이 신속하게 이루어지는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100165397B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950013250
申请日：1995-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 히팅 챔버 내에서 칸탈 와이어의 새깅 현상을 방지하기 위하여 더브테일 형상의 돌기와 인입홈이 혀성되고 상기 각 돌기와 인입홈에는 와이어 안착홈이 형성된 폐쇄형(Close-Type) 세라믹 핑거를 제공한다. 본 발명에 따른 세라믹 핑거는 히팅 챔버 내에 칸탈 와이어를 소정의 간격으로 지지하도록 설치되고 소정의 결합 수단에 의하여 상호 결합되어 있는 복수개의 지지부재를 구비하고, 상기 결합 수단은 상기 지지부재의 일측에서 더브테일(dove tail)형상으로 돌출된 돌기와, 상기 지지부재의 타측에서 상기 돌기와 정합 가능하도록 상기 돌기의 형상에 대응하는 더브테일 형상으로 인입된 인입혼과, 상기 돌기의 일부에서 와이어를 안착시킬 수 있도록 형성된 돌기측 안착홈과, 상기 인입홈의 일부에서 와이어를 안착시키도록 형성되고, 상기 돌기와 상기 인입홈이 정합되었을 때 상기 돌기측 안착홈과 함께 폐쇄 공간을 형성하는 인입홈측 안착홈을 포함한다.
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