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公开(公告)号：KR1019990075533A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980009779
申请日：1998-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은, 상부 표면의 모양을 변경한 반도체소자 제조용 서셉터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조용 서셉터는 웨이퍼가 장착되는 부분 이외의 가장자리에 위치하며, 소정의 면적을 가지며, 복수개의 조각으로 이루어지는 실리콘 커버와 실리콘 커버가 마주치는 부분 및 상기 실리콘 커버와 웨이퍼가 마주치는 부분을 따라 상부 표면에 소정의 홈이 형성되어 이루어진다.
상기 홈은 입구가 넓고 밑바닥이 좁게 형성되며, 상기 실리콘 커버와 실리콘 커버가 마주치는 부분의 홈과 상기 실리콘 커버와 웨이퍼가 마주치는 부분의 홈이 만나는 부분은 유선형태로 형성된다.
따라서, 박막 증착시 불필요한 박막은 상기 홈 내로 증착되어, 공정시 상기 불필요한 박막이 떨어져 웨이퍼 상에 파티클로 작용되는 것을 방지하고, 웨이퍼로의 열전달을 균일하도록 하여 증착되는 박막의 두께 균일도를 향상시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100187439B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019960005406
申请日：1996-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 작업자가 웨이퍼를 카세트에 담거나 카세트에서 웨이퍼를 꺼내어 공정을 수행하기 용이한 위치로 옮기는데 사용하는 반도체 웨이퍼의 이송을 위한 진공척에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼의 가장자리부를 지지하는 테두리와, 웨이퍼의 중앙부를 지지하는 지지대와, 상기 테두리와 상기 지지대 사이에 형성된 내측홈부와, 몸체부의 내부에 형성되어 상기 내측홈부와 연통하는 진공통로로 구성된 반도체 웨이퍼의 이송을 위한 진공척에 있어서, 상기 내측홈부와 상기 진공통로 사이를 집기관으로 차단하고, 상기 테두리의 내주연을 따라 내부에 진공홀이 형성되어 상기 집기관과 연통되며, 상기 진공홀상에 다수개의 흡입구가 테두리의 표면으로 관통되어 이루어진다.
따라서, 웨이퍼와 접촉하는 접촉면을 줄임으로써 이물질의 전달에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하고, 흡입구를 효과적으로 배치하여 흡착력을 증대시킴으로써 안정적으로 웨이퍼를 이송시킬 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970023691A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034168
申请日：1995-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼를 적재한 보트가 넣어지는 공정튜브와, 이 공정튜브내의 온도를 공정에 필요한 온도로 유지시키기 위한 히터와, 상기 히터를 제어하기 위한 것으로 공정 튜브내의 온도를 검출하는 온도센서와, 상기 공정 튜브와 히터 사이에 설치되어 히터의 열에서 발생되는 불순물이 공정 챔버로 침투되지 않도록 보호하는 라이너로 구성된 반도체 제조공정의 수평형 로 확산장치에 있어서, 상기 공정튜브내의 온도를 검출하는 온도센서가 공정튜브와 라이너 사이에 설치된 구성이다.
따라서 고온공정에 의한 열변형으로 공정튜브에 굴곡이 형성되어도 교체가 가능하여 수리후 재사용할 수 있는 경제적인 잇점이 있으며, 교체작업이 용이하여 작업시간을 단축시킴으로써 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
4.发明授权알콕시 Ｎ-하이드록시알킬 알칸아미드로 된 레지스트 제거제, 레지스트 제거용 조성물, 이들의 제조 방법 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 失效- 使用烷氧基N-羟基烷基烷酰胺作为抗蚀剂除去剂组合物，用于除去其制备方法的抗蚀剂方法和抵抗使用其的除去方法
公开(公告)号：KR100335484B1
公开(公告)日：2002-05-04
申请号：KR1019990020973
申请日：1999-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07C215/02
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 레지스트뿐만아니라폴리머제거력이뛰어나고하부막을손상시키지않는레지스트제거제와레지스트제거용조성물, 이들의제조방법및 이를이용한레지스트제거방법에관해개시한다. 본발명에따른레지스트제거제는알콕시 N-하이드록시알킬알칸아미드로구성된다. 레지스트제거용조성물은알콕시 N-하이드록시알킬알칸아미드와쌍극자모멘트가 3 이상인극성물질, 손상방지제및 알칸올아민으로이루어진그룹에서선택된하나이상의화합물을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020010027003A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990038558
申请日：1999-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an insulating layer of a semiconductor device is provided to improve a bowing phenomenon of a via contact hole and a crack of a layer, by forming an interlayer dielectric having various etch rates according to a condition of an ion implantation process instead of a conventional curing process. CONSTITUTION: A spin-on-glass(SOG) layer(132) is coated on a substrate having a metal pattern. The SOG layer is soft-baked and a curing process is carried out by an ion implantation process. One of impurities such as B, BF2, F, P, As, C, O, N or Si is used in the ion implantation process, wherein the ion is implanted with a dose of 1E10 - 1E16 atoms/square centimeter and at energy of 10 to 1000 keV.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的绝缘层的方法，以通过根据离子注入过程的条件形成具有各种蚀刻速率的层间电介质来改善通孔接触孔的弯曲现象和层的裂纹 而不是常规的固化过程。 构成：将旋涂玻璃（SOG）层（132）涂覆在具有金属图案的基底上。 SOG层被软烘烤，并且通过离子注入工艺进行固化过程。 在离子注入工艺中使用诸如B，BF 2，F，P，As，C，O，N或Si的杂质之一，其中以1E10-1E16原子/平方厘米的剂量注入离子，并以 10至1000keV。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990033657A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970055073
申请日：1997-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 엑스레이를 이용하여 반도체기판 상에 존재하는 오염원을 분석하는 반도체장치 제조용 분석장치에 관한 것이다.
본 발명은, 엑스레이를 이용하여 반도체기판 상에 존재하는 중금속 등의 오염원을 분석할 수 있도록 전자의 충돌로써 상기 엑스레이를 형성시키는 타깃이 구비되는 반도체장치 제조용 분석장치에 있어서, 상기 전자의 충돌시 온도가 상승되는 상기 타깃을 냉각시킬 수 있도록 상기 타깃으로 냉각수를 공급하는 냉각수공급라인에 상기 냉각수를 여과시키는 여과부를 구비시킴을 특징으로 한다.
따라서, 냉각수를 여과시켜 타깃에 공급함으로써 타깃의 수명을 연장시키고, 냉각효율을 향상시킴으로써 분석장치의 유지보수 등이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980048804A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960067452
申请日：1996-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 화학기상증착장치 등과 같은 공정챔버에 반응가스를 공급하기 위한 가스공급관을 통과하는 반응가스를 예열시킬 수 있는 예열장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조장치용 가스공급관의 예열장치는, 반응가스가 흐르는 가스공급관(2)의 외주면에 가열관(4)을 취부시키고, 내주면에 냉각관(6)이 취부된 외관(5)으로 상기 가열관(4)이 취부된 가스공급관(2)을 감싸서 이루어진다.
따라서, 공정챔버(1)에 공급되는 반응가스가 공정챔버(1)내로 유입되기 전에 미리 예열토록 함으로써 공정챔버(1) 내에서 최적의 반응조건을 형성할 수 있도록 하여 반도체 장치의 품질 및 수율을 향상시키는 효과가 있으며, 또한 반응가스의 예열에 의하여 파티클의 발생을 최소화하여 공정챔버(1)를 포함하는 가스공급관(2)들의 유지, 보수를 간편하게 하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019960042907A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950013250
申请日：1995-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 개방형(Open) 세라믹 핑거에서 잠금장치 역활을 부가하여 처지거나 빠지는 현상(sagging)방지용으로 더브테일 형상의 돌기와 인입홈이 형성되고 상기 각돌기와 인입홈에는 와이어 안착홈이 형성된 것을 특징으로 하는 폐쇄형(Close-Type) 세라믹 핑거를 제공하였다. 세라믹 핑거를 더브테일 형상의 폐쇄형(Closed type)으로 제작하여 처지거나 빠지는(sagging) 현상에 적절하게 대응할 수 있을 뿐만 아니라, 함유량 보강으로 내구성 향상 및 열 팽창에도 견딜 수 있도록 조치 하였으며 또한, 처지거나 빠지는(sagging) 현상이 저온 가열 용기(Low-Temp Heating Chamber)보다는 고온 가열 용기(High Temp Heating Chamber)에서 심하고 플랫 영역(Flat-Zone)보다는 양쪽 말단영역(END-Zone)쪽에서 집중 발생되며 특히 터미널 용접 부위가 더 심하므로 이에 따라 적절히 지지부재의 폭을 조절하여 세라믹 핑거를 제공할 수 있게 되었다.
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公开(公告)号：KR100434485B1
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1019990043486
申请日：1999-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/422 , H01L21/31133
Abstract: A photoresist stripper composition is formed of a mixture of acetone, gamma-butyrolactone, and ester solvent. A photoresist stripping method includes spraying the photoresist stripper composition over a substrate while rotating the substrate at a relatively low speed, so as to strip photoresist from the substrate. The rotation of the substrate is stopped for a short period of time, and thereafter the photoresist stripper composition is again sprayed over the substrate while rotating the substrate at a relatively high speed. Then, the substrate is rinsed with pure water.
Abstract translation: 光刻胶剥离剂组合物由丙酮，γ-丁内酯和酯溶剂的混合物形成。 光致抗蚀剂剥离方法包括将光致抗蚀剂剥离剂组合物喷涂在衬底上，同时以较低的速度旋转衬底，以从衬底剥离光致抗蚀剂。 在短时间内停止基板的旋转，然后将光致抗蚀剂剥离剂组合物再次喷射到基板上，同时以相对高的速度旋转基板。 然后，用纯水冲洗基材。
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公开(公告)号：KR100234537B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960067452
申请日：1996-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 화학기상증착장치 등과 같은 공정챔버에 반응가스를 공급하기 위한 가스공급관을 통과하는 반응가스를 예열시킬 수 있는 예열장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조장치용 가스공급관의 예열장치는, 반응가스가 흐르는 가스공급관(2)의 외주면에 가열관(4)을 취부시키고, 내주면에 냉각관(6)이 취부된 외관(5)으로 상기 가열관(4)이 취부된 가스공급관(2)을 감싸서 이루어진다.
따라서, 공정챔버(1)에 공급되는 반응가스가 공정챔버(1)내로 유입되기 전에 미리 예열토록 함으로써 공정챔버(1) 내에서 최적의 반응조건을 형성할 수 있도록 하여 반도체 장치의 품질 및 수율을 향상시키는 효과가 있으며, 또한 반응가스의 예열에 의하여 파티클의 발생을 최소화하여 공정챔버(1)를 포함하는 가스공급관(2)들의 유지, 보수를 간편하게 하는 효과가 있다.
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