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公开(公告)号：KR2019980063309U
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR2019970007805
申请日：1997-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25D25/02
Abstract: 본 고안은 냉장고의 도어를 열었을 때 형성하는 에어커튼 기능을 충분히 수행할 뿐 아니라, 도어를 닫았을 때에도 고실에 냉기를 순환시키는 공조 시스템을 동시에 수행할 수 있는 냉장고용 공조장치를 제공하기 위한 것으로서,
모터의 회전축에 결합되어 증발실의 냉기를 토출시키는 냉기순환팬과; 상기 냉기순환팬으로 토출되는 냉기를 고실로 토출시키는 토출덕트와; 상기 증발실에 연통하도록 장착되어 증발실에 공기를 공급하는 유입덕트를 구비하는 냉장고용 공조장치에 있어서,
상기 토출덕트는 고실이 다단의 용적 공간을 갖도록 설치되는 선반부재에 형성함을 특징으로 하는 냉장고용 공조장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1019980073239A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970008410
申请日：1997-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25D17/00
Abstract: 본 발명은 에어커튼 냉장고에 관한 것으로서, 원심팬을 사용하여 에어커튼을 형성하도록 한 에어커튼 냉장고에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명은 냉동실과 냉장실을 구획하는 중간격에 에어커튼용 덕트가 구비되고, 냉기를 상기 에어커튼용 덕트에 흡입시켜 냉장실의 전면으로 토출시키는 구동팬이 구비되는 에어커튼 냉장고에 있어서, 상기 에어커튼용 덕트를 중간격의 하단부에 하면이 외부로 노출되도록 설치하고, 상기 구동팬은 원심팬을 설치하여 구성함을 특징으로 한다.
따라서 본 발명 에어커튼 냉장고는 에어커튼을 형성하기 위한 구동팬으로서 원심팬을 사용함으로써 팬의 설치공간의 확보가 용이하다는 이점이 있고, 원심팬은 낮은 RPM 및 저소음 상태에서도 에어커튼을 형성하기 위한 충분한 냉기유량의 확보가 가능하다는 효과가 있으며, 원심팬의 설치위치가 에어커튼용 덕트의 흡입구측에 설치되어 냉기의 유로저항을 감소시키고, 냉장실의 증발기를 통과시키지 않은 상태의 고내의 냉기만을 이용하여 에어커튼을 형성할 수 있도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019980066685A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002365
申请日：1997-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25D17/00
Abstract: 본 발명은 냉장고의 냉기 순환 방법 및 장치에 관한 것으로, 냉장실 도어가 닫힌 상태에서는 고내의 온도에 따라 냉장실의 송풍팬을 작동시켜 고내의 온도를 설정 온도 이하로 유지시키도록 하고, 냉장실 도어가 개방되면 고내의 온도에 상관없이 냉장실의 송풍팬을 작동시켜 냉기를 냉장실의 상측에서 분사시켜 에어커튼을 형성함으로써 고내에서 누출되는 냉기를 차단하도록 하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 방법을 구현하기 위하여 냉장실의 냉기토출덕트를 냉장실의 상측에 설치하고, 냉기가 균일하게 토출되도록 냉기토출덕트의 좌우측면을 코안다면으로 형성한 것이다.
따라서 냉장실 도어가 개방된 상태에서도 냉장실의 전면부에 에어커튼이 형성되어 고내의 냉기가 외부로 빠져나가는 것을 방지하게 되며, 하나의 냉장실 팬을 사용하여 에어커튼이 형성되는 효과를 거둘 수 있어 제조원가를 절감할 수 있고, 팬의 무리한 구동으로 인해 발생되는 소음을 저감시키도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR2019980014943U
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR2019960028139
申请日：1996-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박정희
IPC: F25B43/00
CPC classification number: F25B43/006 , F25B2500/12
Abstract: 본고안은냉장고의어큐뮬레이터에관한것으로, 본고안의목적은어큐뮬레이터내의삽입관을통해함께토출되는액체상태의냉매와기체상태의냉매에의한버블소음을저감시키는냉장고의어큐뮬레이터를제공하는데있다. 본고안에따른어큐뮬레이터(20)에서삽입관(22)의끝단에액상냉매와기상냉매가분리되어토출될수 있도록이중관으로구성된분리토출수단(30)이마련된다. 따라서, 삽입관(22)을통과한액상냉매와기상냉매가분리되어토출되기때문에동시에토출되면서발생하는버블소음을최소화할수 있으며, 삽입관(22)에서토출되면서발생하는버블의크기를분산시켜동일한크기의버블이동시에깨어짐에따라발생하는공명에의한소음을방지하는이점이있다.
Abstract translation: 是，该冰箱的蓄积器的内部的纸，它是在本文的目的是提供一种冰箱减少了制冷剂和液体的气相之间的制冷剂引起的气泡的噪声的一个累加器通过在累加器中的插入管排出在一起。 分离排放装置（30）由双管累加器（20）的是液体制冷剂，并在插入管22的端部隔开的气体制冷剂，以按照在纸是相关的前额排出。 因此，插入管22和被最小化，而在同一时间放电产生的气泡噪声，由于液态制冷剂和气态制冷剂从穿过所述插入管22中的放电通过在放电相同的所生成的气泡尺寸分散分离 这可以指向防止由于共振的同时引起破损的气泡的尺寸的噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101823500B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020110068279
申请日：2011-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1683
Abstract: 상변화물질층패턴형성방법에서, 층간절연막내부에형성된개구를부분적으로매립하는상변화물질층을형성한다. 상기상변화물질층상에플라즈마처리를수행함으로써상기상변화물질층표면에형성되는산화막을제거한다. 상기상변화물질층이상기개구를충분히매립하도록상기상변화물질층에열처리공정을수행한다. 상기상변화물질층패턴의형성방법은매립특성이우수하다.
Abstract translation: 在用于形成相变材料层图案的方法中，形成部分地填充在层间绝缘膜中形成的开口的相变材料层。 通过在相变材料层上执行等离子体处理来去除在相变材料层的表面上形成的氧化物膜。 在相变材料层上执行热处理工艺以充分填充相变材料相变开口。 形成相变材料层图案的方法在嵌入特性方面是有利的。
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公开(公告)号：KR101766222B1
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020100091985
申请日：2010-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1293 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 본발명은상변화메모리장치, 이를포함하는저장시스템및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른상변화메모리장치는, 기판과, 상기기판상에형성된층간절연막과, 상기층간절연막에형성된제1 및제2 콘택홀과, 상기제1 및제2 콘택홀내에형성되고, 다이오드, 제1 전극, 상변화물질막및 제2 전극을포함하는메모리셀을포함하되, 상기제1 콘택홀과제2 콘택홀은서로분리되고이격되어위치한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种相变存储器件，包括该相变存储器件的存储系统及其制造方法。 在一个衬底上形成所述存储器装置中根据本发明的一个实施例的相变和层间绝缘上形成的膜，所述基板;形成在层间绝缘膜上的第一mitje第二接触孔，所述第一mitje第二接触孔， 一个二极管，第一电极，其包括：存储器单元，其包括相变材料层和所述第二电极，所述第一接触孔的挑战第二接触孔位于分离并彼此间隔开。
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公开(公告)号：KR101747095B1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：KR1020100053397
申请日：2010-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체장치의제조방법은, 반도체기판상에전도층을형성하는단계와, 상기전도층상에제1 층간절연막을형성하는단계와, 상기제1 층간절연막에상기전도층을노출시키는제1 비아홀을형성하는단계와, 상기제1 층간절연막상과, 상기제1 비아홀에제1 상변화물질막을형성하는단계와, 분자량값이 17이하인가스의플라즈마를이용하여상기제1 상변화물질막을식각하여상기제1 비아홀에제1 상변화물질패턴을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130115712A
公开(公告)日：2013-10-22
申请号：KR1020120038266
申请日：2012-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1683 , H01L45/04 , H01L45/1691
Abstract: PURPOSE: A variable resistance memory device and a method for forming the same are provided to reduce parasitic resistance between a variable resistance pattern and an upper electrode by increasing a contact area between the variable resistance pattern and the upper electrode. CONSTITUTION: A lower electrode (19) is formed on a substrate. A variable resistance pattern (25) is formed on the lower electrode. An upper electrode (31) is formed on the variable resistance pattern. The upper electrode is in contact with at least one side of the variable resistance pattern. The upper surface of the variable resistance pattern is higher than the lower surface of the upper electrode.
Abstract translation: 目的：提供可变电阻存储器件及其形成方法，以通过增加可变电阻图案和上电极之间的接触面积来减小可变电阻图案与上电极之间的寄生电阻。 构成：在基板上形成下电极（19）。 在下电极上形成可变电阻图案（25）。 上电极（31）形成在可变电阻图案上。 上电极与可变电阻图案的至少一侧接触。 可变电阻图案的上表面高于上电极的下表面。
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公开(公告)号：KR1020120029877A
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020100091985
申请日：2010-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1293 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683 , H01L45/1691
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device, a storage system including the same, and a manufacturing method thereof are provided to prevent misalignment by forming memory cell components in one contact hole. CONSTITUTION: An interlayer dielectric layer(210) is formed on a substrate. A first contact hole and a second contact hole are formed on the interlayer dielectric layer. A memory cell is formed in the first contact hole and the second contact hole. The memory cell includes a diode, a first electrode(132), a phase change material layer(152), and a second electrode. The first contact hole is separated from the second contact hole.
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器件，包括该相变存储器件的存储系统及其制造方法，以通过在一个接触孔中形成存储单元元件来防止错位。 构成：在基板上形成层间介质层（210）。 第一接触孔和第二接触孔形成在层间电介质层上。 存储单元形成在第一接触孔和第二接触孔中。 存储单元包括二极管，第一电极（132），相变材料层（152）和第二电极。 第一接触孔与第二接触孔分离。
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