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公开(公告)号：WO2023063704A1
公开(公告)日：2023-04-20
申请号：PCT/KR2022/015359
申请日：2022-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 일 실시 예에 따르면, 전자 장치는, 제 1 면, 및 상기 제 1 면에 반대되는 제 2 면을 포함하는 하우징, 및 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면 사이에 위치된 인쇄 회로 기판을 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 상기 인쇄 회로 기판은, 제 1 커넥터 영역을 포함하는 피드 패턴, 및 상기 제 1 면의 제 1 부분과 접촉하는 제 1 그라운드 영역, 상기 제 1 그라운드 영역에 연결된 제 1 커플링 영역, 상기 제 1 커플링 영역에 연결되고 제 2 커넥터 영역을 포함하는 제 2 그라운드 영역, 및 상기 제 2 그라운드 영역에 연결되고 상기 제 1 면의 제 1 부분과 다른 제 2 부분과 접촉하는 제 2 커플링 영역을 포함하는 그라운드 패턴을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170045082A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020150171648
申请日：2015-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 자기터널접합을포함하는반도체메모리장치가제공된다. 반도체메모리장치는반도체기판상에배치된선택트랜지스터; 상기선택트랜지스터의드레인영역과연결되는하부콘택플러그; 및상기하부콘택플러그상의자기터널접합패턴을포함하되, 상기자기터널접합패턴은하부전극, 상부전극, 상기상부및 하부전극들사이의제 1 및제 2 자성층들, 및상기제 1 및제 2 자성층들사이의터널배리어층을포함하며, 상기하부전극은상기하부콘택플러그와접촉하며, 비정질의탄탈륨질화막으로이루어질수 있다.
Abstract translation: 提供了一种包括磁性隧道结的半导体存储器件。 一种半导体存储器件包括：设置在半导体衬底上的选择晶体管; 连接到选择晶体管的漏极区域的下部接触插塞; 并且包括：在所述下接触插塞，其中，所述磁隧道结图案包括下电极，上电极的磁隧道结图案，所述第一mitje第一mitje第二磁性层之间的第二磁性层，以及上部和下部电极 其中下电极与下接触插塞接触并且可以由非晶氮化钽膜形成。
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公开(公告)号：KR1020170038519A
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150138000
申请日：2015-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 자기저항메모리소자의제조에서, 기판상에하부전극, 자기터널접합(MTJ) 구조물및 상부전극을포함하는메모리구조물을형성한다. 플라즈마를이용하는증착공정을수행하여상기메모리구조물의표면을덮는제1 보호막을형성한다. 상기제1 보호막형성하는것과다른방식의플라즈마를이용하는증착공정을통해상기제1 보호막상에제2 보호막을형성한다. 상기제1 및제2 보호막이구비됨으로써, 상기메모리구조물이보호되어자기저항메모리소자의특성이향상될수 있다.
Abstract translation: 在制造磁阻存储器件时，在包括底电极，磁隧道结（MTJ）结构和上电极的衬底上形成存储器结构。 执行使用等离子体的沉积工艺以形成覆盖存储器结构的表面的第一保护膜。 通过使用与用于形成第一保护膜的不同的等离子体的沉积工艺在第一保护膜上形成第二保护膜。 通过提供第一和第二保护膜，可以保护存储器结构并且可以改善磁阻存储器件的特性。
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公开(公告)号：KR101692407B1
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020100080201
申请日：2010-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/76816
Abstract: 라인패턴구조물및 이의형성방법에서, 라인패턴구조물은끊어진부위를포함하는라인형상을갖는적어도하나의제1 라인패턴을포함한다. 최외곽에위치하는상기제1 라인패턴과이웃하여상기제1 라인패턴과평행한연장라인과, 상기제1 라인패턴의끊어진부위와인접하는영역에서상기제1 라인패턴방향으로향하도록상기연장라인으로부터돌출된적어도하나의돌출패턴을포함하는 2개의제2 라인패턴을포함한다. 상기라인패턴구조물은불량이감소되고간단한공정을통해형성될수 있다.
Abstract translation: 在形成图案结构的方法中，通过使用牺牲掩模图案和掩模图案的连接部分的双重图案化工艺来形成半导体器件的节点分离线的截止部分，从而改善对准边缘 。 掩模图案和牺牲掩模图案之间的对准边缘增加到牺牲掩模图案的连接部分的长度的量。 与节点分离线相邻的线包括向分离线的截止部分突出的突出部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140062601A
公开(公告)日：2014-05-26
申请号：KR1020120128224
申请日：2012-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/1052 , H01L21/76829 , H01L27/10876 , H01L27/10894 , H01L29/42336
Abstract: A semiconductor device and a method of manufacturing the same are provided. A semiconductor device may include a substrate having a cell region and a peripheral region, a cell gate electrode which is buried in a groove which crosses the cell active part of the cell region, a cell line pattern which crosses the upper part of the cell gate electrode and is connected to a first source/drain region which is formed in the cell active part of the one side of the cell gate electrode, a peripheral gate pattern which crosses the upper part of the peripheral active part of the peripheral region, a planarized interlayer dielectric which is arranged on the substrate around the peripheral gate pattern, and a capping insulating layer which is arranged on the planarized interlayer dielectric and the upper surface of the peripheral gate pattern. The capping insulating layer may include an insulating material which has etch selectivity to the planarized interlayer dielectric.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件可以包括具有单元区域和外围区域的基板，埋在与单元区域的单元有源部分交叉的沟槽中的单元栅极电极，与单元栅极的上部交叉的单元线图案 并且连接到形成在单元栅电极的一侧的单元有源部分中的第一源极/漏极区域，与周边区域的外围有源部分的上部交叉的周边栅极图案，平面化 布置在周围栅极图案周围的基板上的层间电介质，以及布置在平坦化的层间电介质和外围栅极图案的上表面上的封盖绝缘层。 封盖绝缘层可以包括对平坦化的层间电介质具有蚀刻选择性的绝缘材料。
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公开(公告)号：KR1020120066310A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100127580
申请日：2010-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1658 , H01L45/1683 , G11C13/0004
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a resistance changeable memory device is provided to improve the stability and reliability of a resistance changeable memory device by doping a resistance changeable material pattern confined by a contact hole with at least one element among a plurality of elements comprising the resistance changeable material pattern. CONSTITUTION: A bottom electrode(160) is formed on a substrate(110). An insulation layer(170) including a first opening unit(175) is formed on the substrate. The first opening unit is filled with a resistance changeable material pattern(180). The resistance changeable material pattern is doped with dopants. A top electrode(200) is formed on the resistance changeable material pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电阻可变存储器件的方法，以通过将由接触孔限定的电阻变化材料图案掺杂到包括电阻的多个元件中的至少一个元件来提高电阻可变存储器件的稳定性和可靠性 可变材料图案。 构成：底部电极（160）形成在基底（110）上。 在基板上形成包括第一开口单元（175）的绝缘层（170）。 第一开口单元填充有电阻可变材料图案（180）。 电阻可变材料图案掺杂有掺杂剂。 在电阻可变材料图案上形成顶部电极（200）。
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公开(公告)号：KR100280655B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980025910
申请日：1998-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: A61D7/04
Abstract: 소동물용 간이 흡입마취 장치가 개시된다. 본 발명에 의한 소동물용 간이 흡입마취 장치는, 마취대상의 머리를 넣을 수 있는 제 1 개구부를 구비한 제 1 챔버와, 제 2 개구부를 구비한 제 2 챔버와, 상기 제 1 챔버 내에 구비된 기화매개체와, 상기 기화매개체에 소정의 마취제를 점적시키기 위한 마취제 점적장치와, 상기 제 1 챔버의 상기 제 1 개구부에 구비되어 상기 기화매개체에서 기화되는 마취가스를 상기 마취대상의 호흡기로 확산시키기 위한 소정크기의 구멍들을 갖는 코마개와, 상기 마취대상의 호흡기와 상기 코마개 사이에 구비되어 소정의 산소를 공급하기 위한 산소공급장치 및 상기 제 2 챔버에 구비되어 상기 마취가스를 외부로 배출시키기 위한 마취가스 배기장치를 포함하여, 제작비용이 저렴하며 조작이 간편하고 원하는 마취심도로 소동물을 안전하게 마취시킬 수 있으며 마취가 스 누출을 줄여 실험자를 보호하고 안전사고를 예방할 수 있는 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR101934366B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：KR1020120119206
申请日：2012-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
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