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公开(公告)号：KR1019930009031A
公开(公告)日：1993-05-22
申请号：KR1019910018423
申请日：1991-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/02
Abstract: TSOP와 플립 칩 패키지에서 리드프레임 패드 및 칩의 타면을 노출시키므로 그 부분을 에워싸던 수지의 두께만큼 박형화할 수 있거나 패키지 두께의 증가없이 도선들의 루프를 높게하여 인장력을 줄일 수 있으며, 또한 칩에서 발생된 열을 공기중으로 방출하다. 그리고, 상기 TSOP에서 몰딩수지와의 열팽창 차이에 의한 리드프레임 패드 타면의 패키지 균열이 발생되지 않으며, 몰딩시 칩이 몰딩기게에 흡찹되므로 이동되지 않는다.
따라서, 패키지를 박형화할 수 있으며 도선의 인장력을 감소하여 단선을 방지하고, 열방출 능력을 향상시키며 패키지 균열을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있고 그리고, 몰딩시 칩이 이동되지 않으므로 제조가 용이한 잇점이 있다.-
公开(公告)号：KR2019920008443U
公开(公告)日：1992-05-20
申请号：KR2019900015852
申请日：1990-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/495
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公开(公告)号：KR2019920008442U
公开(公告)日：1992-05-20
申请号：KR2019900015851
申请日：1990-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/495
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170050891A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150152986
申请日：2015-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G05B19/18
Abstract: 가공장치를제어하기위한서버장치가개시된다. 본장치는, 복수의구역(zone)에할당배치되어각각의공정별작업을수행하는복수의가공장치들과통신을수행하기위한인터페이스부, 작업데이터를입력받기위한입력부, 입력된작업데이터를저장하는데이터베이스및 기설정된생산계획에따라복수의가공장치들의가공구역이복수로구획되면, 데이터베이스에저장된작업데이터를공정별로구분하여구분된작업데이터들을인터페이스부를통해서각 구획별 가공장치들에게일괄전송하는프로세서를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于控制加工设备的服务器设备。 该装置存储输入单元，所述输入用于接收在多个区域（区）输入用于执行所述处理装置，通信，作业数据执行用于执行每个过程，通过工作的多个接口单元中的被分配的操作数据 如果数据库和多个划分成多个处理装置中的根据，在规定的生产计划处理区域，其通过对每个过程是通过将批传送存储在数据库接口单元到各处理装置分离的工作数据刷新了任务的数据 和处理器。
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公开(公告)号：KR1020160099385A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020150021777
申请日：2015-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C01B21/064 , C23C16/02 , C23C16/0209 , C23C16/0254 , C23C16/342 , C23C16/45525
Abstract: 이음매없는육방정계질화붕소(h-BN) 원자모노층박막및 그제조방법이개시된다. 개시된 h-BN 원자모노층박막은복수의 h-BN 그레인들이이음매없이병합되어단결정과유사하게작용한다. 각 h-BN 그레인은대략 10~1000㎛크기를가진다. 상기 h-BN 원자모노층박막은대략 1~30 cm 크기로형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了无缝六方氮化硼（h-BN）原子单层薄膜及其制造方法。 所公开的h-BN原子单层薄膜具有无缝合并的多个h-BN晶粒的假单晶结构。 每个h-BN颗粒的尺寸在约10μm至约1000μm的范围内。 h-BN原子单层薄膜可以形成为1至30cm的尺寸。
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公开(公告)号：KR1020150130256A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020150153256
申请日：2015-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/267 , H01L29/16 , H01L21/02 , H01L29/778
Abstract: 육방정계질화붕소시트(h-BN) 및그래핀시트의이종적층구조체, 이를채용한전기소자, 및이의제조방법이개시된다. 상기이종적층구조체는, 금속기판상에기상법으로대면적의 h-BN 시트를성장시킨후 순차적으로그래핀시트를기상법으로형성함으로써, 그래핀시트와 h-BN 시트사이에불순물이거의남아있지않는고품질의계면상태를가질수 있다. 이러한고품질의계면상태및 대면적을갖는 h-BN 및그래핀의이종적층구조체는 FET를포함하는다양한전기소자에활용할수 있다.
Abstract translation: 公开了石墨烯片和h-BN片的异质堆叠结构，采用其的电子装置及其制造方法。 通过在金属上形成大面积的h-BN片材之后，通过气相沉积法连续地形成石墨烯片，通过除去石墨烯片和h-BN片之间的杂质，具有高质量的界面状态 基板采用气相沉积法。 在包括FET的各种电气设备中使用具有大面积的石墨烯和h-BN的高质量的界面状态的异质堆叠结构。
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公开(公告)号：KR1020140060429A
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：KR1020120126891
申请日：2012-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D23/028 , F25D23/02 , F25D23/025 , F25D23/087 , F25D2323/021
Abstract: An inner plate is built by injection molding. An accommodation groove is formed on the inner plate to couple and accommodate an installation member. A gasket is installed on an installation groove of an installation member. Accordingly, the gasket can easily be installed on the inner plate while minimizing the need to employ any complex mold such as a slide core.
Abstract translation: 内板通过注塑成型。 在内板上形成一个容纳凹槽以连接和容纳安装构件。 垫圈安装在安装构件的安装槽上。 因此，垫圈可以容易地安装在内板上，同时最小化使用诸如滑动芯的任何复杂模具的需要。
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公开(公告)号：KR1020140060145A
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020120126892
申请日：2012-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D23/028 , F25D23/02 , F25D23/025 , F25D23/087 , F25D2323/021
Abstract: A refrigerator includes: a storage chamber; an inner door which has an opening of a size corresponding to the size of the storage chamber; a plurality of door guards arranged on the opening; and an outer door which opens or closes the opening. The inner door includes an inner wall which is formed to be flat from the inlet of opening to the outlet of the opening.
Abstract translation: 冰箱包括：储存室; 具有与所述储存室的尺寸对应的尺寸的开口的内门; 多个门卫布置在开口上; 以及打开或关闭开口的外门。 内门包括形成为从开口的入口到开口的出口平坦的内壁。
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