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    실리콘 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
    41.
    发明公开
    실리콘 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 有权
    硅薄膜晶体管及其绝缘体的制造方法及其应用方法

    公开(公告)号：KR1020060132400A

    公开(公告)日：2006-12-21

    申请号：KR1020050052725

    申请日：2005-06-18

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정지심 ,  김도영 ,  김종만 ,  권장연 ,  타카시노구치

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/66757

    Abstract: A silicon TFT and its manufacturing method are provided to improve the performance of operation by preventing the warpage of a substrate using a buffer layer. A plastic substrate(10) has a first surface and a second surface. First and second buffer layers(11a,11b) are formed on the first and the second surfaces of the substrate, respectively. A silicon channel is formed on the first buffer layer. A gate insulating layer(13) is formed on the silicon channel. A gate(14) is formed on the gate insulating layer. The silicon channel is made of polycrystalline silicon. The thicknesses of the first and the second buffer layers are in a predetermined range of 4000 angstrom or more.

    Abstract translation: 提供一种硅TFT及其制造方法，以通过防止使用缓冲层的衬底的翘曲来提高操作性能。 塑料基板（10）具有第一表面和第二表面。 分别在基板的第一和第二表面上形成第一和第二缓冲层（11a，11b）。 硅通道形成在第一缓冲层上。 栅极绝缘层（13）形成在硅沟道上。 栅极（14）形成在栅极绝缘层上。 硅通道由多晶硅制成。 第一缓冲层和第二缓冲层的厚度在4000埃以上的预定范围内。

    포토레지스트 베이킹 장치 및 이를 이용한 베이킹 방법
    42.
    发明公开
    포토레지스트 베이킹 장치 및 이를 이용한 베이킹 방법 无效
    相片烘烤设备和烘烤方法

    公开(公告)号：KR1020060031753A

    公开(公告)日：2006-04-13

    申请号：KR1020040080730

    申请日：2004-10-09

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 임혁 ,  타카시노구치 ,  김도영 ,  정지심 ,  권장연 ,  조세영 ,  박경배

    IPC: H01L21/32 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/168 ,  H01L21/6838

    Abstract: 포토레지스트 베이킹 장치 및 이를 이용한 베이킹 방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 제 1 면에 포토레지스트층이 형성된 기판이 장착되는 기판장착부, 상기 기판의 제 2 면으로 공기를 공급하는 팬부 및 상기 팬부와 기판장착부 사이에 배치되어 상기 기판으로 유동하는 공기를 가열하는 히팅부를 구비하여, 상기 포토레지스트층의 저면에서부터 베이킹이 진행되도록 하는 베이킹 장치 및 이를 이용한 베이킹 방법이 제공된다.
    또한, 본 발명에 따르면, 포토레지스트층이 형성된 기판이 그 상면에 장착되는 것으로 하나 이상의 관통공이 마련된 플레이트, 상기 플레이트의 저면에서 상기 관통공과 연결되는 것으로 상기 기판을 상기 플레이트에 진공흡착시키는 흡입배기부 및 상기 플레이트를 가열하는 히팅부를 구비하는 베이킹 장치가 제공된다.

    ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터의 제조방법
    45.
    发明授权
    ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터의 제조방법 有权
    ZnO系列薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号：KR101472798B1

    公开(公告)日：2014-12-16

    申请号：KR1020080019304

    申请日：2008-02-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 류명관 ,  이상윤 ,  이제훈 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

    IPC: G02F1/136

    Abstract: ZnO 계박막트랜지스터의제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터의제조방법은소스/드레인전극을 1회또는 2회의습식에칭에의해패터닝한다. 또한채널층에는플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 SnO, 불화물, 염화물등을함유시킨다. 습식채널에의해채널층의손상, 특히산소결핍등의문제가나타나지않으며, 특히강한결합력의물질이채널층에분포되어있으므로패시베이션층 형성시채널층의손상이억제된다.

    ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
    47.
    发明授权
    ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
    ZnO基薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR101345376B1

    公开(公告)日：2013-12-24

    申请号：KR1020070052226

    申请日：2007-05-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  손경석 ,  정지심

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

    Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는복수의반도체층을가지는채널층을포함하며, 최상위의반도체층은플라즈마에의한산소결핍을억제하기위하여하부반도체층에비해낮은 ZnO 농도를가진다. 이에더하여플라즈마에대해상대적으로안정적인강한결합력의 Sn 산화물, 염화물, 불화물등을포함한다. 최상위 반도체층은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다.

    Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括具有多个半导体层的沟道层，并且为了抑制由等离子体造成的氧缺陷，最上面的半导体层具有比下面的半导体层低的ZnO浓度。 此外，它还包括Sn氧化物，氯化物，氟化物等，它们对等离子体相对稳定并且具有强结合力。 最上面的半导体层耐等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。

    ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터의 제조방법
    48.
    发明授权
    ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터의 제조방법 有权
    ZnO系列薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号：KR101334182B1

    公开(公告)日：2013-11-28

    申请号：KR1020070051560

    申请日：2007-05-28

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 손경석 ,  이상윤 ,  류명관 ,  김태상 ,  권장연 ,  박경배 ,  정지심

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/7869

    Abstract: ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법에 관해 개시된다. ZnO 계 박막 트랜지스터는 채널 층의 산소함량에 매우 민감한 특성 변화를 보인다. 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터의 제조에서 불가피한 채널 층의 손상과 이에 따른 깊은 음의 문턱 전압을 보상시키기 위하여 불안정한 상태의 산소를 다량 함유하는 저온 패시베이션 층이나 식각 저지층 등의 산화물 층을 이용하여 열처리(annealing)시 산화물 층과 채널 층과의 계면 반응에 의해 캐리어의 농도를 감소시킨다.

    유기 전자발광디스플레이 및 그 제조방법
    49.
    发明授权
    유기 전자발광디스플레이 및 그 제조방법 有权
    有机电致发光显示及其制造方法

    公开(公告)号：KR101270168B1

    公开(公告)日：2013-05-31

    申请号：KR1020060090467

    申请日：2006-09-19

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정지심 ,  김종만 ,  권장연 ,  박경배

    IPC: H05B33/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

    CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244

    Abstract: 디스플레이는 OLED를구동하는드라이빙트랜지스터와상기드라이빙트랜지스터의동작을제어하는스위칭트랜지스터를구비하고, 상기드라이빙트랜지스터및스위칭트랜지스터는서로다른결정립크기를가지도록실리사이드에의한차등적결정화과정을거쳐얻어진다. 유기전자발광디스플레이를설계함에있어서스위칭트랜지스터와드라이빙트랜지스터의요구조건에부응할수 있으므로저이동도의스위칭트랜지스터와고이동도드라이빙트랜지스터를효율적으로제조할수 있다.

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