公开(公告)号：KR1020050034309A

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020030070193

申请日：2003-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신현진 ,  정현담 ,  선종백 ,  이광희 ,  마상국

IPC: C07F7/18

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/06 ,  C08G77/50 ,  Y10T428/31663

Abstract: 본 발명은 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 낮은 흡습률을 가지면서 우수한 기계적 물성을 나타내는 중합체를 제공할 수 있는 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리케이트 화합물은 반응성이 높고, 흡습성을 낮은 수준으로 유지할 수 있어 SOG(Spin-On-Glass) 공정에 유용하게 적용가능하며, 그로부터 제조된 실록산계 중합체는 기공형성 물질과의 상용성이 우수하고, 이를 이용하여 제조된 필름의 경우, 뛰어난 기계적 물성, 열 안정성 및 균열 저항성을 나타내며, 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높을 뿐만 아니라 흡습특성이 현저히 감소되고 절연특성이 뛰어나므로, 반도체 소자 분야에서 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR100481181B1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020020069262

申请日：2002-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진성 ,  김영남 ,  정현담 ,  이선영

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/96

Abstract: 반도체소자의 다공성 물질막 형성방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 물분자들과 반응하는 불순물들을 함유하는 물질막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 물질막을 갖는 기판을 대기압보다 높은 고압력, 수증기 분위기 및 실온보다 높은 고온을 갖는 조건 하에서 큐어링하여 상기 물질막 내에 기공들(pores)을 생성시킨다.

公开(公告)号：KR1019990062415A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019980020027

申请日：1998-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  구주선

IPC: H01L21/3205